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信息存儲應(yīng)用技術(shù)
  • 本實用新型涉及刀具加工檢測技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種新型PCB銑刀全尺寸抽檢設(shè)備,包括機(jī)架以及設(shè)置于機(jī)架的檢測機(jī)構(gòu),所述檢測機(jī)構(gòu)包括裝夾臺、與裝夾臺驅(qū)動連接的驅(qū)動件以及設(shè)置于裝夾臺外部的徑向檢測組件、軸向檢測組件、清潔組件,所述徑向檢測組件、軸...
  • 本公開實施例提供了一種刷新方法與裝置,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,方法包括:獲取存儲器當(dāng)前激活的行地址在預(yù)設(shè)時長內(nèi)的激活計數(shù)值;若該激活計數(shù)值屬于超出行錘閾值的多個計數(shù)區(qū)間中的任意一個計數(shù)區(qū)間,則確定預(yù)設(shè)隊列是否已滿;其中,該隊列用于存儲需要執(zhí)行行...
  • 一種運(yùn)用于非易失性存儲器的寫入電壓產(chǎn)生器。該寫入電壓產(chǎn)生器連接于一磁阻式隨機(jī)存取存儲器。在一寫入動作時,該寫入電壓產(chǎn)生器提供一寫入電壓。而根據(jù)寫入電壓,該磁阻式隨機(jī)存取存儲器中一寫入路徑內(nèi)一選定存儲器胞的存儲狀態(tài)可對應(yīng)地改變。該寫入電壓產(chǎn)生...
  • 本發(fā)明涉及DRAM電路設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及基于位線開關(guān)和電容耦合的靈敏放大器、讀取電路、模塊。本發(fā)明公開了基于位線開關(guān)和電容耦合的DRAM靈敏放大器,包括:9個NMOS管N1~N9、2個PMOS管P1~P2、2個電容Cc1~Cc2。本發(fā)明...
  • 本發(fā)明公開了一種業(yè)務(wù)演練控制方法、系統(tǒng)、終端及介質(zhì),所述方法包括:獲取目標(biāo)演練場景,并確定所述目標(biāo)演練場景所對應(yīng)的若干目標(biāo)演練節(jié)點(diǎn),其中,每一個目標(biāo)演練節(jié)點(diǎn)對應(yīng)業(yè)務(wù)進(jìn)程中的演練項目;獲取與所述目標(biāo)演練場景所對應(yīng)的目標(biāo)演練模板,并基于所述目標(biāo)...
  • 本發(fā)明涉及DRAM電路設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及基于電容及翻轉(zhuǎn)點(diǎn)補(bǔ)償?shù)撵`敏放大器、讀取電路、模塊。本發(fā)明公開了一種基于電容及翻轉(zhuǎn)點(diǎn)補(bǔ)償?shù)撵`敏放大器,包括:9個NMOS管M1~M9、2個PMOS管P1~P2、2個電容C1~C2。本發(fā)明設(shè)計了CSC...
  • 本發(fā)明公開了一種鋰離子電解液及其制備方法和鋰離子電容器。該鋰離子電解液,由鋰鹽和溶劑組成,所述鋰鹽的鋰離子與所述溶劑中的羰基的摩爾比小于1:3,且所述溶劑至多為兩種溶劑。低溫鋰離子電解液應(yīng)用于鋰離子電容器,器件在?40℃下發(fā)揮更高的比容量、...
  • 本申請涉及一種石墨相氮化碳摻雜氧化鉍復(fù)合電極材料及其制備方法和應(yīng)用,屬于電容去離子脫鹽技術(shù)領(lǐng)域。本申請的石墨相氮化碳摻雜氧化鉍復(fù)合電極材料的制備方法,包括以下步驟:將g?C3N4與Bi2...
  • 本發(fā)明提供了一種可擦除可編程只讀存儲器及編程方法,包括:位于襯底內(nèi)并且相鄰設(shè)置的P型阱區(qū)和N型阱區(qū);位于P型阱區(qū)表面的第一柵氧化層和柵極;位于N型阱區(qū)表面的第二柵氧化層和浮柵;位于P型阱區(qū)內(nèi)的間隔設(shè)置的第一N型雜質(zhì)區(qū)、第二N型雜質(zhì)區(qū)和第一P...
  • 本發(fā)明涉及一種機(jī)械硬盤故障智能診斷方法及系統(tǒng),包括以下內(nèi)容:S1、將待測機(jī)械硬盤插入機(jī)械硬盤故障檢測設(shè)備并通電;S2、智能診斷檢測平臺實時檢測并記錄通電硬盤的電流波動軌跡、寄存器狀態(tài)信息及信號參數(shù)信息;S3、將檢測的數(shù)據(jù)信息自動匹配硬盤故障...
  • 本公開實施例公開了一種存儲器及其操作方法、存儲器系統(tǒng)、計算機(jī)可讀存儲介質(zhì),該存儲器包括存儲單元陣列和耦接存儲單元陣列的外圍電路,存儲單元陣列包括多個存儲單元,多個存儲單元具有2N個數(shù)據(jù)態(tài),N為大于等于1的整數(shù);外圍電路...
  • 本發(fā)明屬于激光切割技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種激光切割質(zhì)量檢測方法以及檢測裝置。激光切割質(zhì)量檢測方法包括:將光線通過分光件分離出激光波段光束和可見光波段光束;通過激光能量計檢測激光波段光束的能量,以判斷工件是否已被激光穿透;通過成像設(shè)備并根據(jù)該圖像...
  • 本申請公開了一種可抑制編程干擾的flash型FPGA的配置控制電路,涉及flash型FPGA領(lǐng)域,該配置控制電路相比于常規(guī)配置控制電路增加編程選擇電路,在對位于目標(biāo)行、目標(biāo)列的flash存儲單元執(zhí)行編程操作時,編程選擇電路控制編程位線電壓與...
  • 本發(fā)明涉及超級電容器技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,尤其涉及一種核殼結(jié)構(gòu)五氧化二釩復(fù)合炭材料的制備方法及其應(yīng)用。本發(fā)明以釩基醇鹽為前驅(qū)體,表面生長小尺寸的金屬有機(jī)骨架(Zn?MI)顆粒,隨后通過炭化過程的控制實現(xiàn)核殼結(jié)構(gòu)V2O
  • 本公開提供一種感測放大器及其操作方法、存儲器。該感測放大器包括:感測放大電路,包括第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)、第三節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn),被配置為處于放大階段時,進(jìn)行信號放大處理;偏移消除電路,耦接至第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn),被配置為處于偏移消除階段時,進(jìn)行偏移...
  • 本發(fā)明公開了用于汽車系統(tǒng)和應(yīng)用的端到端指示器驗證。在各種示例中,用于汽車系統(tǒng)和應(yīng)用的端到端指示器驗證的技術(shù)包括:從緩沖器接收與要在屏幕上顯示的幀相關(guān)聯(lián)的一組命令。該技術(shù)還包括至少基于該組命令確定(i)幀中要包含的指示器的預(yù)期校驗和,以及(i...
  • 本申請公開了一種服務(wù)器的測試系統(tǒng)、方法和裝置、存儲介質(zhì)及電子設(shè)備,該服務(wù)器的測試系統(tǒng)包括:測試設(shè)備和遠(yuǎn)程終端,測試設(shè)備包括:轉(zhuǎn)接器和光電轉(zhuǎn)換器,待測服務(wù)器包括:部件接口、處理器和指示燈;光電轉(zhuǎn)換器,用于采集指示燈發(fā)出的參考光信號;將參考光信...
  • 本發(fā)明公開了一種flash型FPGA的層次化字線預(yù)處理電路,涉及FPGA領(lǐng)域,該方法中每個連接字線的譯碼電路由若干個形成層次化對應(yīng)結(jié)構(gòu)的控制電路控制,每個譯碼單元受控于讀寫信號、擦除信號以及對應(yīng)的各個層級的控制單元分別輸出的選擇信號,據(jù)此將...
  • 公開了一種存儲器單元陣列的單位單元電路,該單位單元電路具有子單元陣列和輔助電路,子單元陣列包括多個存儲器單元,每個存儲器單元連接到電源線,輔助電路通過電源線連接到子單元陣列,輔助電路基于控制信號在待機(jī)模式期間用電源電壓對電源線預(yù)充電,并且在...
  • 本發(fā)明公開了一種內(nèi)嵌局域共振結(jié)構(gòu)加筋聲學(xué)黑洞板,包括:主體、局域共振結(jié)構(gòu)和阻尼層;所述局域共振結(jié)構(gòu)內(nèi)嵌在主體內(nèi),所述阻尼層粘貼在主體的外表面。本發(fā)明通過結(jié)合聲學(xué)黑洞的能量聚集和耗散效應(yīng)以及局域共振結(jié)構(gòu)的動力吸振效應(yīng),實現(xiàn)提高振動控制效果與降...
技術(shù)分類
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