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龍圖騰網(wǎng)恭喜盛合晶微半導(dǎo)體(江陰)有限公司申請(qǐng)的專利3D芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112053964B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910492260.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/56；該發(fā)明授權(quán)3D芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法是由吳政達(dá);呂嬌;陳彥亨;林正忠設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-06-06向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本3D芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種3D芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，3D芯片封裝結(jié)構(gòu)包括：重新布線層；芯片，倒裝鍵合于重新布線層的上表面；第一電連接結(jié)構(gòu)，位于重新布線層的上表面；第一塑封層，位于重新布線層的上表面，且將芯片及第一電連接結(jié)構(gòu)塑封；第二電連接結(jié)構(gòu)，位于第一塑封層的上表面上；第二塑封層，位于第一塑封層的上表面上；第三電連接結(jié)構(gòu)，位于第二塑封層的上表面上；第三塑封層，位于第二塑封層的上表面上，且將第三電連接結(jié)構(gòu)塑封；頂層金屬線層，位于第三塑封層的上表面；焊球凸塊，位于重新布線層的下表面。本發(fā)明的3D芯片封裝結(jié)構(gòu)中，芯片實(shí)現(xiàn)了3D封裝，成本較低、封裝集成度高，可以滿足小型化發(fā)展趨勢(shì)的需要。

本發(fā)明授權(quán)3D芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種3D芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述3D芯片封裝結(jié)構(gòu)包括：重新布線層；芯片，倒裝鍵合于所述重新布線層的上表面，且與所述重新布線層電連接；第一電連接結(jié)構(gòu)，位于所述重新布線層的上表面，且與所述重新布線層電連接；第一塑封層，位于所述重新布線層的上表面，且將所述芯片及所述第一電連接結(jié)構(gòu)塑封；第二電連接結(jié)構(gòu)，位于所述第一塑封層的上表面上，且與所述第一電連接結(jié)構(gòu)電連接；第二塑封層，位于所述第一塑封層的上表面上，且將所述第二電連接結(jié)構(gòu)塑封；所述第二塑封層在所述第一塑封層的上表面的正投影的邊緣均位于所述第一塑封層的上表面內(nèi)，且與所述第一塑封層的上表面的邊緣具有間距；第三電連接結(jié)構(gòu)，位于所述第二塑封層的上表面上，且與所述第二電連接結(jié)構(gòu)電連接；第三塑封層，位于所述第二塑封層的上表面上，且將所述第三電連接結(jié)構(gòu)塑封；所述第三塑封層在所述第二塑封層的上表面的正投影的邊緣均位于所述第二塑封層的上表面內(nèi)，且與所述第二塑封層的上表面的邊緣具有間距；頂層金屬線層，位于所述第三塑封層的上表面，且與所述第三電連接結(jié)構(gòu)電連接；焊球凸塊，位于所述重新布線層的下表面，且與所述重新布線層電連接。

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