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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111952279B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910717464.7，技術領域涉及：H01L23/522；該發明授權半導體結構及其制造方法是由楊慶榮;陳憲偉;陳明發設計研發完成，并于2019-08-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制造方法在說明書摘要公布了：提供一種半導體結構及其制造方法。一種半導體結構包括第一半導體襯底、第一內連結構、第一導電墊、第一介電層及第一導電連接件。第一半導體襯底包括位于第一半導體襯底中的多個第一半導體裝置。第一內連結構設置在第一半導體襯底之上且電耦合到第一半導體裝置。第一導電墊設置在第一內連結構之上且電耦合到第一內連結構。第一介電層覆蓋第一導電墊及第一內連結構且第一介電層包括延伸穿過第一導電墊的一部分。第一導電連接件設置在第一內連結構上且電耦合到第一內連結構且第一導電連接件延伸穿過第一介電層的所述部分。

本發明授權半導體結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，包括：第一半導體襯底，包括位于所述第一半導體襯底中的多個第一半導體裝置；第一內連結構，設置在所述第一半導體襯底之上且電耦合到所述第一半導體裝置；第一導電墊，設置在所述第一內連結構之上且電耦合到所述第一內連結構；第一介電層，覆蓋所述第一導電墊及所述第一內連結構，所述第一介電層包括延伸穿過所述第一導電墊的一部分；第一導電連接件，設置在所述第一內連結構上且電耦合到所述第一內連結構，所述第一導電連接件延伸穿過所述第一介電層的所述部分；第二半導體襯底，包括位于所述第二半導體襯底中的多個第二半導體裝置；第二內連結構，設置在所述第二半導體襯底之上且電耦合到所述第二半導體裝置；第二導電墊，設置在所述第二內連結構之上且電耦合到所述第二內連結構；第二介電層，覆蓋所述第二導電墊及所述第二內連結構，所述第二介電層接合到所述第一介電層；以及第二導電連接件，設置在所述第二內連結構上且電耦合到所述第二內連結構，所述第二導電連接件接合到所述第一導電連接件且朝所述第二導電墊延伸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。