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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
  • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種聲學(xué)諧振器及其制備方法、濾波器。該聲學(xué)諧振器包括由下至上依次設(shè)置的支撐襯底、壓電薄膜層和叉指電極結(jié)構(gòu)，支撐襯底內(nèi)設(shè)有多邊形空腔；支撐襯底為{111}單晶硅襯底；多邊形空腔的周面包括硅<110>...
  • 本發(fā)明涉及聲表面波技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及尤其涉及一種可編程的多頻聲表面波器件及其調(diào)控方法、制備方法，所述多頻聲表面波器件包括：控制電路和多個(gè)啁啾叉指電極單元，且啁啾叉指電極單元陣列分布；所述控制電路包括信號(hào)源和多個(gè)控制開關(guān)，控制開關(guān)與啁啾叉指電...
  • 本公開涉及一種體聲波BAW諧振器，其包含底部電極(56)、頂部電極(60)和壓電層(58)，所述壓電層夾在所述底部電極與所述頂部電極之間。在本文中，所述BAW諧振器的有源區(qū)被劃分成中心區(qū)(82)、凹入邊界BO區(qū)(92)和質(zhì)量負(fù)載BO區(qū)(94...
  • 本發(fā)明公開一種諧振器的制造方法及諧振器，包括：依次層疊制作第一電極層、壓電層以及第二電極層；制作貫通第二電極層的第一孔并得到多個(gè)第二電極，壓電層的部分表面于第一孔露出；壓電層露出的表面上制作通槽并得到多個(gè)壓電體，通槽位于兩個(gè)第二電極之間；制...
  • 提供一種高電壓驅(qū)動(dòng)器，該高電壓驅(qū)動(dòng)器包括串聯(lián)布置在供電節(jié)點(diǎn)與輸出節(jié)點(diǎn)之間的晶體管的PMOS堆疊。該高電壓驅(qū)動(dòng)器還包括布置在該輸出節(jié)點(diǎn)與地之間的晶體管的NMOS堆疊。
  • 振動(dòng)器件以及振動(dòng)器件的制造方法，能夠提高可靠性。振動(dòng)器件具有：基座(10)，其包括：半導(dǎo)體基板(11)，其具有第一面(11a)以及第二面(11b)，在第一面(11a)形成有電路元件；絕緣層(12)，其配置在第一面(11a)側(cè)；和焊盤電極(1...
  • 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種大動(dòng)態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器，包括偏置電壓、晶體管M1?M5、電阻R1?R4、電感L1?L2、兩個(gè)電流控制陣列、兩個(gè)相位補(bǔ)償陣列，其中晶體管M1和晶體管M2組成共源極差分對(duì)管，電阻R1與...
  • 本公開實(shí)施例提供一種可變?cè)鲆娣糯笃骱蜕漕l前端，可變?cè)鲆娣糯笃靼ǎ嚎勺冊(cè)鲆婺K和補(bǔ)償模塊；可變?cè)鲆婺K包括主晶體管對(duì)和交叉耦合晶體管對(duì)；補(bǔ)償模塊包括關(guān)斷的第一晶體管和關(guān)斷的第二晶體管；其中，當(dāng)可變?cè)鲆婺K的衰減態(tài)的相位滯后于參考態(tài)的相位時(shí)，...
  • 本申請(qǐng)公開了一種電平轉(zhuǎn)換電路和驅(qū)動(dòng)電路。該電路包括：脈沖調(diào)制產(chǎn)生器、開關(guān)元件和脈沖調(diào)制解調(diào)器。脈沖調(diào)制產(chǎn)生器用于接收控制信號(hào)并根據(jù)控制信號(hào)的上升沿產(chǎn)生第一脈沖調(diào)制信號(hào)，以及根據(jù)控制信號(hào)的下降沿產(chǎn)生第二脈沖調(diào)制信號(hào)。開關(guān)元件連接脈沖調(diào)制產(chǎn)生器...
  • 一種示例裝置包括相位檢測(cè)器和相位誤差檢測(cè)器。該相位檢測(cè)器可設(shè)定狀態(tài)信號(hào)以指示參考時(shí)鐘與反饋時(shí)鐘之間的相位差的狀態(tài)，該反饋時(shí)鐘由時(shí)鐘跟蹤電路生成以跟蹤該參考時(shí)鐘。該相位誤差檢測(cè)器可將誤差信號(hào)設(shè)定成與該參考時(shí)鐘與該反饋時(shí)鐘之間的相位差成比例。該...
  • 本發(fā)明提供了一種自適應(yīng)調(diào)相功能的放大電路和參考頻率源。自適應(yīng)調(diào)相功能的放大電路包括：第一支路，用于對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大后產(chǎn)生第一電壓；第二支路，用于對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大后產(chǎn)生第二電壓，第二電壓與輸入信號(hào)相位同步；移相器，包括第一電容和晶體管，第...
  • 本發(fā)明提供一種全石英封裝的表貼晶振及其形成方法，該表貼晶振包括：底板、蓋板和晶圓，晶圓設(shè)置在底板和蓋板之間，其中，底板、蓋板和晶圓均由石英材料制成并且晶圓的正反兩面的電極區(qū)通過側(cè)面電極相互連接；表貼晶振的形成方法包括：用石英材料制作底板、蓋...
  • 本申請(qǐng)涉及一種高滾降系數(shù)的抗混疊濾波器及測(cè)試機(jī)，該濾波器包括：第一級(jí)運(yùn)放模塊，接入第一模擬信號(hào)，對(duì)第一模擬信號(hào)進(jìn)行放大后輸出；阻抗變換濾波模塊，連接第一級(jí)運(yùn)放模塊，對(duì)第一級(jí)運(yùn)放模塊輸出的信號(hào)進(jìn)行阻抗變換和濾波后輸出；第二級(jí)運(yùn)放模塊，連接阻抗...
  • 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種功分器電路、功分器及功分器電路的設(shè)計(jì)方法。所述功分器電路包括：至少兩個(gè)傳輸線支路；所述至少兩個(gè)傳輸線支路的第一端與所述功分器電路的輸入端電連接，各所述傳輸線支路的第二端與所述功分器電路的至少兩個(gè)輸出端一一對(duì)應(yīng)電連接；至...
  • 本發(fā)明涉及聲表面波濾波器技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種低頻小損耗聲表面波濾波器及電子設(shè)備。低頻小損耗聲表面波濾波器采用瑞利波波動(dòng)模式的三換能器直線型結(jié)構(gòu)，包括在基片上制作的中間換能器和位于中間換能器兩端的兩端換能器，所述中間換能器采用變跡加權(quán)換能器，...
  • 本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)和信號(hào)處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種可編程智能電源濾波器，中央處理單元分別與信號(hào)單元、采集單元、存儲(chǔ)單元、編碼控制單元連接，中央處理單元分別連接有第二切換開關(guān)Ⅰ、第二切換開關(guān)Ⅱ，電源單元通過第一切換開關(guān)與電源濾波電路連接，電源單元...
  • 本發(fā)明公開一種時(shí)鐘與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路的自適應(yīng)方法和裝置，涉及通訊技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟，通過判斷出發(fā)送時(shí)鐘與接收時(shí)鐘之間的相位偏差和頻率偏差，通過將相位誤差信號(hào)傳輸至環(huán)路濾波器，分析環(huán)路濾波器的頻率響應(yīng)，確定參數(shù)調(diào)整的范圍和相對(duì)關(guān)系，實(shí)時(shí)計(jì)算環(huán)...
  • 本公開提供一種無參考時(shí)鐘型時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)裝置及其時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)方法，涉及電子技術(shù)領(lǐng)域。無參考時(shí)鐘型時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)裝置包括：線性鑒相器，用于對(duì)接收的四電平脈沖幅度調(diào)制數(shù)據(jù)進(jìn)行鑒相處理輸出鑒相信號(hào)電壓；鑒頻器，用于對(duì)接收的鑒相電壓信號(hào)進(jìn)行鑒頻處理輸出...
  • 一種濾波器裝置，其具備包含被層疊的多個(gè)電介質(zhì)層的層疊體和使用與層疊體一體化的導(dǎo)體而構(gòu)成的諧振器。多個(gè)電介質(zhì)層分別由電介質(zhì)材料構(gòu)成，具有依賴于溫度而變化的共振頻率。在溫度處于第一溫度范圍內(nèi)時(shí)，電介質(zhì)材料使共振頻率相對(duì)于溫度的變化而線形性地變化...
  • 本發(fā)明公開一種超寬帶6位低衰減幅度誤差低相位變化的數(shù)控衰減器，所述數(shù)字衰減器由0.5dB、1dB、2dB、4dB、8dB和16dB六個(gè)衰減單元組成；按照衰減量為0.5dB、4dB、16dB、8dB、2dB、1dB級(jí)聯(lián)，其中衰減量為0.5dB...
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