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龍圖騰網恭喜意法半導體股份有限公司申請的專利具有改進電可接入性的封裝結構的電子裝置和制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110379718B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201910635591.2，技術領域涉及：H01L21/56；該發(fā)明授權具有改進電可接入性的封裝結構的電子裝置和制造方法是由F·科龐;A·米諾蒂;F·薩拉莫內設計研發(fā)完成，并于2015-09-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有改進電可接入性的封裝結構的電子裝置和制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及具有改進電可接入性的封裝結構的電子裝置和制造方法，其中電子裝置包括：半導體裸片，集成了電子部件；引線框架，容納了半導體裸片；保護本體，橫向圍繞和在半導體裸片的頂部上，并且至少部分地圍繞引線框架結構，限定了電子裝置的頂表面、底表面和厚度；以及導電引線，電耦合至半導體裸片。導電引線以此方式建模以便延伸遍布保護本體的厚度以用于形成可從電子裝置的頂表面聯接的正面電接觸，以及可從電子裝置的底表面聯接的背面電接觸。

本發(fā)明授權具有改進電可接入性的封裝結構的電子裝置和制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝件，包括：集成電子元件的半導體裸片；引線框架包括支撐區(qū)域和導電引線，半導體裸片耦合到所述支撐區(qū)域，所述導電引線具有第一電接觸表面，與所述第一電接觸表面相對的第二電接觸表面，以及在所述第一電接觸表面和所述第二電接觸表面之間延伸的第三電接觸表面；導電構件，將所述半導體裸片的所述電子元件電耦合到所述導電引線；以及保護本體，在所述引線框架的所述支撐區(qū)域、所述裸片以及所述導電構件之上并且在所述導電引線的側表面的一部分周圍，所述保護本體具有第一表面、相對的第二表面和側表面，所述導電引線從所述第一表面延伸穿過所述保護本體到所述第二表面，所述導電引線的所述第一電接觸表面被暴露在所述保護本體的所述第一表面處，所述第二電接觸表面被暴露在所述保護本體的所述第二表面處，以及所述第三電接觸表面沿著所述保護本體的整個厚度在所述側表面處被暴露，其中所述導電構件的頂表面從所述保護本體的所述第一表面處被暴露，并且其中所述半導體封裝件還包括在所述保護本體下方的模塑薄膜，所述模塑薄膜與所述保護本體的內部直接接觸并且被設置為形成用于容納所述半導體裸片、所述引線框架和所述導電構件的空腔。

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