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信息存儲應用技術
  • 本公開涉及一種半導體存儲器件和操作半導體存儲器件的方法。所述半導體存儲器件包括存儲單元陣列、糾錯碼(ECC)引擎、刷新控制電路和控制邏輯電路。所述存儲單元陣列包括存儲單元行。所述刷新控制電路對所述存儲單元行執行刷新操作。所述控制邏輯電路控制...
  • 本發明公開了一種存儲陣列結構及其喚醒方法，所述存儲陣列結構包括：多個存儲單元，所述多個存儲單元呈多行多列排布，其中，每個所述存儲單元均包括選擇開關晶體管和鐵電電容；位于同一行的多個所述存儲單元的選擇開關晶體管的柵極與同一字線電連接，位于同一...
  • 本發明的實施方式的存儲器系統包含存儲器器件與存儲器控制器。存儲器器件包含多個存儲單元。存儲器控制器構成為基于與多個存儲單元各自的閾值電壓分布的梯度有關的信息決定第1電壓，執行跟蹤動作。存儲器控制器在跟蹤動作中，以多個存儲單元為對象，使存儲器...
  • 本發明公開一種NAND FLASH編程電壓的控制方法、裝置和存儲介質，方法包括：根據NAND FLASH編程指令獲取預設上升電壓譯碼；接收電荷泵根據預設上升電壓譯碼產生的上升階梯電壓；根據上升階梯電壓將NAND FLASH的初始電壓階梯提升...
  • 本公開提供了一種存儲器控制電路及存儲器控制方法，存儲器控制電路包括第一狀態機、第二狀態機、擦寫流程識別單元、擦寫執行電路，擦寫流程識別單元用于響應于處理器執行的擦寫操作，向第一狀態機發送目標請求，向第二狀態機發送與擦寫指令對應的擦寫請求，并...
  • 用于增強型ECC模式的設備、系統及方法。存儲器陣列包含若干數據列平面及額外列平面。當存儲器裝置被設置在增強型ECC模式下時，數據存儲在所述數據列平面的子組中，并且錯誤校正碼電路(ECC)將對應奇偶校驗數據存儲在除數據列平面的所述子組或所述額...
  • 本發明獲得了一種由雙MOF衍生的Ni2Zn6O4/NiCoP復合材料，其目的是要解決現有方法制備的過渡金屬氧化物電容量較低的問題。為制備具有高電導率、高能量密度的新型復合電極...
  • 本發明公開了一種SRAM存內計算的脈沖編碼方法，屬于集成電路技術領域，包括如下步驟：對原輸入數據進行泊松編碼處理，得到脈沖編碼；根據隨機舍棄算法，基于脈沖編碼，對各時刻下的脈沖信號進行去重處理，得到去重復脈沖編碼；將去重復脈沖編碼輸入到LI...
  • 本發明涉及整車測試技術領域，具體地說，涉及基于虛擬環境的整車測試平臺。其包括虛擬整車測試系統，虛擬整車測試系統包括通訊單元、顯示單元、調試單元和監聽單元，通訊單元用于為待測試的診斷設備提供虛擬的測試環境，顯示單元用于將通訊單元的通訊狀態、總...
  • 本文公開了用于讀取存儲器元件的編程狀態的設備、方法和系統。方法包括：將存儲器元件所連接的位線設定到第一電壓，以及向位線產生不同于第一電壓的補償電壓。方法還包括：向位線產生修改的感測電壓，該修改的感測電壓由補償電壓和從存儲器元件產生的感測電壓...
  • 本發明公開了一種石墨烯超級電容器及其制造方法，屬于超級電容器技術領域。本發明取消傳統超級電容器中的電解液，用高介電常數的陶瓷為電介質，以利于提高單體耐壓；采用石墨烯做電極增大電極材料的比表面積，進而增大超級電容容量。為了使兩電極的距離更小從...
  • 本發明公開了一種超級電容器材料的制備方法，包括：S1，將第一溶液、第二溶液、均苯三甲酸、聚乙烯吡咯烷酮、N,N?二甲基甲酰胺、無水乙醇和水混合，攪拌至透明，再進行水熱反應，得到超級電容器材料前體，第一溶液滿足情況一和/或第二溶液滿足情況二，...
  • 本發明公開一種電纜溝槽用傳感器支架，屬于電纜支架技術領域，該傳感器支架包括第一立桿、稱重傳感器、固定板以及第一托臂，第一立桿和第一托臂對稱重傳感器形成向下的拉力。本發明通過設置第一立桿、第一托臂、稱重傳感器和固定板，稱重傳感器能夠對第一托臂...
  • 本申請提供了一種頂針裝置檢測方法，包括：將待檢測頂針裝置放置于檢測平臺；通過頂面光學系統獲取頂針裝置的頂針頂面圖像，基于頂針頂面圖像確定頂針裝置的頂針的排布缺陷信息；通過側面光學系統獲取頂針裝置的頂針側面圖像，基于頂針側面圖像確定頂針裝置的...
  • 本發明提供一種半導體存儲器裝置及其測試方法。半導體存儲器裝置包括多個字線、行譯碼器、第一電壓泵電路、第一可編程電流比較器及控制電路。行譯碼器對行地址數據進行譯碼，并據以選擇出測試字線來與第一測試路徑電性連接。第一電壓泵電路配置在第一測試路徑...
  • 本發明公開了一種應用于NOR Flash的快速低功耗字線驅動電路，包括工作模式和待機模式。工作模式包括由交叉耦合電荷泵構成電荷泵功率級；由非交疊時鐘產生電路、壓控振蕩器、誤差放大器及電阻分壓器構成動態頻率調制穩壓電路。待機模式包括由Dick...
  • 一種用于修復隨機存取存儲器的系統可包括串行測試接口邏輯、熔絲感測邏輯、修復數據寄存器鏈和多路復用邏輯。該修復數據寄存器鏈可包括被配置為通過該修復數據寄存器鏈移位數據的串行互連的數據寄存器。該修復數據寄存器鏈的每個數據寄存器可具有被配置為耦合...
  • 本發明提出的一種服務器內存性能測試裝置、方法、系統及存儲介質，方法包括：將待測的服務器內存安裝在插槽內，啟用顯示控制器對服務器內存的各項數據進行讀取；在顯示控制器內構建預設虛擬系統，啟用虛擬系統將內存導入系統中；在虛擬系統中建立雜項緩存數據...
  • 本發明公開了蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復合材料及其制備方法和應用，本發明制備的蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復合材料包含ZIF?67和NiCo LDH兩種物質，能夠充分發揮不同材料之間的協同作用，提高電極的比容量。另外，蜂巢狀結構由...
  • 本實用新型公開了一種計算機大數據存儲器安裝座，包括保護外殼，保護外殼內壁一側安裝有散熱風扇，保護外殼內壁開設有滑軌，保護外殼外壁開設有第一散熱孔，保護外殼外壁兩側分別開設有安裝孔，還包括阻尼減振器和安裝外殼，阻尼減振器安裝在安裝外殼外壁，安...
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