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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
  • 本實(shí)用新型涉及一種超薄型低溫度遲滯熱敏晶體諧振器,包括基座以及安裝固定在基座上的上蓋,所述的基座由熱敏電阻組件和陶瓷墻壁上下堆疊而成,所述的熱敏電阻組件包括熱敏電阻以及包裹在熱敏電阻外的陶瓷區(qū)塊,所述的陶瓷區(qū)塊上表面與陶瓷墻壁以及上蓋共同組...
  • 本發(fā)明提供了一種表面聲波裝置及其制造方法。所述表面聲波裝置包括:半導(dǎo)體支撐基板;在支撐基板表面形成的改性基板表面層;在改性基板表面層上形成的低聲速層;在低聲速層上形成的壓電層;以及在壓電層上配置的多個(gè)I DT電極,其中,改性基板表面層一側(cè)的...
  • 本實(shí)用新型的一種大功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)功率放大器,輸入阻抗網(wǎng)絡(luò)采用兩級(jí)同軸巴倫阻抗,第一級(jí)把輸入阻抗轉(zhuǎn)化為平衡的25歐,第二級(jí)再將阻抗轉(zhuǎn)化為6.25歐。輸出阻抗網(wǎng)絡(luò)同樣設(shè)置兩級(jí)巴倫阻抗,第一級(jí)把輸入阻抗轉(zhuǎn)化為平衡的25歐,第二級(jí)再將阻抗轉(zhuǎn)化為非平...
  • 本發(fā)明涉及一種用于低抖動(dòng)應(yīng)用的高頻晶片及其制造方法,該晶片包括:諧振區(qū),設(shè)置在晶片的第一邊角位置;電極,設(shè)置在諧振區(qū)的無(wú)約束的邊角位置;通透區(qū),設(shè)置在晶片的與諧振區(qū)對(duì)稱的第二邊角位置;以及鍍膜區(qū),設(shè)置在諧振區(qū)的邊界之外;其中,第一邊角位置、...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種諧振器及濾波器、通信設(shè)備,用于改善諧振器與其他器件配合時(shí),在電路基板的版圖上占用面積大的問(wèn)題。諧振器包括:基板和諧振層。諧振層位于基板的一側(cè),諧振層包括層疊設(shè)置的第一電極、第二電極和壓電層,壓電層位于第一電極與第二電極之...
  • 本發(fā)明公開了一種頻率穩(wěn)定的晶振體結(jié)構(gòu)及其封裝方法,包括以下步驟:諧振器包封步驟:提供一基板,在基板上對(duì)應(yīng)位置均勻倒置多個(gè)諧振器,包封并研磨暴露出諧振器底面,諧振器底面的電極墊亦暴露出來(lái);第一次布線步驟:在包封料上電鍍立柱,立柱與諧振器的電極...
  • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種聲學(xué)諧振器及其制備方法、濾波器。該聲學(xué)諧振器包括由下至上依次設(shè)置的支撐襯底、壓電薄膜層和叉指電極結(jié)構(gòu),支撐襯底內(nèi)設(shè)有多邊形空腔;支撐襯底為{111}單晶硅襯底;多邊形空腔的周面包括硅<110>...
  • 本發(fā)明涉及聲表面波技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及尤其涉及一種可編程的多頻聲表面波器件及其調(diào)控方法、制備方法,所述多頻聲表面波器件包括:控制電路和多個(gè)啁啾叉指電極單元,且啁啾叉指電極單元陣列分布;所述控制電路包括信號(hào)源和多個(gè)控制開關(guān),控制開關(guān)與啁啾叉指電...
  • 本公開涉及一種體聲波BAW諧振器,其包含底部電極(56)、頂部電極(60)和壓電層(58),所述壓電層夾在所述底部電極與所述頂部電極之間。在本文中,所述BAW諧振器的有源區(qū)被劃分成中心區(qū)(82)、凹入邊界BO區(qū)(92)和質(zhì)量負(fù)載BO區(qū)(94...
  • 本發(fā)明公開一種諧振器的制造方法及諧振器,包括:依次層疊制作第一電極層、壓電層以及第二電極層;制作貫通第二電極層的第一孔并得到多個(gè)第二電極,壓電層的部分表面于第一孔露出;壓電層露出的表面上制作通槽并得到多個(gè)壓電體,通槽位于兩個(gè)第二電極之間;制...
  • 提供一種高電壓驅(qū)動(dòng)器,該高電壓驅(qū)動(dòng)器包括串聯(lián)布置在供電節(jié)點(diǎn)與輸出節(jié)點(diǎn)之間的晶體管的PMOS堆疊。該高電壓驅(qū)動(dòng)器還包括布置在該輸出節(jié)點(diǎn)與地之間的晶體管的NMOS堆疊。
  • 振動(dòng)器件以及振動(dòng)器件的制造方法,能夠提高可靠性。振動(dòng)器件具有:基座(10),其包括:半導(dǎo)體基板(11),其具有第一面(11a)以及第二面(11b),在第一面(11a)形成有電路元件;絕緣層(12),其配置在第一面(11a)側(cè);和焊盤電極(1...
  • 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體涉及一種大動(dòng)態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器,包括偏置電壓、晶體管M1?M5、電阻R1?R4、電感L1?L2、兩個(gè)電流控制陣列、兩個(gè)相位補(bǔ)償陣列,其中晶體管M1和晶體管M2組成共源極差分對(duì)管,電阻R1與...
  • 本公開實(shí)施例提供一種可變?cè)鲆娣糯笃骱蜕漕l前端,可變?cè)鲆娣糯笃靼ǎ嚎勺冊(cè)鲆婺K和補(bǔ)償模塊;可變?cè)鲆婺K包括主晶體管對(duì)和交叉耦合晶體管對(duì);補(bǔ)償模塊包括關(guān)斷的第一晶體管和關(guān)斷的第二晶體管;其中,當(dāng)可變?cè)鲆婺K的衰減態(tài)的相位滯后于參考態(tài)的相位時(shí),...
  • 本申請(qǐng)公開了一種電平轉(zhuǎn)換電路和驅(qū)動(dòng)電路。該電路包括:脈沖調(diào)制產(chǎn)生器、開關(guān)元件和脈沖調(diào)制解調(diào)器。脈沖調(diào)制產(chǎn)生器用于接收控制信號(hào)并根據(jù)控制信號(hào)的上升沿產(chǎn)生第一脈沖調(diào)制信號(hào),以及根據(jù)控制信號(hào)的下降沿產(chǎn)生第二脈沖調(diào)制信號(hào)。開關(guān)元件連接脈沖調(diào)制產(chǎn)生器...
  • 一種示例裝置包括相位檢測(cè)器和相位誤差檢測(cè)器。該相位檢測(cè)器可設(shè)定狀態(tài)信號(hào)以指示參考時(shí)鐘與反饋時(shí)鐘之間的相位差的狀態(tài),該反饋時(shí)鐘由時(shí)鐘跟蹤電路生成以跟蹤該參考時(shí)鐘。該相位誤差檢測(cè)器可將誤差信號(hào)設(shè)定成與該參考時(shí)鐘與該反饋時(shí)鐘之間的相位差成比例。該...
  • 本發(fā)明提供了一種自適應(yīng)調(diào)相功能的放大電路和參考頻率源。自適應(yīng)調(diào)相功能的放大電路包括:第一支路,用于對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大后產(chǎn)生第一電壓;第二支路,用于對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大后產(chǎn)生第二電壓,第二電壓與輸入信號(hào)相位同步;移相器,包括第一電容和晶體管,第...
  • 本發(fā)明提供一種全石英封裝的表貼晶振及其形成方法,該表貼晶振包括:底板、蓋板和晶圓,晶圓設(shè)置在底板和蓋板之間,其中,底板、蓋板和晶圓均由石英材料制成并且晶圓的正反兩面的電極區(qū)通過(guò)側(cè)面電極相互連接;表貼晶振的形成方法包括:用石英材料制作底板、蓋...
  • 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種功分器電路、功分器及功分器電路的設(shè)計(jì)方法。所述功分器電路包括:至少兩個(gè)傳輸線支路;所述至少兩個(gè)傳輸線支路的第一端與所述功分器電路的輸入端電連接,各所述傳輸線支路的第二端與所述功分器電路的至少兩個(gè)輸出端一一對(duì)應(yīng)電連接;至...
  • 本申請(qǐng)涉及一種高滾降系數(shù)的抗混疊濾波器及測(cè)試機(jī),該濾波器包括:第一級(jí)運(yùn)放模塊,接入第一模擬信號(hào),對(duì)第一模擬信號(hào)進(jìn)行放大后輸出;阻抗變換濾波模塊,連接第一級(jí)運(yùn)放模塊,對(duì)第一級(jí)運(yùn)放模塊輸出的信號(hào)進(jìn)行阻抗變換和濾波后輸出;第二級(jí)運(yùn)放模塊,連接阻抗...
技術(shù)分類
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