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信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N存儲(chǔ)器及其制造方法、讀寫(xiě)方法、電子設(shè)備。本申請(qǐng)的存儲(chǔ)器包括襯底和存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括沿遠(yuǎn)離所述襯底的方向依次設(shè)置的讀晶體管和寫(xiě)晶體管；所述讀晶體管包括第一柵極、環(huán)繞所述第一柵極的側(cè)壁的第一溝道以及與所述第一溝道分別連接...
  • 本公開(kāi)的一些實(shí)施例涉及一種具有按需帶寬提升的低功率存儲(chǔ)器。在具有命令/地址接口、定時(shí)接口和數(shù)據(jù)接口的存儲(chǔ)器部件中，命令/地址接口在第一間隔期間從控制部件接收第一命令/地址值，并且在第二間隔期間從控制部件接收第二命令/地址值。定時(shí)接口在第一間...
  • 本發(fā)明提供了一種全水泥基型超級(jí)電容器及其制備方法，涉及超級(jí)電容器技術(shù)領(lǐng)域。全水泥基型超級(jí)電容器包括第一水泥基電極、第二水泥基電極、介于第一水泥基電極和第二水泥基電極之間的發(fā)泡水泥隔離層。本發(fā)明構(gòu)建了一種水泥基電極以及水泥基隔膜的全水泥型超級(jí)...
  • 一種記憶體裝置及操作記憶體的方法，操作記憶體的方法包括：提供多個(gè)MRAM單元，及將所述多個(gè)MRAM單元分割成多個(gè)群組，所述多個(gè)群組包括一第一群組及一第二群組。將該第一群組的一第一MRAM單元自一第一狀態(tài)寫(xiě)入至一第二狀態(tài)，且將該第二群組的一第...
  • 存儲(chǔ)器裝置中的控制邏輯致使通過(guò)電壓被施加到所述存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器陣列的塊的多條字線，所述塊包括多個(gè)子塊，且所述通過(guò)電壓將所述多個(gè)子塊中的每一者的溝道電位升壓到升壓電壓。所述控制邏輯進(jìn)一步根據(jù)表示待編程到所述多個(gè)子塊的相應(yīng)存儲(chǔ)器單元的位序列的...
  • 本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)單元陣列、糾錯(cuò)碼(ECC)引擎、刷新控制電路和控制邏輯電路。所述存儲(chǔ)單元陣列包括存儲(chǔ)單元行。所述刷新控制電路對(duì)所述存儲(chǔ)單元行執(zhí)行刷新操作。所述控制邏輯電路控制...
  • 本發(fā)明的實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)包含存儲(chǔ)器器件與存儲(chǔ)器控制器。存儲(chǔ)器器件包含多個(gè)存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)器控制器構(gòu)成為基于與多個(gè)存儲(chǔ)單元各自的閾值電壓分布的梯度有關(guān)的信息決定第1電壓，執(zhí)行跟蹤動(dòng)作。存儲(chǔ)器控制器在跟蹤動(dòng)作中，以多個(gè)存儲(chǔ)單元為對(duì)象，使存儲(chǔ)器...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)及其喚醒方法，所述存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)包括：多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元呈多行多列排布，其中，每個(gè)所述存儲(chǔ)單元均包括選擇開(kāi)關(guān)晶體管和鐵電電容；位于同一行的多個(gè)所述存儲(chǔ)單元的選擇開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與同一字線電連接，位于同一...
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種NAND FLASH編程電壓的控制方法、裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)，方法包括：根據(jù)NAND FLASH編程指令獲取預(yù)設(shè)上升電壓譯碼；接收電荷泵根據(jù)預(yù)設(shè)上升電壓譯碼產(chǎn)生的上升階梯電壓；根據(jù)上升階梯電壓將NAND FLASH的初始電壓階梯提升...
  • 本公開(kāi)提供了一種存儲(chǔ)器控制電路及存儲(chǔ)器控制方法，存儲(chǔ)器控制電路包括第一狀態(tài)機(jī)、第二狀態(tài)機(jī)、擦寫(xiě)流程識(shí)別單元、擦寫(xiě)執(zhí)行電路，擦寫(xiě)流程識(shí)別單元用于響應(yīng)于處理器執(zhí)行的擦寫(xiě)操作，向第一狀態(tài)機(jī)發(fā)送目標(biāo)請(qǐng)求，向第二狀態(tài)機(jī)發(fā)送與擦寫(xiě)指令對(duì)應(yīng)的擦寫(xiě)請(qǐng)求，并...
  • 本發(fā)明獲得了一種由雙MOF衍生的Ni2Zn6O4/NiCoP復(fù)合材料，其目的是要解決現(xiàn)有方法制備的過(guò)渡金屬氧化物電容量較低的問(wèn)題。為制備具有高電導(dǎo)率、高能量密度的新型復(fù)合電極...
  • 用于增強(qiáng)型ECC模式的設(shè)備、系統(tǒng)及方法。存儲(chǔ)器陣列包含若干數(shù)據(jù)列平面及額外列平面。當(dāng)存儲(chǔ)器裝置被設(shè)置在增強(qiáng)型ECC模式下時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述數(shù)據(jù)列平面的子組中，并且錯(cuò)誤校正碼電路(ECC)將對(duì)應(yīng)奇偶校驗(yàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在除數(shù)據(jù)列平面的所述子組或所述額...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種SRAM存內(nèi)計(jì)算的脈沖編碼方法，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括如下步驟：對(duì)原輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行泊松編碼處理，得到脈沖編碼；根據(jù)隨機(jī)舍棄算法，基于脈沖編碼，對(duì)各時(shí)刻下的脈沖信號(hào)進(jìn)行去重處理，得到去重復(fù)脈沖編碼；將去重復(fù)脈沖編碼輸入到LI...
  • 本發(fā)明涉及整車(chē)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及基于虛擬環(huán)境的整車(chē)測(cè)試平臺(tái)。其包括虛擬整車(chē)測(cè)試系統(tǒng)，虛擬整車(chē)測(cè)試系統(tǒng)包括通訊單元、顯示單元、調(diào)試單元和監(jiān)聽(tīng)單元，通訊單元用于為待測(cè)試的診斷設(shè)備提供虛擬的測(cè)試環(huán)境，顯示單元用于將通訊單元的通訊狀態(tài)、總...
  • 本文公開(kāi)了用于讀取存儲(chǔ)器元件的編程狀態(tài)的設(shè)備、方法和系統(tǒng)。方法包括：將存儲(chǔ)器元件所連接的位線設(shè)定到第一電壓，以及向位線產(chǎn)生不同于第一電壓的補(bǔ)償電壓。方法還包括：向位線產(chǎn)生修改的感測(cè)電壓，該修改的感測(cè)電壓由補(bǔ)償電壓和從存儲(chǔ)器元件產(chǎn)生的感測(cè)電壓...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種石墨烯超級(jí)電容器及其制造方法，屬于超級(jí)電容器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明取消傳統(tǒng)超級(jí)電容器中的電解液，用高介電常數(shù)的陶瓷為電介質(zhì)，以利于提高單體耐壓；采用石墨烯做電極增大電極材料的比表面積，進(jìn)而增大超級(jí)電容容量。為了使兩電極的距離更小從...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種超級(jí)電容器材料的制備方法，包括：S1，將第一溶液、第二溶液、均苯三甲酸、聚乙烯吡咯烷酮、N,N?二甲基甲酰胺、無(wú)水乙醇和水混合，攪拌至透明，再進(jìn)行水熱反應(yīng)，得到超級(jí)電容器材料前體，第一溶液滿足情況一和/或第二溶液滿足情況二，...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及其測(cè)試方法。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括多個(gè)字線、行譯碼器、第一電壓泵電路、第一可編程電流比較器及控制電路。行譯碼器對(duì)行地址數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼，并據(jù)以選擇出測(cè)試字線來(lái)與第一測(cè)試路徑電性連接。第一電壓泵電路配置在第一測(cè)試路徑...
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種電纜溝槽用傳感器支架，屬于電纜支架技術(shù)領(lǐng)域，該傳感器支架包括第一立桿、稱(chēng)重傳感器、固定板以及第一托臂，第一立桿和第一托臂對(duì)稱(chēng)重傳感器形成向下的拉力。本發(fā)明通過(guò)設(shè)置第一立桿、第一托臂、稱(chēng)重傳感器和固定板，稱(chēng)重傳感器能夠?qū)Φ谝煌斜?..
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N頂針裝置檢測(cè)方法，包括：將待檢測(cè)頂針裝置放置于檢測(cè)平臺(tái)；通過(guò)頂面光學(xué)系統(tǒng)獲取頂針裝置的頂針頂面圖像，基于頂針頂面圖像確定頂針裝置的頂針的排布缺陷信息；通過(guò)側(cè)面光學(xué)系統(tǒng)獲取頂針裝置的頂針側(cè)面圖像，基于頂針側(cè)面圖像確定頂針裝置的...
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