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信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
  • 本申請(qǐng)涉及一種石墨相氮化碳摻雜氧化鉍復(fù)合電極材料及其制備方法和應(yīng)用，屬于電容去離子脫鹽技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)的石墨相氮化碳摻雜氧化鉍復(fù)合電極材料的制備方法，包括以下步驟：將g?C3N4與Bi2...
  • 本發(fā)明提供了一種可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器及編程方法，包括：位于襯底內(nèi)并且相鄰設(shè)置的P型阱區(qū)和N型阱區(qū)；位于P型阱區(qū)表面的第一柵氧化層和柵極；位于N型阱區(qū)表面的第二柵氧化層和浮柵；位于P型阱區(qū)內(nèi)的間隔設(shè)置的第一N型雜質(zhì)區(qū)、第二N型雜質(zhì)區(qū)和第一P...
  • 本發(fā)明涉及一種機(jī)械硬盤(pán)故障智能診斷方法及系統(tǒng)，包括以下內(nèi)容：S1、將待測(cè)機(jī)械硬盤(pán)插入機(jī)械硬盤(pán)故障檢測(cè)設(shè)備并通電；S2、智能診斷檢測(cè)平臺(tái)實(shí)時(shí)檢測(cè)并記錄通電硬盤(pán)的電流波動(dòng)軌跡、寄存器狀態(tài)信息及信號(hào)參數(shù)信息；S3、將檢測(cè)的數(shù)據(jù)信息自動(dòng)匹配硬盤(pán)故障...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元陣列和耦接存儲(chǔ)單元陣列的外圍電路，存儲(chǔ)單元陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)存儲(chǔ)單元具有2N個(gè)數(shù)據(jù)態(tài)，N為大于等于1的整數(shù)；外圍電路...
  • 本發(fā)明屬于激光切割技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種激光切割質(zhì)量檢測(cè)方法以及檢測(cè)裝置。激光切割質(zhì)量檢測(cè)方法包括：將光線通過(guò)分光件分離出激光波段光束和可見(jiàn)光波段光束；通過(guò)激光能量計(jì)檢測(cè)激光波段光束的能量，以判斷工件是否已被激光穿透；通過(guò)成像設(shè)備并根據(jù)該圖像...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種可抑制編程干擾的flash型FPGA的配置控制電路，涉及flash型FPGA領(lǐng)域，該配置控制電路相比于常規(guī)配置控制電路增加編程選擇電路，在對(duì)位于目標(biāo)行、目標(biāo)列的flash存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程操作時(shí)，編程選擇電路控制編程位線電壓與...
  • 本發(fā)明涉及超級(jí)電容器技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，尤其涉及一種核殼結(jié)構(gòu)五氧化二釩復(fù)合炭材料的制備方法及其應(yīng)用。本發(fā)明以釩基醇鹽為前驅(qū)體，表面生長(zhǎng)小尺寸的金屬有機(jī)骨架(Zn?MI)顆粒，隨后通過(guò)炭化過(guò)程的控制實(shí)現(xiàn)核殼結(jié)構(gòu)V2O
  • 本公開(kāi)提供一種感測(cè)放大器及其操作方法、存儲(chǔ)器。該感測(cè)放大器包括：感測(cè)放大電路，包括第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)、第三節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)，被配置為處于放大階段時(shí)，進(jìn)行信號(hào)放大處理；偏移消除電路，耦接至第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)，被配置為處于偏移消除階段時(shí)，進(jìn)行偏移...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了用于汽車(chē)系統(tǒng)和應(yīng)用的端到端指示器驗(yàn)證。在各種示例中，用于汽車(chē)系統(tǒng)和應(yīng)用的端到端指示器驗(yàn)證的技術(shù)包括：從緩沖器接收與要在屏幕上顯示的幀相關(guān)聯(lián)的一組命令。該技術(shù)還包括至少基于該組命令確定(i)幀中要包含的指示器的預(yù)期校驗(yàn)和，以及(i...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種服務(wù)器的測(cè)試系統(tǒng)、方法和裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備，該服務(wù)器的測(cè)試系統(tǒng)包括：測(cè)試設(shè)備和遠(yuǎn)程終端，測(cè)試設(shè)備包括：轉(zhuǎn)接器和光電轉(zhuǎn)換器，待測(cè)服務(wù)器包括：部件接口、處理器和指示燈；光電轉(zhuǎn)換器，用于采集指示燈發(fā)出的參考光信號(hào)；將參考光信...
  • 公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器單元陣列的單位單元電路，該單位單元電路具有子單元陣列和輔助電路，子單元陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，每個(gè)存儲(chǔ)器單元連接到電源線，輔助電路通過(guò)電源線連接到子單元陣列，輔助電路基于控制信號(hào)在待機(jī)模式期間用電源電壓對(duì)電源線預(yù)充電，并且在...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種flash型FPGA的層次化字線預(yù)處理電路，涉及FPGA領(lǐng)域，該方法中每個(gè)連接字線的譯碼電路由若干個(gè)形成層次化對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)的控制電路控制，每個(gè)譯碼單元受控于讀寫(xiě)信號(hào)、擦除信號(hào)以及對(duì)應(yīng)的各個(gè)層級(jí)的控制單元分別輸出的選擇信號(hào)，據(jù)此將...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種內(nèi)嵌局域共振結(jié)構(gòu)加筋聲學(xué)黑洞板，包括：主體、局域共振結(jié)構(gòu)和阻尼層；所述局域共振結(jié)構(gòu)內(nèi)嵌在主體內(nèi)，所述阻尼層粘貼在主體的外表面。本發(fā)明通過(guò)結(jié)合聲學(xué)黑洞的能量聚集和耗散效應(yīng)以及局域共振結(jié)構(gòu)的動(dòng)力吸振效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)提高振動(dòng)控制效果與降...
  • 一種運(yùn)用于非易失性內(nèi)存的感測(cè)裝置，包括：二個(gè)電流鏡、三個(gè)開(kāi)關(guān)、一電壓控制電路與一判斷電路。第一電流鏡的輸入端接收一參考電流，第一電流鏡的鏡射端連接至數(shù)據(jù)線。第一開(kāi)關(guān)連接于數(shù)據(jù)線與電壓控制電路之間。第二開(kāi)關(guān)連接于數(shù)據(jù)線與接地電壓之間。第三開(kāi)關(guān)...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于邊坡小規(guī)模變形體的智能視覺(jué)監(jiān)測(cè)方法和系統(tǒng)，涉及邊坡監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，包括：搜索邊坡坡面所有視場(chǎng)內(nèi)的靶標(biāo)，進(jìn)行靶標(biāo)初始化部署，對(duì)靶標(biāo)進(jìn)行目標(biāo)檢測(cè)，確定靶標(biāo)是否存在；確認(rèn)靶標(biāo)存在后，先對(duì)靶標(biāo)邊緣進(jìn)行像素級(jí)定位，再對(duì)靶標(biāo)邊緣進(jìn)行亞...
  • 本實(shí)用新型公開(kāi)了基于線激光掃描的制動(dòng)梁自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，包括機(jī)架組件、支撐架、第一支架、第二支架、安裝架、激光移動(dòng)組件、固定板、同步軸、滾子、第一電機(jī)、傳動(dòng)組件、支撐板、安裝板、制動(dòng)梁主體和激光掃描器；支撐架上固定連接有第一支架和第二支架，第一...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)一種存儲(chǔ)器件的測(cè)試設(shè)備，涉及存儲(chǔ)器件技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決如何延長(zhǎng)測(cè)試主板使用壽命的問(wèn)題。測(cè)試設(shè)備包括控制面板、溫箱、測(cè)試模塊、電源模塊及控制電路。其中，溫箱和測(cè)試模塊之間設(shè)置有隔熱板。測(cè)試模塊提供待測(cè)存儲(chǔ)器件的插槽。插槽貫穿隔熱板，...
  • 本實(shí)用新型屬于電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種尺寸檢測(cè)設(shè)備；包括：底座，其上部設(shè)置有旋轉(zhuǎn)組件、第一檢測(cè)組件和第二檢測(cè)組件；其中旋轉(zhuǎn)組件的轉(zhuǎn)動(dòng)端適于承載電池；第一檢測(cè)組件和第二檢測(cè)組件分別設(shè)置在旋轉(zhuǎn)組件的兩側(cè)；其中第一檢測(cè)組件的檢測(cè)端適于滑動(dòng)到...
  • 根據(jù)本公開(kāi)，提供所具有的高溫循環(huán)耐久性高的非水系鋰蓄電元件。一種非水系鋰蓄電元件，其具有：具有正極活性物質(zhì)層的正極、負(fù)極、隔板以及包含鋰離子的非水系電解液。上述正極活性物質(zhì)層包含正極活性物質(zhì)和堿金屬化合物。關(guān)于上述負(fù)極，對(duì)于將負(fù)極活性物質(zhì)層...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種RISC?VDSP芯片的RTL批量測(cè)試的優(yōu)化方法、系統(tǒng)及介質(zhì)，該方法包括：通過(guò)GUI選擇被測(cè)項(xiàng)目，基于被測(cè)項(xiàng)目生成測(cè)試項(xiàng)集合文件夾；基于測(cè)試項(xiàng)集合文件夾內(nèi)的測(cè)試用例，分析測(cè)試用例所在的根目錄；遍歷測(cè)試用例所在的根目錄，...
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