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信息存儲應用技術(shù)
  • 本發(fā)明獲得了一種由雙MOF衍生的Ni2Zn6O4/NiCoP復合材料，其目的是要解決現(xiàn)有方法制備的過渡金屬氧化物電容量較低的問題。為制備具有高電導率、高能量密度的新型復合電極...
  • 用于增強型ECC模式的設備、系統(tǒng)及方法。存儲器陣列包含若干數(shù)據(jù)列平面及額外列平面。當存儲器裝置被設置在增強型ECC模式下時，數(shù)據(jù)存儲在所述數(shù)據(jù)列平面的子組中，并且錯誤校正碼電路(ECC)將對應奇偶校驗數(shù)據(jù)存儲在除數(shù)據(jù)列平面的所述子組或所述額...
  • 本發(fā)明公開了一種SRAM存內(nèi)計算的脈沖編碼方法，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括如下步驟：對原輸入數(shù)據(jù)進行泊松編碼處理，得到脈沖編碼；根據(jù)隨機舍棄算法，基于脈沖編碼，對各時刻下的脈沖信號進行去重處理，得到去重復脈沖編碼；將去重復脈沖編碼輸入到LI...
  • 本發(fā)明涉及整車測試技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及基于虛擬環(huán)境的整車測試平臺。其包括虛擬整車測試系統(tǒng)，虛擬整車測試系統(tǒng)包括通訊單元、顯示單元、調(diào)試單元和監(jiān)聽單元，通訊單元用于為待測試的診斷設備提供虛擬的測試環(huán)境，顯示單元用于將通訊單元的通訊狀態(tài)、總...
  • 本文公開了用于讀取存儲器元件的編程狀態(tài)的設備、方法和系統(tǒng)。方法包括：將存儲器元件所連接的位線設定到第一電壓，以及向位線產(chǎn)生不同于第一電壓的補償電壓。方法還包括：向位線產(chǎn)生修改的感測電壓，該修改的感測電壓由補償電壓和從存儲器元件產(chǎn)生的感測電壓...
  • 本發(fā)明公開了一種石墨烯超級電容器及其制造方法，屬于超級電容器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明取消傳統(tǒng)超級電容器中的電解液，用高介電常數(shù)的陶瓷為電介質(zhì)，以利于提高單體耐壓；采用石墨烯做電極增大電極材料的比表面積，進而增大超級電容容量。為了使兩電極的距離更小從...
  • 本發(fā)明公開了一種超級電容器材料的制備方法，包括：S1，將第一溶液、第二溶液、均苯三甲酸、聚乙烯吡咯烷酮、N,N?二甲基甲酰胺、無水乙醇和水混合，攪拌至透明，再進行水熱反應，得到超級電容器材料前體，第一溶液滿足情況一和/或第二溶液滿足情況二，...
  • 本發(fā)明提供一種半導體存儲器裝置及其測試方法。半導體存儲器裝置包括多個字線、行譯碼器、第一電壓泵電路、第一可編程電流比較器及控制電路。行譯碼器對行地址數(shù)據(jù)進行譯碼，并據(jù)以選擇出測試字線來與第一測試路徑電性連接。第一電壓泵電路配置在第一測試路徑...
  • 本發(fā)明公開一種電纜溝槽用傳感器支架，屬于電纜支架技術(shù)領(lǐng)域，該傳感器支架包括第一立桿、稱重傳感器、固定板以及第一托臂，第一立桿和第一托臂對稱重傳感器形成向下的拉力。本發(fā)明通過設置第一立桿、第一托臂、稱重傳感器和固定板，稱重傳感器能夠?qū)Φ谝煌斜?..
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N頂針裝置檢測方法，包括：將待檢測頂針裝置放置于檢測平臺；通過頂面光學系統(tǒng)獲取頂針裝置的頂針頂面圖像，基于頂針頂面圖像確定頂針裝置的頂針的排布缺陷信息；通過側(cè)面光學系統(tǒng)獲取頂針裝置的頂針側(cè)面圖像，基于頂針側(cè)面圖像確定頂針裝置的...
  • 本發(fā)明公開了一種應用于NOR Flash的快速低功耗字線驅(qū)動電路，包括工作模式和待機模式。工作模式包括由交叉耦合電荷泵構(gòu)成電荷泵功率級；由非交疊時鐘產(chǎn)生電路、壓控振蕩器、誤差放大器及電阻分壓器構(gòu)成動態(tài)頻率調(diào)制穩(wěn)壓電路。待機模式包括由Dick...
  • 一種用于修復隨機存取存儲器的系統(tǒng)可包括串行測試接口邏輯、熔絲感測邏輯、修復數(shù)據(jù)寄存器鏈和多路復用邏輯。該修復數(shù)據(jù)寄存器鏈可包括被配置為通過該修復數(shù)據(jù)寄存器鏈移位數(shù)據(jù)的串行互連的數(shù)據(jù)寄存器。該修復數(shù)據(jù)寄存器鏈的每個數(shù)據(jù)寄存器可具有被配置為耦合...
  • 本發(fā)明提出的一種服務器內(nèi)存性能測試裝置、方法、系統(tǒng)及存儲介質(zhì)，方法包括：將待測的服務器內(nèi)存安裝在插槽內(nèi)，啟用顯示控制器對服務器內(nèi)存的各項數(shù)據(jù)進行讀取；在顯示控制器內(nèi)構(gòu)建預設虛擬系統(tǒng)，啟用虛擬系統(tǒng)將內(nèi)存導入系統(tǒng)中；在虛擬系統(tǒng)中建立雜項緩存數(shù)據(jù)...
  • 本發(fā)明公開了蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復合材料及其制備方法和應用，本發(fā)明制備的蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復合材料包含ZIF?67和NiCo LDH兩種物質(zhì)，能夠充分發(fā)揮不同材料之間的協(xié)同作用，提高電極的比容量。另外，蜂巢狀結(jié)構(gòu)由...
  • 本實用新型公開了一種計算機大數(shù)據(jù)存儲器安裝座，包括保護外殼，保護外殼內(nèi)壁一側(cè)安裝有散熱風扇，保護外殼內(nèi)壁開設有滑軌，保護外殼外壁開設有第一散熱孔，保護外殼外壁兩側(cè)分別開設有安裝孔，還包括阻尼減振器和安裝外殼，阻尼減振器安裝在安裝外殼外壁，安...
  • 本技術(shù)涉及電子裝置。例如，本技術(shù)涉及存儲器裝置及操作存儲器裝置的方法。根據(jù)實施方式的存儲器裝置包括：存儲器單元、頁緩沖器和測試執(zhí)行器，該測試執(zhí)行器控制頁緩沖器以通過位線向頁緩沖器的感測節(jié)點依次施加第一測試電壓和電平低于第一測試電壓的電平的第...
  • 本實用新型創(chuàng)新提供了一種集成式傳感器，包括上殼體以及下殼體，其特征在于，所述上殼體與下殼體之間設置有腔體，所述腔體內(nèi)設置有電路板，所述電路板上連接有兩組壓力芯體，兩組所述壓力芯體對稱設置于電路板兩側(cè)，所述上殼體上設置有探針，所述電路板與探針...
  • 本文提供了一種半導體存儲器裝置和操作該半導體存儲器裝置的方法。該半導體存儲器裝置包括存儲器塊、外圍電路和控制邏輯。存儲器塊包括分別聯(lián)接到多條源極選擇線的多個子塊。外圍電路對存儲器塊執(zhí)行編程操作。控制邏輯被配置為控制外圍電路，以增大聯(lián)接到存儲...
  • 本實用新型創(chuàng)新提供了一種集成式傳感器密封結(jié)構(gòu)，包括上殼體以及下殼體，所述上殼體與下殼體之間設置有腔體，腔體內(nèi)設置有壓力芯體，所述壓力芯體外套設有金屬折邊件，所述金屬折邊件靠近下殼體的一端設置有連接柱，所述下殼體上設置有與金屬折邊件相匹配的限...
  • 一種存算一體電路及SRAM存儲器，存算一體電路包括：寫操作單元電路，包括第一晶體管以及與第一晶體管耦接的阻變存儲器；與寫操作單元電路相耦接的讀操作單元電路，包括第二晶體管以及與第二晶體管耦接的第三晶體管，第二晶體管與阻變存儲器的耦接點、第一...
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