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信息存儲應用技術
  • 其中公開了利用高和低操作溫度存儲器和基于非易失性的存儲器管芯的混合的堆疊存儲器管芯以及包括其的芯片封裝件。高溫存儲器管芯(諸如使用非易失性存儲器(NVM)技術的那些高溫存儲器管芯)位于具有低溫存儲器管芯(諸如具有易失性存儲器技術的那些低溫存...
  • 本公開涉及用于控制供應給字線驅動器的操作電力的半導體裝置。半導體裝置可以包括：電力控制信號生成電路，其配置為在加電時段開始和測試模式操作被執行的至少一個時生成被激活的電力控制信號；以及操作電力生成電路，其配置為響應于電力控制信號而將供應給字...
  • 本實用新型涉及刀具加工檢測技術領域，尤其涉及一種新型PCB銑刀全尺寸抽檢設備，包括機架以及設置于機架的檢測機構，所述檢測機構包括裝夾臺、與裝夾臺驅動連接的驅動件以及設置于裝夾臺外部的徑向檢測組件、軸向檢測組件、清潔組件，所述徑向檢測組件、軸...
  • 本公開實施例提供了一種刷新方法與裝置，涉及半導體技術領域，方法包括：獲取存儲器當前激活的行地址在預設時長內的激活計數值；若該激活計數值屬于超出行錘閾值的多個計數區間中的任意一個計數區間，則確定預設隊列是否已滿；其中，該隊列用于存儲需要執行行...
  • 一種運用于非易失性存儲器的寫入電壓產生器。該寫入電壓產生器連接于一磁阻式隨機存取存儲器。在一寫入動作時，該寫入電壓產生器提供一寫入電壓。而根據寫入電壓，該磁阻式隨機存取存儲器中一寫入路徑內一選定存儲器胞的存儲狀態可對應地改變。該寫入電壓產生...
  • 本發明涉及DRAM電路設計技術領域，具體涉及基于電容及翻轉點補償的靈敏放大器、讀取電路、模塊。本發明公開了一種基于電容及翻轉點補償的靈敏放大器，包括：9個NMOS管M1～M9、2個PMOS管P1～P2、2個電容C1～C2。本發明設計了CSC...
  • 本發明公開了一種業務演練控制方法、系統、終端及介質，所述方法包括：獲取目標演練場景，并確定所述目標演練場景所對應的若干目標演練節點，其中，每一個目標演練節點對應業務進程中的演練項目；獲取與所述目標演練場景所對應的目標演練模板，并基于所述目標...
  • 本發明涉及DRAM電路設計技術領域，具體涉及基于位線開關和電容耦合的靈敏放大器、讀取電路、模塊。本發明公開了基于位線開關和電容耦合的DRAM靈敏放大器，包括：9個NMOS管N1～N9、2個PMOS管P1～P2、2個電容Cc1～Cc2。本發明...
  • 本發明公開了一種鋰離子電解液及其制備方法和鋰離子電容器。該鋰離子電解液，由鋰鹽和溶劑組成，所述鋰鹽的鋰離子與所述溶劑中的羰基的摩爾比小于1:3，且所述溶劑至多為兩種溶劑。低溫鋰離子電解液應用于鋰離子電容器，器件在?40℃下發揮更高的比容量、...
  • 本申請涉及一種石墨相氮化碳摻雜氧化鉍復合電極材料及其制備方法和應用，屬于電容去離子脫鹽技術領域。本申請的石墨相氮化碳摻雜氧化鉍復合電極材料的制備方法，包括以下步驟：將g?C3N4與Bi2...
  • 本發明提供了一種可擦除可編程只讀存儲器及編程方法，包括：位于襯底內并且相鄰設置的P型阱區和N型阱區；位于P型阱區表面的第一柵氧化層和柵極；位于N型阱區表面的第二柵氧化層和浮柵；位于P型阱區內的間隔設置的第一N型雜質區、第二N型雜質區和第一P...
  • 本發明涉及一種機械硬盤故障智能診斷方法及系統，包括以下內容：S1、將待測機械硬盤插入機械硬盤故障檢測設備并通電；S2、智能診斷檢測平臺實時檢測并記錄通電硬盤的電流波動軌跡、寄存器狀態信息及信號參數信息；S3、將檢測的數據信息自動匹配硬盤故障...
  • 本公開實施例公開了一種存儲器及其操作方法、存儲器系統、計算機可讀存儲介質，該存儲器包括存儲單元陣列和耦接存儲單元陣列的外圍電路，存儲單元陣列包括多個存儲單元，多個存儲單元具有2N個數據態，N為大于等于1的整數；外圍電路...
  • 本發明涉及超級電容器技術領域，具體而言，尤其涉及一種核殼結構五氧化二釩復合炭材料的制備方法及其應用。本發明以釩基醇鹽為前驅體，表面生長小尺寸的金屬有機骨架(Zn?MI)顆粒，隨后通過炭化過程的控制實現核殼結構V2O
  • 本發明屬于激光切割技術領域，公開了一種激光切割質量檢測方法以及檢測裝置。激光切割質量檢測方法包括：將光線通過分光件分離出激光波段光束和可見光波段光束；通過激光能量計檢測激光波段光束的能量，以判斷工件是否已被激光穿透；通過成像設備并根據該圖像...
  • 本申請公開了一種可抑制編程干擾的flash型FPGA的配置控制電路，涉及flash型FPGA領域，該配置控制電路相比于常規配置控制電路增加編程選擇電路，在對位于目標行、目標列的flash存儲單元執行編程操作時，編程選擇電路控制編程位線電壓與...
  • 本公開提供一種感測放大器及其操作方法、存儲器。該感測放大器包括：感測放大電路，包括第一節點、第二節點、第三節點和第四節點，被配置為處于放大階段時，進行信號放大處理；偏移消除電路，耦接至第一節點和第二節點，被配置為處于偏移消除階段時，進行偏移...
  • 本申請公開一種存儲器件的測試設備，涉及存儲器件技術領域，旨在解決如何延長測試主板使用壽命的問題。測試設備包括控制面板、溫箱、測試模塊、電源模塊及控制電路。其中，溫箱和測試模塊之間設置有隔熱板。測試模塊提供待測存儲器件的插槽。插槽貫穿隔熱板，...
  • 本申請公開了一種服務器的測試系統、方法和裝置、存儲介質及電子設備，該服務器的測試系統包括：測試設備和遠程終端，測試設備包括：轉接器和光電轉換器，待測服務器包括：部件接口、處理器和指示燈；光電轉換器，用于采集指示燈發出的參考光信號；將參考光信...
  • 本發明公開了用于汽車系統和應用的端到端指示器驗證。在各種示例中，用于汽車系統和應用的端到端指示器驗證的技術包括：從緩沖器接收與要在屏幕上顯示的幀相關聯的一組命令。該技術還包括至少基于該組命令確定(i)幀中要包含的指示器的預期校驗和，以及(i...
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技術分類
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