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信息存儲應用技術
  • 本公開提出一種自參考PUF器件、讀寫電路及讀寫電路陣列，所述PUF器件包括：中間磁隧道結MTJ，以及分別位于所述中間MTJ兩側的第一MTJ和第二MTJ；所述第一MTJ和所述第二MTJ分別與所述中間MTJ之間存在空隙，所述第一MTJ、所述中間...
  • 本發明公開了一種嵌入式動態隨機存儲系統，新能源汽車技術領域，包括方位指定模塊、數據分析模塊和存儲模塊，所述方位指定模塊包括嵌入格區域定位單元、嵌入格數據獨立存儲單元和嵌入格數據傳輸單元，所述嵌入格區域定位單元包括嵌入格與動態存儲器連接監測組...
  • 本發明公開了一種提取半導體器件界面態密度的方法、電子設備和存儲介質，其中，提取半導體器件界面態密度的方法包括：根據半導體器件的柵漏轉移特性獲得柵極電壓對應的漏極電流；根據所述漏極電流獲得所述半導體器件導電溝道處的表面勢；根據所述柵極電壓獲得...
  • 本發明公開了一種寫入輔助電路，包括：延遲電路，具有第一和第二輸出端，分別輸出第一和第二延遲信號；負壓產生模塊，第二延遲信號用于為負壓產生模塊提供正輸入電壓，第一延遲信號為負壓產生模塊提供控制信號；在第一延遲信號的控制下，負壓產生模塊將第二延...
  • 本申請提供一種芯片的測試方法和測試裝置，涉及芯片技術領域，改善了芯片采用的保護措施存在保護不足或過度保護等問題。具體方案為：基于芯片的每個功能模塊的邏輯單元的數量和邏輯單元的單粒子特征，得到每個功能模塊的單粒子功能中斷發生次數，基于多個功能...
  • 本申請提供了一種存儲器及其制造方法、讀寫方法、電子設備。本申請的存儲器包括襯底和存儲單元，所述存儲單元包括沿遠離所述襯底的方向依次設置的讀晶體管和寫晶體管；所述讀晶體管包括第一柵極、環繞所述第一柵極的側壁的第一溝道以及與所述第一溝道分別連接...
  • 本公開的一些實施例涉及一種具有按需帶寬提升的低功率存儲器。在具有命令/地址接口、定時接口和數據接口的存儲器部件中，命令/地址接口在第一間隔期間從控制部件接收第一命令/地址值，并且在第二間隔期間從控制部件接收第二命令/地址值。定時接口在第一間...
  • 本發明提供了一種全水泥基型超級電容器及其制備方法，涉及超級電容器技術領域。全水泥基型超級電容器包括第一水泥基電極、第二水泥基電極、介于第一水泥基電極和第二水泥基電極之間的發泡水泥隔離層。本發明構建了一種水泥基電極以及水泥基隔膜的全水泥型超級...
  • 一種記憶體裝置及操作記憶體的方法，操作記憶體的方法包括：提供多個MRAM單元，及將所述多個MRAM單元分割成多個群組，所述多個群組包括一第一群組及一第二群組。將該第一群組的一第一MRAM單元自一第一狀態寫入至一第二狀態，且將該第二群組的一第...
  • 存儲器裝置中的控制邏輯致使通過電壓被施加到所述存儲器裝置的存儲器陣列的塊的多條字線，所述塊包括多個子塊，且所述通過電壓將所述多個子塊中的每一者的溝道電位升壓到升壓電壓。所述控制邏輯進一步根據表示待編程到所述多個子塊的相應存儲器單元的位序列的...
  • 本公開涉及一種半導體存儲器件和操作半導體存儲器件的方法。所述半導體存儲器件包括存儲單元陣列、糾錯碼(ECC)引擎、刷新控制電路和控制邏輯電路。所述存儲單元陣列包括存儲單元行。所述刷新控制電路對所述存儲單元行執行刷新操作。所述控制邏輯電路控制...
  • 本發明的實施方式的存儲器系統包含存儲器器件與存儲器控制器。存儲器器件包含多個存儲單元。存儲器控制器構成為基于與多個存儲單元各自的閾值電壓分布的梯度有關的信息決定第1電壓，執行跟蹤動作。存儲器控制器在跟蹤動作中，以多個存儲單元為對象，使存儲器...
  • 本發明公開了一種存儲陣列結構及其喚醒方法，所述存儲陣列結構包括：多個存儲單元，所述多個存儲單元呈多行多列排布，其中，每個所述存儲單元均包括選擇開關晶體管和鐵電電容；位于同一行的多個所述存儲單元的選擇開關晶體管的柵極與同一字線電連接，位于同一...
  • 本發明公開一種NAND FLASH編程電壓的控制方法、裝置和存儲介質，方法包括：根據NAND FLASH編程指令獲取預設上升電壓譯碼；接收電荷泵根據預設上升電壓譯碼產生的上升階梯電壓；根據上升階梯電壓將NAND FLASH的初始電壓階梯提升...
  • 本發明獲得了一種由雙MOF衍生的Ni2Zn6O4/NiCoP復合材料，其目的是要解決現有方法制備的過渡金屬氧化物電容量較低的問題。為制備具有高電導率、高能量密度的新型復合電極...
  • 本公開提供了一種存儲器控制電路及存儲器控制方法，存儲器控制電路包括第一狀態機、第二狀態機、擦寫流程識別單元、擦寫執行電路，擦寫流程識別單元用于響應于處理器執行的擦寫操作，向第一狀態機發送目標請求，向第二狀態機發送與擦寫指令對應的擦寫請求，并...
  • 用于增強型ECC模式的設備、系統及方法。存儲器陣列包含若干數據列平面及額外列平面。當存儲器裝置被設置在增強型ECC模式下時，數據存儲在所述數據列平面的子組中，并且錯誤校正碼電路(ECC)將對應奇偶校驗數據存儲在除數據列平面的所述子組或所述額...
  • 本發明公開了一種SRAM存內計算的脈沖編碼方法，屬于集成電路技術領域，包括如下步驟：對原輸入數據進行泊松編碼處理，得到脈沖編碼；根據隨機舍棄算法，基于脈沖編碼，對各時刻下的脈沖信號進行去重處理，得到去重復脈沖編碼；將去重復脈沖編碼輸入到LI...
  • 本文公開了用于讀取存儲器元件的編程狀態的設備、方法和系統。方法包括：將存儲器元件所連接的位線設定到第一電壓，以及向位線產生不同于第一電壓的補償電壓。方法還包括：向位線產生修改的感測電壓，該修改的感測電壓由補償電壓和從存儲器元件產生的感測電壓...
  • 本發明涉及整車測試技術領域，具體地說，涉及基于虛擬環境的整車測試平臺。其包括虛擬整車測試系統，虛擬整車測試系統包括通訊單元、顯示單元、調試單元和監聽單元，通訊單元用于為待測試的診斷設備提供虛擬的測試環境，顯示單元用于將通訊單元的通訊狀態、總...
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