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龍圖騰網恭喜金華職業技術大學申請的專利一種高壓條件下的光譜測量裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109342334B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811476393.8，技術領域涉及：G01N21/25；該發明授權一種高壓條件下的光譜測量裝置是由李凡;張向平;方曉華;趙永建設計研發完成，并于2018-11-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高壓條件下的光譜測量裝置在說明書摘要公布了：本發明涉及材料研究領域，一種高壓條件下的光譜測量裝置，包括上壓力盤、下壓力盤、調平螺絲、壓力螺絲、頂砧限位螺絲、上支撐盤、下支撐盤、上頂砧、下頂砧、環形墊圈、壓力媒介、樣品、限位螺桿、光收集系統和激光器，能夠在高壓條件下研究樣品的光譜特性、盡可能抑制頂砧材料的信號，使得入射光和樣品表面的反射光分別通過頂砧的冠部斜切面進入和離開頂砧，入射光從金剛石頂砧的冠部斜切面入射，在樣品表面的入射角較大，從而能夠更好地將金剛石的散射光及熒光與樣品的散射光分離開來，壓力裝置無需導軌結構，避免了由于部件松弛而造成的壓力偏差，無需將激光聚焦到樣品上非常小的區域，能夠減少激光導致的樣品表面的局域熱量。

本發明授權一種高壓條件下的光譜測量裝置在權利要求書中公布了：1.一種高壓條件下的光譜測量裝置，包括上壓力盤1、下壓力盤2、調平螺絲3、壓力螺絲4、頂砧限位螺絲5、上支撐盤6、下支撐盤7、上頂砧8、下頂砧9、環形墊圈10、壓力媒介11、樣品12、限位螺桿13、光收集系統14和激光器15，xyz為三維空間坐標系，上頂砧8的底面向下，下頂砧9的底面向上，環形墊圈10位于上頂砧8的底面和下頂砧9的底面之間，環形墊圈10中具有壓力媒介11，樣品12位于壓力媒介11內，對樣品12施加高壓時，上頂砧8和下頂砧9相互靠近，并通過壓力媒介11將壓力施加到樣品12上，高壓范圍5GPa到30GPa，光收集系統14能夠收集的光對應的區域稱為光收集區域，其特征是：上壓力盤1和下壓力盤2均是外徑為十厘米的鋼制圓環形且具有彈性，上壓力盤1與下壓力盤2在豎直y方向同軸排列，上壓力盤1距中心為三厘米的圓周上具有三個均布的M5螺孔，上壓力盤1距中心為四厘米的圓周上具有三個均布的M4螺孔，每個所述M4螺孔的側面均具有限位螺桿13，下壓力盤2具有三個均布的M5螺孔、且與上壓力盤1的所述M5螺孔對應，下壓力盤2上面具有三個均布的圓錐形凹槽、且與上壓力盤1的所述M4螺孔對應，壓力螺絲4通過M5螺孔將下壓力盤2與上壓力盤1相連接，調平螺絲3的頂端為圓錐形，調平螺絲3通過上壓力盤1的M4螺孔、且頂端位于下壓力盤2的圓錐形凹槽內，在下壓力盤2的上表面距中心為二厘米的圓周上安裝有三個均布的頂砧限位螺絲5，上支撐盤6和下支撐盤7均是外徑為三厘米的碳化硅圓環，光收集系統14位于上支撐盤6中心的正上方，上支撐盤6嵌套于上壓力盤1內并連接固定，下支撐盤7嵌套于下壓力盤2內，下支撐盤7能夠通過三個頂砧限位螺絲5來微調，能夠改變下支撐盤7與下壓力盤2之間在水平面內的相對位置，上頂砧8和下頂砧9均采用金剛石標準切工加工而成、且具有臺面8-1、冠部8-2、腰面8-3、亭部8-4和底面8-5，冠部斜切面與臺面8-1的夾角為40度，上支撐盤6的內側下部具有與水平方向呈40度的斜切面，上支撐盤6的內側斜切面與上頂砧8的冠部斜切面接觸，下支撐盤7的內側上部具有與水平方向呈40度的斜切面，下支撐盤7的內側斜切面與下頂砧9的冠部斜切面接觸，激光器15發射的激光能夠以法向入射上頂砧8冠部斜切面，并依次通過上頂砧8和壓力媒介11入射到樣品12。

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