国产精品天干天干在线播放,大尺度揉捏胸床戏视频,樱花草www日本在线观看,狠狠躁夜夜躁人人爽天天天天97

Document
拖動滑塊完成拼圖
首頁 專利交易 科技果 科技人才 科技服務(wù) 國際服務(wù) 商標(biāo)交易 會員權(quán)益 IP管家助手 需求市場 關(guān)于龍圖騰
 /  免費(fèi)注冊
到頂部 到底部
清空 搜索
信息存儲應(yīng)用技術(shù)
  • 本公開涉及一種半導(dǎo)體存儲器件和操作半導(dǎo)體存儲器件的方法。所述半導(dǎo)體存儲器件包括存儲單元陣列、糾錯(cuò)碼(ECC)引擎、刷新控制電路和控制邏輯電路。所述存儲單元陣列包括存儲單元行。所述刷新控制電路對所述存儲單元行執(zhí)行刷新操作。所述控制邏輯電路控制...
  • 本發(fā)明公開了一種存儲陣列結(jié)構(gòu)及其喚醒方法，所述存儲陣列結(jié)構(gòu)包括：多個(gè)存儲單元，所述多個(gè)存儲單元呈多行多列排布，其中，每個(gè)所述存儲單元均包括選擇開關(guān)晶體管和鐵電電容；位于同一行的多個(gè)所述存儲單元的選擇開關(guān)晶體管的柵極與同一字線電連接，位于同一...
  • 本發(fā)明的實(shí)施方式的存儲器系統(tǒng)包含存儲器器件與存儲器控制器。存儲器器件包含多個(gè)存儲單元。存儲器控制器構(gòu)成為基于與多個(gè)存儲單元各自的閾值電壓分布的梯度有關(guān)的信息決定第1電壓，執(zhí)行跟蹤動作。存儲器控制器在跟蹤動作中，以多個(gè)存儲單元為對象，使存儲器...
  • 本發(fā)明公開一種NAND FLASH編程電壓的控制方法、裝置和存儲介質(zhì)，方法包括：根據(jù)NAND FLASH編程指令獲取預(yù)設(shè)上升電壓譯碼；接收電荷泵根據(jù)預(yù)設(shè)上升電壓譯碼產(chǎn)生的上升階梯電壓；根據(jù)上升階梯電壓將NAND FLASH的初始電壓階梯提升...
  • 本公開提供了一種存儲器控制電路及存儲器控制方法，存儲器控制電路包括第一狀態(tài)機(jī)、第二狀態(tài)機(jī)、擦寫流程識別單元、擦寫執(zhí)行電路，擦寫流程識別單元用于響應(yīng)于處理器執(zhí)行的擦寫操作，向第一狀態(tài)機(jī)發(fā)送目標(biāo)請求，向第二狀態(tài)機(jī)發(fā)送與擦寫指令對應(yīng)的擦寫請求，并...
  • 用于增強(qiáng)型ECC模式的設(shè)備、系統(tǒng)及方法。存儲器陣列包含若干數(shù)據(jù)列平面及額外列平面。當(dāng)存儲器裝置被設(shè)置在增強(qiáng)型ECC模式下時(shí)，數(shù)據(jù)存儲在所述數(shù)據(jù)列平面的子組中，并且錯(cuò)誤校正碼電路(ECC)將對應(yīng)奇偶校驗(yàn)數(shù)據(jù)存儲在除數(shù)據(jù)列平面的所述子組或所述額...
  • 本發(fā)明獲得了一種由雙MOF衍生的Ni2Zn6O4/NiCoP復(fù)合材料，其目的是要解決現(xiàn)有方法制備的過渡金屬氧化物電容量較低的問題。為制備具有高電導(dǎo)率、高能量密度的新型復(fù)合電極...
  • 本發(fā)明公開了一種SRAM存內(nèi)計(jì)算的脈沖編碼方法，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括如下步驟：對原輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行泊松編碼處理，得到脈沖編碼；根據(jù)隨機(jī)舍棄算法，基于脈沖編碼，對各時(shí)刻下的脈沖信號進(jìn)行去重處理，得到去重復(fù)脈沖編碼；將去重復(fù)脈沖編碼輸入到LI...
  • 本發(fā)明涉及整車測試技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及基于虛擬環(huán)境的整車測試平臺。其包括虛擬整車測試系統(tǒng)，虛擬整車測試系統(tǒng)包括通訊單元、顯示單元、調(diào)試單元和監(jiān)聽單元，通訊單元用于為待測試的診斷設(shè)備提供虛擬的測試環(huán)境，顯示單元用于將通訊單元的通訊狀態(tài)、總...
  • 本文公開了用于讀取存儲器元件的編程狀態(tài)的設(shè)備、方法和系統(tǒng)。方法包括：將存儲器元件所連接的位線設(shè)定到第一電壓，以及向位線產(chǎn)生不同于第一電壓的補(bǔ)償電壓。方法還包括：向位線產(chǎn)生修改的感測電壓，該修改的感測電壓由補(bǔ)償電壓和從存儲器元件產(chǎn)生的感測電壓...
  • 本發(fā)明公開了一種石墨烯超級電容器及其制造方法，屬于超級電容器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明取消傳統(tǒng)超級電容器中的電解液，用高介電常數(shù)的陶瓷為電介質(zhì)，以利于提高單體耐壓；采用石墨烯做電極增大電極材料的比表面積，進(jìn)而增大超級電容容量。為了使兩電極的距離更小從...
  • 本發(fā)明公開了一種超級電容器材料的制備方法，包括：S1，將第一溶液、第二溶液、均苯三甲酸、聚乙烯吡咯烷酮、N,N?二甲基甲酰胺、無水乙醇和水混合，攪拌至透明，再進(jìn)行水熱反應(yīng)，得到超級電容器材料前體，第一溶液滿足情況一和/或第二溶液滿足情況二，...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲器裝置及其測試方法。半導(dǎo)體存儲器裝置包括多個(gè)字線、行譯碼器、第一電壓泵電路、第一可編程電流比較器及控制電路。行譯碼器對行地址數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼，并據(jù)以選擇出測試字線來與第一測試路徑電性連接。第一電壓泵電路配置在第一測試路徑...
  • 本發(fā)明公開一種電纜溝槽用傳感器支架，屬于電纜支架技術(shù)領(lǐng)域，該傳感器支架包括第一立桿、稱重傳感器、固定板以及第一托臂，第一立桿和第一托臂對稱重傳感器形成向下的拉力。本發(fā)明通過設(shè)置第一立桿、第一托臂、稱重傳感器和固定板，稱重傳感器能夠?qū)Φ谝煌斜?..
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N頂針裝置檢測方法，包括：將待檢測頂針裝置放置于檢測平臺；通過頂面光學(xué)系統(tǒng)獲取頂針裝置的頂針頂面圖像，基于頂針頂面圖像確定頂針裝置的頂針的排布缺陷信息；通過側(cè)面光學(xué)系統(tǒng)獲取頂針裝置的頂針側(cè)面圖像，基于頂針側(cè)面圖像確定頂針裝置的...
  • 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于NOR Flash的快速低功耗字線驅(qū)動電路，包括工作模式和待機(jī)模式。工作模式包括由交叉耦合電荷泵構(gòu)成電荷泵功率級；由非交疊時(shí)鐘產(chǎn)生電路、壓控振蕩器、誤差放大器及電阻分壓器構(gòu)成動態(tài)頻率調(diào)制穩(wěn)壓電路。待機(jī)模式包括由Dick...
  • 一種用于修復(fù)隨機(jī)存取存儲器的系統(tǒng)可包括串行測試接口邏輯、熔絲感測邏輯、修復(fù)數(shù)據(jù)寄存器鏈和多路復(fù)用邏輯。該修復(fù)數(shù)據(jù)寄存器鏈可包括被配置為通過該修復(fù)數(shù)據(jù)寄存器鏈移位數(shù)據(jù)的串行互連的數(shù)據(jù)寄存器。該修復(fù)數(shù)據(jù)寄存器鏈的每個(gè)數(shù)據(jù)寄存器可具有被配置為耦合...
  • 本發(fā)明提出的一種服務(wù)器內(nèi)存性能測試裝置、方法、系統(tǒng)及存儲介質(zhì)，方法包括：將待測的服務(wù)器內(nèi)存安裝在插槽內(nèi)，啟用顯示控制器對服務(wù)器內(nèi)存的各項(xiàng)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取；在顯示控制器內(nèi)構(gòu)建預(yù)設(shè)虛擬系統(tǒng)，啟用虛擬系統(tǒng)將內(nèi)存導(dǎo)入系統(tǒng)中；在虛擬系統(tǒng)中建立雜項(xiàng)緩存數(shù)據(jù)...
  • 本發(fā)明公開了蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，本發(fā)明制備的蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復(fù)合材料包含ZIF?67和NiCo LDH兩種物質(zhì)，能夠充分發(fā)揮不同材料之間的協(xié)同作用，提高電極的比容量。另外，蜂巢狀結(jié)構(gòu)由...
  • 本實(shí)用新型公開了一種計(jì)算機(jī)大數(shù)據(jù)存儲器安裝座，包括保護(hù)外殼，保護(hù)外殼內(nèi)壁一側(cè)安裝有散熱風(fēng)扇，保護(hù)外殼內(nèi)壁開設(shè)有滑軌，保護(hù)外殼外壁開設(shè)有第一散熱孔，保護(hù)外殼外壁兩側(cè)分別開設(shè)有安裝孔，還包括阻尼減振器和安裝外殼，阻尼減振器安裝在安裝外殼外壁，安...
首頁 上一頁 15 下一頁
技術(shù)分類
主站蜘蛛池模板： 隆昌县| 济南市| 建水县| 平湖市| 普兰店市| 鲁山县| 卓资县| 巢湖市| 肃宁县| 葵青区| 黄山市| 苗栗市| 南康市| 兰西县| 满城县| 巫山县| 定边县| 永安市| 崇明县| 青海省| 清丰县| 西畴县| 黄冈市| 阳西县| 四会市| 偃师市| 沭阳县| 吉首市| 晋城| 革吉县| 大埔区| 永善县| 慈溪市| 阳朔县| 台中县| 鸡东县| 城市| 理塘县| 济宁市| 珲春市| 平果县|