恭喜株式會社國際電氣小川有人獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜株式會社國際電氣申請的專利半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111052312B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880050799.1，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序是由小川有人設計研發完成，并于2018-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序在說明書摘要公布了：本發明進行下述工序：工序a，通過將含有第一金屬的氣體和第一還原氣體以彼此不混合的方式對表面上具有凹部的襯底進行多次供給，從而形成第一金屬膜；工序b，通過至少將含有第二金屬的氣體、和與第一還原氣體不同的第二還原氣體以彼此不混合的方式對襯底進行多次供給，從而在第一金屬膜上形成第二金屬膜；及工序c，通過對襯底供給蝕刻氣體，從而至少將第二金屬膜蝕刻。
本發明授權半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序在權利要求書中公布了：1.半導體器件的制造方法，其具有下述工序：工序a，通過將含有第一金屬的氣體和第一還原氣體以彼此不混合的方式對表面上具有凹部的襯底進行多次供給，從而以將所述凹部內填埋的方式形成第一金屬膜，其中，所述第一還原氣體為由氫元素的單質或氘的單質構成的氣體；工序b，通過至少將含有第二金屬的氣體、和與第一還原氣體不同的第二還原氣體以彼此不混合的方式對所述襯底進行多次供給，從而在第一金屬膜上形成第二金屬膜；工序c，通過對所述襯底供給蝕刻氣體，從而將所述第二金屬膜蝕刻并將所述第一金屬膜的上部蝕刻，所述制造方法中，依次進行工序a及工序b，工序c在工序a及工序b后進行，在工序a中，使進行工序c前的所述第一金屬膜的厚度為進行工序c之后殘留的所述第一金屬膜的厚度的1.1倍以上且1.2倍以下。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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