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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利用于半導體處理的基于硅的沉積獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110520964B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880025529.5，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權用于半導體處理的基于硅的沉積是由湯姆·A·坎普;米爾扎菲爾·K·阿巴特切夫設計研發完成，并于2018-03-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于半導體處理的基于硅的沉積在說明書摘要公布了：提供了一種用于處理具有碳基圖案化掩模的堆疊件的方法。將所述堆疊件放置在蝕刻室中。通過原子層沉積，經由提供多個循環在所述碳基圖案化掩模上沉積氧化硅層，其中，所述多個循環中的每個循環包括提供硅前體沉積階段，其包括：使原子層沉積前體氣體流入所述蝕刻室，其中所述原子層沉積前體氣體在沒有等離子體的同時沉積，以及使所述原子層沉積前體氣體的流動停止；以及提供氧沉積階段，其包括：使臭氧氣體流入所述蝕刻室，其中所述臭氧氣體在沒有等離子體的同時與所沉積的所述前體氣體結合，以及使所述臭氧氣體流入所述蝕刻室的流動停止。蝕刻所述氧化硅層的一部分。從所述蝕刻室中去除所述堆疊件。

本發明授權用于半導體處理的基于硅的沉積在權利要求書中公布了：1.一種用于原位處理具有碳基圖案化掩模的堆疊件的方法，其包括：將所述堆疊件放置在蝕刻室中；通過原子層沉積，經由提供多個循環在所述碳基圖案化掩模上沉積氧化硅層，而不消耗或侵蝕所述碳基圖案化掩模，其中，所述多個循環中的每個循環包括：提供硅前體沉積階段，其包括：使包含含硅成分的原子層沉積前體氣體流入所述蝕刻室，其中所述原子層沉積前體氣體在沒有等離子體的同時沉積在所述碳基圖案化掩模上；以及使所述原子層沉積前體氣體的流動停止；以及提供氧沉積階段，其包括：僅使基本上由臭氧氣體組成的氧沉積氣體流入所述蝕刻室，其中所述臭氧氣體在沒有等離子體的同時與所沉積的所述前體氣體結合，以及使所述氧沉積氣體流入所述蝕刻室的流動停止；蝕刻所述氧化硅層的一部分，其包括：使包含碳氟化合物的成形氣體流入所述蝕刻室；使所述成形氣體形成為等離子體，從而蝕刻所述氧化硅層；以及使所述成形氣體的流動停止；并且從所述蝕刻室中去除所述堆疊件。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。