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龍圖騰網恭喜蘇州立琻半導體有限公司申請的專利半導體器件和包括該半導體器件的半導體器件封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115241340B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210938217.1，技術領域涉及：H10H20/819；該發明授權半導體器件和包括該半導體器件的半導體器件封裝是由吳炫智;金炳祚;崔洛俊設計研發完成，并于2017-11-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件和包括該半導體器件的半導體器件封裝在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件以及包括該半導體器件的半導體器件封裝。該器件包括發光結構，其包括：具有鋁的第一半導體層和第二半導體層；具有鋁且位于第一和第二半導體層之間的有源層；在第二半導體層中展示的強度范圍是在二次離子的第一最小強度和第一最大強度之間；在第一半導體層中展示的強度包括二次離子的第二最小強度，其不同于第一最小強度；在從第二半導體層的表面開始的第一預設距離處，第二半導體層展示出與第二最小強度對應的二次離子的第一中間強度，第一最大強度出現在從第一預設距離開始的第二預設距離處；第二預設距離對第一預設距離的比率是在1:0.2到1:1的范圍內。

本發明授權半導體器件和包括該半導體器件的半導體器件封裝在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：發光結構，所述發光結構包括：第一半導體層，其包括鋁；第二半導體層，其包括鋁；以及具有鋁并且設置在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的有源層；其中，在所述發光結構上轟擊初級離子以濺射所述第一半導體層、所述有源層和所述第二半導體層的多個部分，二次離子包括所產生的針對所述第一半導體層、所述有源層和所述第二半導體層的各強度的鋁；在所述第二半導體層中展示的強度的范圍是在二次離子的第一最小強度和二次離子的第一最大強度之間；在所述第一半導體層中展示的強度包括二次離子的第二最小強度，所述第二最小強度不同于所述第一最小強度；以及在從所述第二半導體層的表面開始的第一預設距離處，所述第二半導體層展示出處于所述第一最小強度和所述第一最大強度之間的與所述第二最小強度對應的二次離子的第一中間強度，其中所述第一最大強度出現在從所述第一預設距離開始的第二預設距離處；其中，所述第二預設距離（W1）對所述第一預設距離（W2）的比率是在1:0.2到1:1的范圍內。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州立琻半導體有限公司，其通訊地址為：215499 江蘇省蘇州市太倉市常勝北路168號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。