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信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
  • 公開(kāi)了存儲(chǔ)器設(shè)備及其操作方法。一種存儲(chǔ)器設(shè)備可以包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，每個(gè)存儲(chǔ)器單元包括單元晶體管，該單元晶體管具有通過(guò)背柵線(xiàn)與相鄰存儲(chǔ)器單元的相鄰單元晶體管共享的背柵、連接到對(duì)應(yīng)的字線(xiàn)的頂柵和連接到單元晶體管的第一電極的單元電容器；子字線(xiàn)驅(qū)...
  • 其中公開(kāi)了利用高和低操作溫度存儲(chǔ)器和基于非易失性的存儲(chǔ)器管芯的混合的堆疊存儲(chǔ)器管芯以及包括其的芯片封裝件。高溫存儲(chǔ)器管芯(諸如使用非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)的那些高溫存儲(chǔ)器管芯)位于具有低溫存儲(chǔ)器管芯(諸如具有易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的那些低溫存...
  • 本公開(kāi)涉及用于控制供應(yīng)給字線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器的操作電力的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置可以包括：電力控制信號(hào)生成電路，其配置為在加電時(shí)段開(kāi)始和測(cè)試模式操作被執(zhí)行的至少一個(gè)時(shí)生成被激活的電力控制信號(hào)；以及操作電力生成電路，其配置為響應(yīng)于電力控制信號(hào)而將供應(yīng)給字...
  • 本實(shí)用新型涉及刀具加工檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型PCB銑刀全尺寸抽檢設(shè)備，包括機(jī)架以及設(shè)置于機(jī)架的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)包括裝夾臺(tái)、與裝夾臺(tái)驅(qū)動(dòng)連接的驅(qū)動(dòng)件以及設(shè)置于裝夾臺(tái)外部的徑向檢測(cè)組件、軸向檢測(cè)組件、清潔組件，所述徑向檢測(cè)組件、軸...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種刷新方法與裝置，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，方法包括：獲取存儲(chǔ)器當(dāng)前激活的行地址在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的激活計(jì)數(shù)值；若該激活計(jì)數(shù)值屬于超出行錘閾值的多個(gè)計(jì)數(shù)區(qū)間中的任意一個(gè)計(jì)數(shù)區(qū)間，則確定預(yù)設(shè)隊(duì)列是否已滿(mǎn)；其中，該隊(duì)列用于存儲(chǔ)需要執(zhí)行行...
  • 一種運(yùn)用于非易失性存儲(chǔ)器的寫(xiě)入電壓產(chǎn)生器。該寫(xiě)入電壓產(chǎn)生器連接于一磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。在一寫(xiě)入動(dòng)作時(shí)，該寫(xiě)入電壓產(chǎn)生器提供一寫(xiě)入電壓。而根據(jù)寫(xiě)入電壓，該磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中一寫(xiě)入路徑內(nèi)一選定存儲(chǔ)器胞的存儲(chǔ)狀態(tài)可對(duì)應(yīng)地改變。該寫(xiě)入電壓產(chǎn)生...
  • 本發(fā)明涉及DRAM電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及基于電容及翻轉(zhuǎn)點(diǎn)補(bǔ)償?shù)撵`敏放大器、讀取電路、模塊。本發(fā)明公開(kāi)了一種基于電容及翻轉(zhuǎn)點(diǎn)補(bǔ)償?shù)撵`敏放大器，包括：9個(gè)NMOS管M1～M9、2個(gè)PMOS管P1～P2、2個(gè)電容C1～C2。本發(fā)明設(shè)計(jì)了CSC...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種業(yè)務(wù)演練控制方法、系統(tǒng)、終端及介質(zhì)，所述方法包括：獲取目標(biāo)演練場(chǎng)景，并確定所述目標(biāo)演練場(chǎng)景所對(duì)應(yīng)的若干目標(biāo)演練節(jié)點(diǎn)，其中，每一個(gè)目標(biāo)演練節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)業(yè)務(wù)進(jìn)程中的演練項(xiàng)目；獲取與所述目標(biāo)演練場(chǎng)景所對(duì)應(yīng)的目標(biāo)演練模板，并基于所述目標(biāo)...
  • 本發(fā)明涉及DRAM電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及基于位線(xiàn)開(kāi)關(guān)和電容耦合的靈敏放大器、讀取電路、模塊。本發(fā)明公開(kāi)了基于位線(xiàn)開(kāi)關(guān)和電容耦合的DRAM靈敏放大器，包括：9個(gè)NMOS管N1～N9、2個(gè)PMOS管P1～P2、2個(gè)電容Cc1～Cc2。本發(fā)明...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種鋰離子電解液及其制備方法和鋰離子電容器。該鋰離子電解液，由鋰鹽和溶劑組成，所述鋰鹽的鋰離子與所述溶劑中的羰基的摩爾比小于1:3，且所述溶劑至多為兩種溶劑。低溫鋰離子電解液應(yīng)用于鋰離子電容器，器件在?40℃下發(fā)揮更高的比容量、...
  • 本申請(qǐng)涉及一種石墨相氮化碳摻雜氧化鉍復(fù)合電極材料及其制備方法和應(yīng)用，屬于電容去離子脫鹽技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)的石墨相氮化碳摻雜氧化鉍復(fù)合電極材料的制備方法，包括以下步驟：將g?C3N4與Bi2...
  • 本發(fā)明提供了一種可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器及編程方法，包括：位于襯底內(nèi)并且相鄰設(shè)置的P型阱區(qū)和N型阱區(qū)；位于P型阱區(qū)表面的第一柵氧化層和柵極；位于N型阱區(qū)表面的第二柵氧化層和浮柵；位于P型阱區(qū)內(nèi)的間隔設(shè)置的第一N型雜質(zhì)區(qū)、第二N型雜質(zhì)區(qū)和第一P...
  • 本發(fā)明涉及一種機(jī)械硬盤(pán)故障智能診斷方法及系統(tǒng)，包括以下內(nèi)容：S1、將待測(cè)機(jī)械硬盤(pán)插入機(jī)械硬盤(pán)故障檢測(cè)設(shè)備并通電；S2、智能診斷檢測(cè)平臺(tái)實(shí)時(shí)檢測(cè)并記錄通電硬盤(pán)的電流波動(dòng)軌跡、寄存器狀態(tài)信息及信號(hào)參數(shù)信息；S3、將檢測(cè)的數(shù)據(jù)信息自動(dòng)匹配硬盤(pán)故障...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元陣列和耦接存儲(chǔ)單元陣列的外圍電路，存儲(chǔ)單元陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)存儲(chǔ)單元具有2N個(gè)數(shù)據(jù)態(tài)，N為大于等于1的整數(shù)；外圍電路...
  • 本發(fā)明涉及超級(jí)電容器技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，尤其涉及一種核殼結(jié)構(gòu)五氧化二釩復(fù)合炭材料的制備方法及其應(yīng)用。本發(fā)明以釩基醇鹽為前驅(qū)體，表面生長(zhǎng)小尺寸的金屬有機(jī)骨架(Zn?MI)顆粒，隨后通過(guò)炭化過(guò)程的控制實(shí)現(xiàn)核殼結(jié)構(gòu)V2O
  • 本發(fā)明屬于激光切割技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種激光切割質(zhì)量檢測(cè)方法以及檢測(cè)裝置。激光切割質(zhì)量檢測(cè)方法包括：將光線(xiàn)通過(guò)分光件分離出激光波段光束和可見(jiàn)光波段光束；通過(guò)激光能量計(jì)檢測(cè)激光波段光束的能量，以判斷工件是否已被激光穿透；通過(guò)成像設(shè)備并根據(jù)該圖像...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種可抑制編程干擾的flash型FPGA的配置控制電路，涉及flash型FPGA領(lǐng)域，該配置控制電路相比于常規(guī)配置控制電路增加編程選擇電路，在對(duì)位于目標(biāo)行、目標(biāo)列的flash存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程操作時(shí)，編程選擇電路控制編程位線(xiàn)電壓與...
  • 本公開(kāi)提供一種感測(cè)放大器及其操作方法、存儲(chǔ)器。該感測(cè)放大器包括：感測(cè)放大電路，包括第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)、第三節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)，被配置為處于放大階段時(shí)，進(jìn)行信號(hào)放大處理；偏移消除電路，耦接至第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)，被配置為處于偏移消除階段時(shí)，進(jìn)行偏移...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種服務(wù)器的測(cè)試系統(tǒng)、方法和裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備，該服務(wù)器的測(cè)試系統(tǒng)包括：測(cè)試設(shè)備和遠(yuǎn)程終端，測(cè)試設(shè)備包括：轉(zhuǎn)接器和光電轉(zhuǎn)換器，待測(cè)服務(wù)器包括：部件接口、處理器和指示燈；光電轉(zhuǎn)換器，用于采集指示燈發(fā)出的參考光信號(hào)；將參考光信...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了用于汽車(chē)系統(tǒng)和應(yīng)用的端到端指示器驗(yàn)證。在各種示例中，用于汽車(chē)系統(tǒng)和應(yīng)用的端到端指示器驗(yàn)證的技術(shù)包括：從緩沖器接收與要在屏幕上顯示的幀相關(guān)聯(lián)的一組命令。該技術(shù)還包括至少基于該組命令確定(i)幀中要包含的指示器的預(yù)期校驗(yàn)和，以及(i...
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