恭喜華為技術有限公司樸善欽獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華為技術有限公司申請的專利集成電路器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112074930B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880092717.X，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權集成電路器件及其制備方法是由樸善欽;馬小龍;劉燕翔;汪大祥;陳贊鋒;夏禹;陳華彬;周永杰設計研發完成，并于2018-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成電路器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種集成電路器件及其制備方法，涉及半導體技術領域，通過簡單的工藝便可形成對相鄰兩個晶體管漏電流通路抑制的隔離段。該集成電路器件，包括：襯底以及凸出于所述襯底上的鰭片，所述集成電路器件還包括兩個相鄰的晶體管，所述兩個相鄰的晶體管將所述鰭片上間隔的兩段部分作為各自的溝道；其中，所述鰭片的位于所述間隔的兩段部分之間的一部分被加工得到隔離段，所述隔離段用于抑制所述兩個相鄰的晶體管的兩個溝道間的電流傳遞。
本發明授權集成電路器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種集成電路器件，其特征在于，包括：襯底以及凸出于所述襯底上的鰭片，所述集成電路器件還包括兩個相鄰的晶體管，所述兩個相鄰的晶體管將所述鰭片上間隔的兩段部分作為各自的溝道；其中，所述鰭片的位于所述間隔的兩段部分之間的一部分被加工得到隔離段，所述隔離段用于抑制所述兩個相鄰的晶體管的兩個溝道間的電流傳遞；所述鰭片包括第一半導體層，所述隔離段是對所述鰭片的位于所述間隔的兩段部分之間的所述第一半導體層進行惰性原子摻雜，使得所述第一半導體層的一部分絕緣化得到的；其中，所述惰性原子在所述鰭片的硅晶格中不會發生電離。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華為技術有限公司，其通訊地址為：518129 廣東省深圳市龍崗區坂田華為總部辦公樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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