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當(dāng)前位置 : 首頁 > 專利喜報 > 恭喜東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司張建獲國家專利權(quán)

恭喜東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司張建獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司申請的專利去除晶圓表面雜質(zhì)的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114284130B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202011029784.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/02;該發(fā)明授權(quán)去除晶圓表面雜質(zhì)的方法是由張建設(shè)計研發(fā)完成,并于2020-09-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

去除晶圓表面雜質(zhì)的方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種去除晶圓表面雜質(zhì)的方法,包括:采用堿溶液對晶圓進(jìn)行清洗;采用乙醇溶液對所述晶圓進(jìn)行清洗;將所述晶圓置于真空室中,對所述晶圓進(jìn)行加熱。采用本發(fā)明實施例,能夠有效去除晶圓表面殘留的氟離子雜質(zhì),從而提高了晶圓的良率。

本發(fā)明授權(quán)去除晶圓表面雜質(zhì)的方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種去除晶圓表面雜質(zhì)的方法,其特征在于,包括:采用堿溶液對晶圓進(jìn)行清洗,用于去除直徑10-15納米的氟離子塵埃;采用乙醇溶液對所述晶圓進(jìn)行清洗,用于去除直徑5-10納米的氟離子塵埃;將所述晶圓置于真空室中,對所述晶圓進(jìn)行加熱,用于去除0.5-5納米的氟離子塵埃。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司,其通訊地址為:523087 廣東省東莞市南城區(qū)宏遠(yuǎn)工業(yè)區(qū);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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