恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司金吉松獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利圖形化方法及其形成的半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111952154B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910407360.6，技術領域涉及：H01L21/033；該發明授權圖形化方法及其形成的半導體器件是由金吉松;蔣斌杰;楊偉娜;龐軍玲設計研發完成，并于2019-05-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本圖形化方法及其形成的半導體器件在說明書摘要公布了：一種圖形化方法及其形成的半導體器件，方法包括：提供待刻蝕層；在所待刻蝕層上形成第一掩膜層；在所述第一掩膜層內形成多個相互分立且沿第一方向平行排布的第一槽；在所述第一槽內形成填充層，所述填充層填充滿第一槽；刻蝕去除部分第一掩膜層和部分填充層，在相鄰第一凹槽之間形成多個相互分立且沿第一方向平行排布的第二槽，所述第二槽暴露出填充層側壁；在所述第二槽側壁形成隔離側墻，使得所述第二槽形成為第二凹槽；去除填充層，在第一掩膜層內形成第一凹槽。所述圖形化方法的可靠性得到提高。
本發明授權圖形化方法及其形成的半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種圖形化方法，其特征在于，包括：提供待刻蝕層；在所待刻蝕層上形成第一掩膜層；在所述第一掩膜層內形成多個相互分立且沿第一方向平行排布的第一槽；在所述第一槽內形成填充層，所述填充層填充滿第一槽；刻蝕去除部分第一掩膜層和部分填充層，在相鄰第一槽之間形成多個相互分立且沿第一方向平行排布的第二槽，所述第二槽暴露出填充層側壁；在所述第二槽側壁形成隔離側墻，使得所述第二槽形成為第二凹槽；去除填充層，在第一掩膜層內形成第一凹槽，去除填充層時，刻蝕填充層的選擇比大于刻蝕隔離側墻和第一掩膜層的選擇比。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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