恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司金吉松獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利一種半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111987043B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910436105.4，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權一種半導體器件及其形成方法是由金吉松設計研發完成，并于2019-05-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其形成方法，包括以下步驟：提供基底，在基底的一側形成金屬柵極溝槽；沿著金屬柵極溝槽的寬度延伸方向切割金屬柵極溝槽以形成切割溝槽；在金屬柵極溝槽內金屬柵極溝槽與切割溝槽重疊部分的投影區域內沉積隔離材料，及在切割溝槽的其余區域沉積隔離材料；在金屬柵極溝槽的其余區域沉積金屬柵極材料以形成金屬柵極結構。本發明提供的半導體器件及其形成方法，有效地避免了現有技術中先在基底上形成金屬柵極，然后刻蝕該金屬柵極形成切割溝槽，而金屬柵極的硬度較大，比較難刻蝕，不易形成隔離結構的問題；或者，先形成隔離結構，再形成金屬柵極，金屬柵極兩側會有基底殘留，導致半導體器件的性能不佳的問題。
本發明授權一種半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：提供基底，在所述基底的一側形成金屬柵極溝槽；沿著所述金屬柵極溝槽的寬度延伸方向切割所述金屬柵極溝槽以形成切割溝槽；在所述金屬柵極溝槽內所述金屬柵極溝槽與所述切割溝槽重疊部分的投影區域內沉積隔離材料以形成隔離結構，以及在所述切割溝槽的其余區域沉積隔離材料；刻蝕去除所述切割溝槽內填充的部分所述隔離材料，以形成切割溝槽開口，所述切割溝槽開口的形狀為梭形，且S1≥S2，其中，S1為所述切割溝槽開口的端面的邊緣區域到所述基底的距離，S2為所述切割溝槽開口的端面的中間區域到所述基底的距離；在所述金屬柵極溝槽的其余區域沉積金屬柵極材料以形成金屬柵極結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號