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龍圖騰網(wǎng)恭喜德克薩斯儀器股份有限公司申請的專利用于封裝的垂直半導(dǎo)體器件的圖案化管芯焊盤獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110459484B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910374896.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/60；該發(fā)明授權(quán)用于封裝的垂直半導(dǎo)體器件的圖案化管芯焊盤是由S·P·古魯姆;M·J·普拉庫希設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-05-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于封裝的垂直半導(dǎo)體器件的圖案化管芯焊盤在說明書摘要公布了：本申請涉及用于封裝的垂直半導(dǎo)體器件的圖案化管芯焊盤，并公開一種用于形成封裝的半導(dǎo)體器件100的半導(dǎo)體器件封裝的方法，該方法包括提供i垂直功率半導(dǎo)體器件管芯120和ii引線框架，該垂直功率半導(dǎo)體器件管芯120包括半導(dǎo)體襯底105，包括控制節(jié)點(diǎn)、在襯底的頂側(cè)上或底側(cè)上的源極或發(fā)射極、以及在頂側(cè)和底側(cè)中的另一個(gè)上的漏極或集電極、在底側(cè)上的背側(cè)金屬BSM層111。引線框架包括圖案化管芯焊盤140，該圖案化管芯焊盤140包括公共連續(xù)基部140a和從基部向上延伸的間隔開的柱141a、141b、141c、141d的二維陣列140b，在柱的頂部上具有單獨(dú)的焊帽146a、146b、146c、146d。BSM層放置在焊帽上，并且回流處理將BSM層接合到焊帽。

本發(fā)明授權(quán)用于封裝的垂直半導(dǎo)體器件的圖案化管芯焊盤在權(quán)利要求書中公布了：1.一種封裝垂直功率半導(dǎo)體器件的方法，包括：提供i垂直功率半導(dǎo)體器件管芯和ii引線框架，所述垂直功率半導(dǎo)體器件管芯包括半導(dǎo)體襯底，其包括控制節(jié)點(diǎn)、在所述襯底的頂側(cè)上或底側(cè)上的源極或發(fā)射極，以及在所述頂側(cè)和所述底側(cè)中的另一個(gè)上的漏極或集電極、在所述底側(cè)上的背側(cè)金屬層即BSM層，所述引線框架包括圖案化管芯焊盤，所述圖案化管芯焊盤包括公共連續(xù)基部和從所述基部向上延伸的間隔開的柱的二維陣列，在所述柱的頂部上具有單獨(dú)的焊帽；將所述BSM層放置在所述焊帽上；以及回流處理以將所述BSM層接合到所述焊帽。

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