買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司申請的專利寬帶抗彎多模光纖獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111257994B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811457678.7，技術領域涉及：G02B6/028；該發明授權寬帶抗彎多模光纖是由蔣新力;沈一春;許維維;成煜;錢本華;王見青設計研發完成，并于2018-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本寬帶抗彎多模光纖在說明書摘要公布了：本發明提供一種寬帶抗彎多模光纖，包括芯層、基管、下陷包層及外包層，所述基管、下陷包層及外包層沿徑向的橫截面均為圓環，其特征在于：所述芯層中摻雜有GeO2，P2O5和F，所述芯層為折射率漸變區，所述芯層半徑為R1，所述基管套設于所述芯層外側，所述基管的寬度為R2?R1，所述下陷包層設置在所述基管的外側，所述下陷包層的寬度為R3?R2，所述外包層套設于所述下陷包層的外側，所述外包層的寬度為Rmax?R3，所述芯層中的P2O5和F的摩爾濃度隨所述芯層的半徑變化。本發明提供的寬帶抗彎多模光纖，降低了所制造的抗彎多模光纖的成本并且具有良好的抗彎性能。

本發明授權寬帶抗彎多模光纖在權利要求書中公布了：1.一種寬帶抗彎多模光纖，包括芯層、基管、下陷包層及外包層，所述基管、下陷包層及外包層沿徑向的橫截面均為圓環，其特征在于：所述芯層中摻雜有GeO2，P2O5和F，所述芯層為折射率漸變區，所述芯層半徑為R1，所述基管套設于所述芯層外側，所述芯層中心到所述基管邊界的距離為R2，所述基管的寬度為R2-R1，所述下陷包層設置在所述基管的外側，所述芯層中心到所述下陷包層邊界的距離為R3，所述下陷包層的寬度為R3-R2，所述外包層套設于所述下陷包層的外側，所述芯層中心到所述外包層邊界的距離為Rmax，所述外包層的寬度為Rmax-R3，所述芯層中的F的摩爾濃度隨所述芯層的半徑變化，滿足如下公式： 其中，MF0為所述芯層中心的F的摩爾濃度，βF的取值范圍為6-10，所述MFr表示所述F在所述芯層中心軸的徑向距離r處的摩爾濃度；所述芯層中的P2O5的摩爾濃度隨所述芯層的半徑變化，滿足如下公式： 其中，MP0為纖芯層中心P2O5的摩爾濃度，βp取值范圍為2.0-4.5，所述MPr表示所述P2O5在所述芯層中心軸的徑向距離r處的摩爾濃度；所述芯層中心摻雜有摩爾濃度為9.6%~10.8%的GeO2以及摩爾濃度為0.4%~1.5%的F和3.2%~3.5%的P2O5，所述漸變區的邊界摻雜有摩爾濃度為8%~9%的GeO2以及摩爾濃度為4.5%~5%的F和1.2%的P2O5。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司，其通訊地址為：226009 江蘇省南通市開發區中天路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。