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電子電路裝置的制造及其應用技術
  • 提供了一種聲學諧振器,該聲學諧振器包括位于至少一個壓電層的表面處的叉指換能器(IDT),該IDT包括分別從第一母線和第二母線延伸的交錯IDT指狀物。此外,優化IDT指狀物的厚度與至少一個壓電層的厚度之比,以最小化不想要的雜散。還可以優化ID...
  • 本申請提供一種聲表面波器件、濾波器和射頻前端模組,聲表面波器件包括壓電基底和叉指換能器,叉指換能器包括電極單元和兩個沿第一方向間隔排列的匯流條;電極單元包括第一連接條和兩個諧振單元,兩個諧振單元沿第一方向排列設置,兩個諧振單元通過同一個連接...
  • 本發明涉及電子元器件領域,公開了一種耐高溫高精度石英晶體諧振器。所述耐高溫高精度石英晶體諧振器包括基座、耐高溫石英晶體振子、耐高溫導電膠和密封蓋片。其中,所述耐高溫石英晶體振子具有在超寬工作范圍內保持高精度的工作特性,所述耐高溫導電膠將耐高...
  • 本申請公開了一種采用立體電感結構的半導體射頻濾波器及其制作方法。涉及濾波技術領域。其中,半導體射頻濾波器包括作為載體的第一襯底、位于第一襯底上的體聲波諧振器以及立體電感結構,立體電感結構包括第二襯底和布置于第二襯底內的立體電感,并且第二襯底...
  • 本申請涉及一種彈性波器件及其使用彈性波器件的模塊,該彈性波器件具備支撐基板;介質層,介質層形成于所述支撐基板上;絕緣層,絕緣層形成于所述介質層上;壓電層,壓電層形成于所述絕緣層上;諧振器,諧振器包括IDT電極,且形成于所述壓電層上;其中,介...
  • 一種體聲波(BAW)器件包括層堆疊(102),層堆疊包括第一電極(104A)和第二電極(104B),電極之間的第一壓電層(106A),以及第一壓電層與第二電極之間的第二壓電層(106B)。第二壓電層的晶體結構的極化(P2)與第一壓電層的晶體...
  • 本申請公開了一種聲表面波諧振器及其制備方法、濾波器及電子設備,涉及射頻技術領域,該聲表面波諧振器中其電極指包括第一金屬層和第二金屬層,第二金屬層包括沿背離第一金屬層的方向層疊的第一子金屬層至第五子金屬層,其中,第三子金屬層為Ti金屬層,第四...
  • 本發明提供一種彈性波裝置以及多工器。濾波器具備具有壓電性基板和IDT電極的彈性波諧振子,壓電性基板具有壓電層、低聲速層和高聲速層,IDT電極的交叉區域具有中央區域和邊緣區域,IDT電極具有配置在邊緣區域內的質量附加膜,IDT電極的占空比D以...
  • 本申請涉及一種彈性波裝置和濾波器。彈性波裝置包括壓電基板和設于壓電基板上的第一匯流條、第二匯流條、多個電極指和絕緣層,絕緣層位于第一匯流條和第二匯流條之間,多個電極指位于第一匯流條和第二匯流條之間,多個電極指沿第一匯流條的延伸方向間隔排列,...
  • 本申請公開了一種聲表面波諧振器、濾波器和電子設備,涉及射頻技術領域,包括:襯底;位于所述襯底一側的疊層結構,所述疊層結構包括至少兩層二氧化硅層以及位于相鄰兩層二氧化硅層之間的高聲速層,任意相鄰兩層二氧化硅層的密度不同,且位于該相鄰兩層二氧化...
  • 本公開的各方面涉及在堆疊式電聲設備中實現體波抑制的設備、無線通信裝置、方法和電路。一個方面包括:第一基板(420),該第一基板包括第一表面和第二表面,其中該第二表面與該第一表面相對;第一AW諧振器電路(450),該第一AW諧振器電路定位在該...
  • 本申請揭示了一種上變頻器,包括:腔體,所述腔體的第一側設置有第一射頻連接器和第二射頻連接器,所述腔體的第二側設置有第三射頻連接器和第四射頻連接器,所述腔體內設置有第一電路板,所述第一電路板上設置有上變頻電路,所述上變頻電路包括預處理模塊、第...
  • 本申請提供了一種濾波器封裝方法及濾波器,涉及封裝技術領域。本申請在進行濾波器的封裝時,并非是在濾波器晶圓本身進行作業,而是在玻璃蓋板上進行作業,這使得本申請可在將多顆濾波器芯片倒貼于玻璃蓋板上之前,先分別對多片濾波器晶圓進行裁切得到多顆濾波...
  • 本發明公開了一種相位噪聲可調的晶體三極管寬動態輸出放大電路,包括有三極管集電極放大窄帶帶通電路和三極管射極跟隨驅動電路;三極管集電極放大窄帶帶通電路包括有輸入匹配單元、三極管放大單元和第一LC諧振單元;三極管射極跟隨驅動電路包括有三極管射隨...
  • 本申請提供一種智能電子開關、集成電路芯片、芯片產品和汽車,智能電子開關能夠工作在不同的工作模式,并根據其所處的工作模式,控制內部功能電路的工作狀態,例如,智能電子開關可以包括控制電路和保護電路,這樣在正常工作模式,控制電路控制保護電路工作在...
  • 本發明實施例提供一種鎖相環電路及其設置方法、通信設備,鎖相環電路包括鎖相環主體電路以及相位溫度補償電路,可根據鎖相環主體電路隨溫度變化所產生的相位偏移,設置相位溫度補償電路的至少一個相位延時單元接入鎖相環主體電路,利用接入相位溫度補償電路的...
  • 本發明適用于無線通訊技術領域,尤其涉及一種低噪聲放大器及射頻芯片。所述低噪聲放大器包括輸入匹配電路、偏置電路、放大電路、輸出匹配電路、衰減器以及防失真增益抑制電路。與現有技術相比,本發明通過在放大電路的第一MOS管和第二MOS管的連接處,添...
  • 本發明提供一種USB TYPE?C接口下拉電阻控制電路,其包括下拉電阻模塊,用于提供TYPE?C接口的下拉電阻;下拉電阻控制邏輯模塊,用于在Sink端未通電時控制下拉電阻模塊開啟,以及在Sink端通電時根據控制指令控制下拉電阻模塊的開啟或關...
  • 本發明公開了一種音頻設備及其放大器供電電壓的控制方法,該方法包括如下步驟:S110,所述音頻設備的處理單元檢測所述數字音頻信號的幅度,并獲取所述音頻設備的音質參數;S120,所述處理單元根據所述幅度和音質參數計算所述音頻設備的音頻功率放大器...
  • 本發明涉及電子元器件領域,公開了一種耐高溫高精度石英晶體諧振器的制作方法。耐高溫高精度石英晶體諧振器的制作方法包括以下階段:耐高溫石英晶片的制作;耐高溫石英晶體振子的制作;耐高溫高精度石英晶體諧振器的組裝;耐高溫高精度石英晶體諧振器的鈍化。...
技術分類
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