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龍圖騰網恭喜蘇州立琻半導體有限公司申請的專利半導體器件和包括該半導體器件的半導體器件封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115498078B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211246672.1，技術領域涉及：H10H20/81；該發明授權半導體器件和包括該半導體器件的半導體器件封裝是由崔洛俊;金炳祚;吳炫智;丁星好設計研發完成，并于2017-09-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件和包括該半導體器件的半導體器件封裝在說明書摘要公布了：本申請實施例公開了一種半導體器件和包括其的半導體器件封裝，該半導體器件包括：發光結構，發光結構包括第一導電半導體層、第二導電半導體層和有源層，有源層設置在第一導電半導體層和第二導電半導體層之間；第二導電半導體層具有范圍為1：1.25至1：100的第二最短距離W2與第一最短距離W1的比率，第二最短距離W2是從第一表面到第二點的距離，第一最短距離W1是從第一表面到第一點的距離；第一表面為第二半導體層的遠離有源層的表面；第一點是第二導電半導體層的鋁成分與有源層的最靠近第二導電半導體層的阱層的鋁成分相同的點；并且第二點是第二導電半導體層具有與鋁成分相同的摻雜劑成分的點。

本發明授權半導體器件和包括該半導體器件的半導體器件封裝在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：發光結構，所述發光結構包括第一半導體層、第二半導體層、電子阻擋層和有源層，所述有源層設置在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間，所述電子阻擋層設置在所述有源層和所述第二半導體層之間；其中，所述有源層包括勢壘層和阱層；所述發光結構還包括第一中間層，所述第一中間層設置在所述電子阻擋層和所述有源層的第一阱層之間，所述第一阱層為所述阱層中最靠近所述電子阻擋層的阱層，其中，所述第一中間層包括第一部分和第二部分，所述第一部分的鋁成分低于所述電子阻擋層的鋁成分，所述第二部分的鋁成分高于所述電子阻擋層的鋁成分，其中，所述勢壘層和所述阱層包括AlGaN，當初級離子轟擊所述發光結構而從所述第一半導體層、所述有源層、所述電子阻擋層、所述第一中間層以及所述第二半導體層濺射出包含鋁的二次離子時，沿著所述第一半導體層、所述有源層、所述電子阻擋層、所述第一中間層以及所述第二半導體層的厚度方向產生相應強度的包含鋁的二次離子；所述鋁的二次離子強度具有：第一強度位置，在所述第一中間層中展示最大強度，其強度為第一強度；第三強度位置，在所述發光結構的整個區域中展示最小強度，其強度為第三強度；第四強度位置，在所述第一半導體層中展示最小強度，其強度為第四強度；第二強度位置，位于與所述第一強度分開的位置處，且為在所述第一強度與所述第四強度之間的區域中的最大峰值強度的位置，其強度為第二強度；其中，所述第一強度位置與所述第三強度位置在第一方向上分開，所述第二強度位置與所述第一強度位置在所述第一方向上分開，所述第一方向為所述發光結構的厚度方向，且為從所述第二半導體層至所述第一半導體層的方向；其中，所述第二半導體層包括第二區域，所述第二區域包括介于所述第一強度和所述第三強度之間的二次離子強度；其中，所述發光結構還包括第三區域，所述第三區域包括介于所述第一強度和所述第二強度之間的二次離子強度；所述有源層設置在所述第三區域內。

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