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信息存儲應(yīng)用技術(shù)
  • 本公開提供了一種存儲器控制電路及存儲器控制方法，存儲器控制電路包括第一狀態(tài)機、第二狀態(tài)機、擦寫流程識別單元、擦寫執(zhí)行電路，擦寫流程識別單元用于響應(yīng)于處理器執(zhí)行的擦寫操作，向第一狀態(tài)機發(fā)送目標請求，向第二狀態(tài)機發(fā)送與擦寫指令對應(yīng)的擦寫請求，并...
  • 用于增強型ECC模式的設(shè)備、系統(tǒng)及方法。存儲器陣列包含若干數(shù)據(jù)列平面及額外列平面。當存儲器裝置被設(shè)置在增強型ECC模式下時，數(shù)據(jù)存儲在所述數(shù)據(jù)列平面的子組中，并且錯誤校正碼電路(ECC)將對應(yīng)奇偶校驗數(shù)據(jù)存儲在除數(shù)據(jù)列平面的所述子組或所述額...
  • 本發(fā)明獲得了一種由雙MOF衍生的Ni2Zn6O4/NiCoP復(fù)合材料，其目的是要解決現(xiàn)有方法制備的過渡金屬氧化物電容量較低的問題。為制備具有高電導(dǎo)率、高能量密度的新型復(fù)合電極...
  • 本發(fā)明公開了一種SRAM存內(nèi)計算的脈沖編碼方法，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括如下步驟：對原輸入數(shù)據(jù)進行泊松編碼處理，得到脈沖編碼；根據(jù)隨機舍棄算法，基于脈沖編碼，對各時刻下的脈沖信號進行去重處理，得到去重復(fù)脈沖編碼；將去重復(fù)脈沖編碼輸入到LI...
  • 本發(fā)明涉及整車測試技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及基于虛擬環(huán)境的整車測試平臺。其包括虛擬整車測試系統(tǒng)，虛擬整車測試系統(tǒng)包括通訊單元、顯示單元、調(diào)試單元和監(jiān)聽單元，通訊單元用于為待測試的診斷設(shè)備提供虛擬的測試環(huán)境，顯示單元用于將通訊單元的通訊狀態(tài)、總...
  • 本文公開了用于讀取存儲器元件的編程狀態(tài)的設(shè)備、方法和系統(tǒng)。方法包括：將存儲器元件所連接的位線設(shè)定到第一電壓，以及向位線產(chǎn)生不同于第一電壓的補償電壓。方法還包括：向位線產(chǎn)生修改的感測電壓，該修改的感測電壓由補償電壓和從存儲器元件產(chǎn)生的感測電壓...
  • 本發(fā)明公開了一種石墨烯超級電容器及其制造方法，屬于超級電容器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明取消傳統(tǒng)超級電容器中的電解液，用高介電常數(shù)的陶瓷為電介質(zhì)，以利于提高單體耐壓；采用石墨烯做電極增大電極材料的比表面積，進而增大超級電容容量。為了使兩電極的距離更小從...
  • 本發(fā)明公開了一種超級電容器材料的制備方法，包括：S1，將第一溶液、第二溶液、均苯三甲酸、聚乙烯吡咯烷酮、N,N?二甲基甲酰胺、無水乙醇和水混合，攪拌至透明，再進行水熱反應(yīng)，得到超級電容器材料前體，第一溶液滿足情況一和/或第二溶液滿足情況二，...
  • 本發(fā)明公開一種電纜溝槽用傳感器支架，屬于電纜支架技術(shù)領(lǐng)域，該傳感器支架包括第一立桿、稱重傳感器、固定板以及第一托臂，第一立桿和第一托臂對稱重傳感器形成向下的拉力。本發(fā)明通過設(shè)置第一立桿、第一托臂、稱重傳感器和固定板，稱重傳感器能夠?qū)Φ谝煌斜?..
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N頂針裝置檢測方法，包括：將待檢測頂針裝置放置于檢測平臺；通過頂面光學(xué)系統(tǒng)獲取頂針裝置的頂針頂面圖像，基于頂針頂面圖像確定頂針裝置的頂針的排布缺陷信息；通過側(cè)面光學(xué)系統(tǒng)獲取頂針裝置的頂針側(cè)面圖像，基于頂針側(cè)面圖像確定頂針裝置的...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲器裝置及其測試方法。半導(dǎo)體存儲器裝置包括多個字線、行譯碼器、第一電壓泵電路、第一可編程電流比較器及控制電路。行譯碼器對行地址數(shù)據(jù)進行譯碼，并據(jù)以選擇出測試字線來與第一測試路徑電性連接。第一電壓泵電路配置在第一測試路徑...
  • 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于NOR Flash的快速低功耗字線驅(qū)動電路，包括工作模式和待機模式。工作模式包括由交叉耦合電荷泵構(gòu)成電荷泵功率級；由非交疊時鐘產(chǎn)生電路、壓控振蕩器、誤差放大器及電阻分壓器構(gòu)成動態(tài)頻率調(diào)制穩(wěn)壓電路。待機模式包括由Dick...
  • 一種用于修復(fù)隨機存取存儲器的系統(tǒng)可包括串行測試接口邏輯、熔絲感測邏輯、修復(fù)數(shù)據(jù)寄存器鏈和多路復(fù)用邏輯。該修復(fù)數(shù)據(jù)寄存器鏈可包括被配置為通過該修復(fù)數(shù)據(jù)寄存器鏈移位數(shù)據(jù)的串行互連的數(shù)據(jù)寄存器。該修復(fù)數(shù)據(jù)寄存器鏈的每個數(shù)據(jù)寄存器可具有被配置為耦合...
  • 本發(fā)明提出的一種服務(wù)器內(nèi)存性能測試裝置、方法、系統(tǒng)及存儲介質(zhì)，方法包括：將待測的服務(wù)器內(nèi)存安裝在插槽內(nèi)，啟用顯示控制器對服務(wù)器內(nèi)存的各項數(shù)據(jù)進行讀取；在顯示控制器內(nèi)構(gòu)建預(yù)設(shè)虛擬系統(tǒng)，啟用虛擬系統(tǒng)將內(nèi)存導(dǎo)入系統(tǒng)中；在虛擬系統(tǒng)中建立雜項緩存數(shù)據(jù)...
  • 本發(fā)明公開了蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，本發(fā)明制備的蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復(fù)合材料包含ZIF?67和NiCo LDH兩種物質(zhì)，能夠充分發(fā)揮不同材料之間的協(xié)同作用，提高電極的比容量。另外，蜂巢狀結(jié)構(gòu)由...
  • 本實用新型公開了一種計算機大數(shù)據(jù)存儲器安裝座，包括保護外殼，保護外殼內(nèi)壁一側(cè)安裝有散熱風(fēng)扇，保護外殼內(nèi)壁開設(shè)有滑軌，保護外殼外壁開設(shè)有第一散熱孔，保護外殼外壁兩側(cè)分別開設(shè)有安裝孔，還包括阻尼減振器和安裝外殼，阻尼減振器安裝在安裝外殼外壁，安...
  • 本技術(shù)涉及電子裝置。例如，本技術(shù)涉及存儲器裝置及操作存儲器裝置的方法。根據(jù)實施方式的存儲器裝置包括：存儲器單元、頁緩沖器和測試執(zhí)行器，該測試執(zhí)行器控制頁緩沖器以通過位線向頁緩沖器的感測節(jié)點依次施加第一測試電壓和電平低于第一測試電壓的電平的第...
  • 本實用新型創(chuàng)新提供了一種集成式傳感器，包括上殼體以及下殼體，其特征在于，所述上殼體與下殼體之間設(shè)置有腔體，所述腔體內(nèi)設(shè)置有電路板，所述電路板上連接有兩組壓力芯體，兩組所述壓力芯體對稱設(shè)置于電路板兩側(cè)，所述上殼體上設(shè)置有探針，所述電路板與探針...
  • 本文提供了一種半導(dǎo)體存儲器裝置和操作該半導(dǎo)體存儲器裝置的方法。該半導(dǎo)體存儲器裝置包括存儲器塊、外圍電路和控制邏輯。存儲器塊包括分別聯(lián)接到多條源極選擇線的多個子塊。外圍電路對存儲器塊執(zhí)行編程操作。控制邏輯被配置為控制外圍電路，以增大聯(lián)接到存儲...
  • 本實用新型創(chuàng)新提供了一種集成式傳感器密封結(jié)構(gòu)，包括上殼體以及下殼體，所述上殼體與下殼體之間設(shè)置有腔體，腔體內(nèi)設(shè)置有壓力芯體，所述壓力芯體外套設(shè)有金屬折邊件，所述金屬折邊件靠近下殼體的一端設(shè)置有連接柱，所述下殼體上設(shè)置有與金屬折邊件相匹配的限...
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