恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司余德偉獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利用于半導體工藝的方法與半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110556339B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910085479.6，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權用于半導體工藝的方法與半導體裝置是由余德偉;陳建豪;梁品筑;楊儀辰設計研發完成，并于2019-01-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于半導體工藝的方法與半導體裝置在說明書摘要公布了：一種用于半導體工藝的方法，此處所述的實施例一般關于形成柵極層于高深寬比的溝槽中的方法，其采用循環沉積?處理工藝。在一實施例中，方法包括對具有至少一結構的基板表面進行膜沉積工藝以形成順應膜，且順應膜形成于結構的下表面上并沿著結構的多個側壁表面；對基板表面進行處理工藝，以形成個別的鹵素表面層或個別的鹵素封端層于側壁表面的個別上側部分上的順應膜上；以及按序重復進行膜沉積工藝與處理工藝，以將順應膜填入結構。
本發明授權用于半導體工藝的方法與半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種用于半導體工藝的方法，包括：形成多個鰭狀物于一基板上，且所述多個鰭狀物的多個側壁與一下表面定義所述多個鰭狀物之間的一溝槽；將一柵極層填入該溝槽，包括在一工藝腔室中的該基板上進行一循環的沉積-處理工藝，且該循環的沉積-處理工藝包括：形成該柵極層的第一部分于該溝槽中，且該柵極層的第一部分沿著所述多個鰭狀物的所述多個側壁；形成個別的多個鈍化層于所述多個鰭狀物的個別頂部的該柵極層的第一部分上；以及形成該柵極層的第二部分于所述多個鈍化層未覆蓋的該柵極層的第一部分上；以及在將該柵極層填入該溝槽之后，圖案化該柵極層以形成一柵極結構于所述多個鰭狀物上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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