恭喜盛合晶微半導體(江陰)有限公司吳政達獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜盛合晶微半導體(江陰)有限公司申請的專利3D芯片封裝結構及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112053996B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201910493293.4,技術領域涉及:H01L23/31;該發明授權3D芯片封裝結構及其制備方法是由吳政達;呂嬌;陳彥亨;林正忠設計研發完成,并于2019-06-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本3D芯片封裝結構及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種3D芯片封裝結構及其制備方法,3D芯片封裝結構包括:重新布線層;第一電連接結構,位于重新布線層的第一表面;第一塑封層,位于重新布線層的第一表面;第二電連接結構,位于第一塑封層遠離重新布線層的表面;第二塑封層,位于第一塑封層遠離重新布線層的表面;芯片,倒裝鍵合于重新布線層的第二表面;第三電連接結構,位于重新布線層的第二表面;第三塑封層,位于重新布線層的第二表面;第三塑封層在第一塑封層的表面的正投影位于第一塑封層的表面內;金屬引線層,位于第三塑封層遠離重新布線層的表面;焊球凸塊,位于金屬引線層遠離第三塑封層的表面。本發明的3D芯片封裝結構可以有效增加3D芯片封裝結構中芯片的有效面積。
本發明授權3D芯片封裝結構及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種3D芯片封裝結構,其特征在于,所述3D芯片封裝結構包括:重新布線層,包括相對的第一表面及第二表面;所述重新布線層包括布線介電層和位于所述布線介電層內的金屬疊層結構;第一電連接結構,位于所述重新布線層的第一表面,且與所述重新布線層電連接;第一塑封層,位于所述重新布線層的第一表面,且將所述第一電連接結構塑封;第二電連接結構,位于所述第一塑封層遠離所述重新布線層的表面,且與所述第一電連接結構電連接;第二塑封層,位于所述第一塑封層遠離所述重新布線層的表面,且將所述第二電連接結構塑封;芯片,倒裝鍵合于所述重新布線層的第二表面,且與所述重新布線層電連接;第三電連接結構,位于所述重新布線層的第二表面,且與所述重新布線層電連接;所述第三電連接結構包括導電柱;第三塑封層,位于所述重新布線層的第二表面,且將所述第三電連接結構及所述芯片塑封;所述第三塑封層在所述第一塑封層的表面的正投影位于所述第一塑封層的表面內;所述第三塑封層在所述第一塑封層的表面的正投影的邊緣均位于所述第一塑封層的上表面內,且與所述第一塑封層的表面的邊緣具有間距;所述第三塑封層及所述第二塑封層在所述第一塑封層的同一表面的正投影相重合;金屬引線層,位于所述第三塑封層遠離所述重新布線層的表面,且與所述第三電連接結構電連接;焊球凸塊,位于所述金屬引線層遠離所述第三塑封層的表面。
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