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龍圖騰網(wǎng)恭喜南昌凱迅光電股份有限公司申請的專利一種基區(qū)帶隙遞變的空間GaInP/GaInAs/Ge電池外延片的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN109545897B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201811417548.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)一種基區(qū)帶隙遞變的空間GaInP/GaInAs/Ge電池外延片的制造方法是由萬智;徐培強(qiáng);林曉珊;張銀橋;汪洋;王向武設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-11-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基區(qū)帶隙遞變的空間GaInP/GaInAs/Ge電池外延片的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基區(qū)帶隙遞變的空間GaInPGaInAsGe電池外延片的制造方法，它是將常規(guī)晶格匹配電池的頂電池基區(qū)改為寬帶隙、帶隙遞變、晶格常數(shù)一致的結(jié)構(gòu)，即：本發(fā)明在空間GaInPInGaAsGe晶格匹配電池的頂電池基區(qū)引入寬帶隙p?AlxGayIn1?x?yPGaInP材料。通過組分的變化，使得基區(qū)層帶隙遞減、同時各層晶格參數(shù)相同。與常規(guī)空間GaInPInGaAsGe電池相比，本結(jié)構(gòu)在抑制位錯密度的同時，能增加光生載流子少子的收集效率，同時提升電池的開路電壓，從而改善電池的光電轉(zhuǎn)化效率。

本發(fā)明授權(quán)一種基區(qū)帶隙遞變的空間GaInP/GaInAs/Ge電池外延片的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基區(qū)帶隙遞變的空間GaInPGaInAsGe電池外延片的制造方法，其特征在于：頂電池基區(qū)沉積帶隙遞變、晶格匹配的AlxGayIn1-x-yPGaInP層，具體步驟如下：運(yùn)用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀設(shè)備技術(shù)，在p-Ge襯底上依次沉積n-AlGaInP成核層，n-GaAs-GaInAs緩沖層，n++-GaAsp++-GaAs隧穿結(jié)層，p-AlGaAsp-AlGaInAsDBR反射層，p-GaInP背場層，p-GaInAs基區(qū)層，n-GaInAs發(fā)射區(qū)層，n-AlInP窗口層，n++-GaInPp++-AlGaAs隧穿結(jié)層，p-AlGaInP背場層，p-AlxGayIn1-x-yPGaInP基區(qū)層，n-GaInP發(fā)射區(qū)層，n-AlInP窗口層和n+-GaAs歐姆接觸層；p-AlxGayIn1-x-yPGaInP基區(qū)層總沉積厚度為0.7μm，分為七層材料，依次為Al51.4Ga6.2In42.4P，Al51.6Ga13.0In35.3P、Al51.8Ga19.9In28.3P、Al52.0Ga26.7In21.3P、Al52.2Ga33.5In14.3P、Al52.4Ga40.3In7.3P、Ga49.7In50.3P，沉積厚度都為0.1μm，摻雜DEZn源、摻雜濃度為1～8×1016cm-3。

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