恭喜株式會社思可林集團青山敬幸獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜株式會社思可林集團申請的專利熱處理方法以及熱處理裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112652559B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011536845.4，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權熱處理方法以及熱處理裝置是由青山敬幸;河原崎光;古川雅志;加藤慎一;布施和彥;谷村英昭設計研發完成，并于2016-08-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本熱處理方法以及熱處理裝置在說明書摘要公布了：提供能夠抑制高介電常數膜的基層的二氧化硅膜的膜厚增大的熱處理方法以及熱處理裝置。在硅的半導體晶片的表面隔著作為界面層膜的二氧化硅膜形成高介電常數膜。在該半導體晶片容納于腔室內后，腔室內的壓力被減壓至比大氣壓低的氣壓P1。然后，向腔室內供給氨氣與氮氣的混合氣體而恢復至常壓Ps，并向半導體晶片的表面照射閃光來執行高介電常數膜的成膜后熱處理。由于一旦將腔室內的壓力減壓至比大氣壓低的氣壓P1后就恢復壓力，因此，能夠使執行成膜后熱處理時的腔室內的氧氣濃度顯著地變低，從而能夠抑制高介電常數膜的基層的二氧化硅膜在成膜后熱處理中吸取氧氣而膜厚增大。
本發明授權熱處理方法以及熱處理裝置在權利要求書中公布了：1.一種熱處理方法，其特征在于，通過向形成有高介電常數膜的基板照射閃光來加熱該基板，所述熱處理方法包括：搬入工序，將形成有高介電常數膜的基板搬入腔室內，減壓工序，將所述腔室內的壓力減壓至比大氣壓低的第一壓力，恢復壓力工序，向所述腔室內供給氧氣類的反應性氣體，以將所述腔室內的壓力從第一壓力恢復至比第一壓力高的第二壓力，并使所述腔室內的氧濃度為200ppb以下，照射工序，一邊將所述腔室內的壓力維持為第二壓力，一邊從閃光燈向所述基板的表面照射閃光，所述第二壓力比所述第一壓力高且比大氣壓低，在所述照射工序之后，從所述腔室排出所述反應性氣體，將所述腔室內的壓力再次減壓至比所述第二壓力低的壓力。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社思可林集團，其通訊地址為：日本京都府；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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