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信息存儲應用技術
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N存儲器及其制造方法、讀寫方法、電子設備。本申請的存儲器包括襯底和存儲單元，所述存儲單元包括沿遠離所述襯底的方向依次設置的讀晶體管和寫晶體管；所述讀晶體管包括第一柵極、環(huán)繞所述第一柵極的側壁的第一溝道以及與所述第一溝道分別連接...
  • 本公開的一些實施例涉及一種具有按需帶寬提升的低功率存儲器。在具有命令/地址接口、定時接口和數(shù)據(jù)接口的存儲器部件中，命令/地址接口在第一間隔期間從控制部件接收第一命令/地址值，并且在第二間隔期間從控制部件接收第二命令/地址值。定時接口在第一間...
  • 本發(fā)明提供了一種全水泥基型超級電容器及其制備方法，涉及超級電容器技術領域。全水泥基型超級電容器包括第一水泥基電極、第二水泥基電極、介于第一水泥基電極和第二水泥基電極之間的發(fā)泡水泥隔離層。本發(fā)明構建了一種水泥基電極以及水泥基隔膜的全水泥型超級...
  • 一種記憶體裝置及操作記憶體的方法，操作記憶體的方法包括：提供多個MRAM單元，及將所述多個MRAM單元分割成多個群組，所述多個群組包括一第一群組及一第二群組。將該第一群組的一第一MRAM單元自一第一狀態(tài)寫入至一第二狀態(tài)，且將該第二群組的一第...
  • 存儲器裝置中的控制邏輯致使通過電壓被施加到所述存儲器裝置的存儲器陣列的塊的多條字線，所述塊包括多個子塊，且所述通過電壓將所述多個子塊中的每一者的溝道電位升壓到升壓電壓。所述控制邏輯進一步根據(jù)表示待編程到所述多個子塊的相應存儲器單元的位序列的...
  • 本公開涉及一種半導體存儲器件和操作半導體存儲器件的方法。所述半導體存儲器件包括存儲單元陣列、糾錯碼(ECC)引擎、刷新控制電路和控制邏輯電路。所述存儲單元陣列包括存儲單元行。所述刷新控制電路對所述存儲單元行執(zhí)行刷新操作。所述控制邏輯電路控制...
  • 本發(fā)明公開了一種存儲陣列結構及其喚醒方法，所述存儲陣列結構包括：多個存儲單元，所述多個存儲單元呈多行多列排布，其中，每個所述存儲單元均包括選擇開關晶體管和鐵電電容；位于同一行的多個所述存儲單元的選擇開關晶體管的柵極與同一字線電連接，位于同一...
  • 本發(fā)明的實施方式的存儲器系統(tǒng)包含存儲器器件與存儲器控制器。存儲器器件包含多個存儲單元。存儲器控制器構成為基于與多個存儲單元各自的閾值電壓分布的梯度有關的信息決定第1電壓，執(zhí)行跟蹤動作。存儲器控制器在跟蹤動作中，以多個存儲單元為對象，使存儲器...
  • 本發(fā)明公開一種NAND FLASH編程電壓的控制方法、裝置和存儲介質(zhì)，方法包括：根據(jù)NAND FLASH編程指令獲取預設上升電壓譯碼；接收電荷泵根據(jù)預設上升電壓譯碼產(chǎn)生的上升階梯電壓；根據(jù)上升階梯電壓將NAND FLASH的初始電壓階梯提升...
  • 本發(fā)明獲得了一種由雙MOF衍生的Ni2Zn6O4/NiCoP復合材料，其目的是要解決現(xiàn)有方法制備的過渡金屬氧化物電容量較低的問題。為制備具有高電導率、高能量密度的新型復合電極...
  • 本公開提供了一種存儲器控制電路及存儲器控制方法，存儲器控制電路包括第一狀態(tài)機、第二狀態(tài)機、擦寫流程識別單元、擦寫執(zhí)行電路，擦寫流程識別單元用于響應于處理器執(zhí)行的擦寫操作，向第一狀態(tài)機發(fā)送目標請求，向第二狀態(tài)機發(fā)送與擦寫指令對應的擦寫請求，并...
  • 用于增強型ECC模式的設備、系統(tǒng)及方法。存儲器陣列包含若干數(shù)據(jù)列平面及額外列平面。當存儲器裝置被設置在增強型ECC模式下時，數(shù)據(jù)存儲在所述數(shù)據(jù)列平面的子組中，并且錯誤校正碼電路(ECC)將對應奇偶校驗數(shù)據(jù)存儲在除數(shù)據(jù)列平面的所述子組或所述額...
  • 本文公開了用于讀取存儲器元件的編程狀態(tài)的設備、方法和系統(tǒng)。方法包括：將存儲器元件所連接的位線設定到第一電壓，以及向位線產(chǎn)生不同于第一電壓的補償電壓。方法還包括：向位線產(chǎn)生修改的感測電壓，該修改的感測電壓由補償電壓和從存儲器元件產(chǎn)生的感測電壓...
  • 本發(fā)明涉及整車測試技術領域，具體地說，涉及基于虛擬環(huán)境的整車測試平臺。其包括虛擬整車測試系統(tǒng)，虛擬整車測試系統(tǒng)包括通訊單元、顯示單元、調(diào)試單元和監(jiān)聽單元，通訊單元用于為待測試的診斷設備提供虛擬的測試環(huán)境，顯示單元用于將通訊單元的通訊狀態(tài)、總...
  • 本發(fā)明公開了一種SRAM存內(nèi)計算的脈沖編碼方法，屬于集成電路技術領域，包括如下步驟：對原輸入數(shù)據(jù)進行泊松編碼處理，得到脈沖編碼；根據(jù)隨機舍棄算法，基于脈沖編碼，對各時刻下的脈沖信號進行去重處理，得到去重復脈沖編碼；將去重復脈沖編碼輸入到LI...
  • 本發(fā)明公開了一種石墨烯超級電容器及其制造方法，屬于超級電容器技術領域。本發(fā)明取消傳統(tǒng)超級電容器中的電解液，用高介電常數(shù)的陶瓷為電介質(zhì)，以利于提高單體耐壓；采用石墨烯做電極增大電極材料的比表面積，進而增大超級電容容量。為了使兩電極的距離更小從...
  • 本發(fā)明公開了一種超級電容器材料的制備方法，包括：S1，將第一溶液、第二溶液、均苯三甲酸、聚乙烯吡咯烷酮、N,N?二甲基甲酰胺、無水乙醇和水混合，攪拌至透明，再進行水熱反應，得到超級電容器材料前體，第一溶液滿足情況一和/或第二溶液滿足情況二，...
  • 本發(fā)明公開一種電纜溝槽用傳感器支架，屬于電纜支架技術領域，該傳感器支架包括第一立桿、稱重傳感器、固定板以及第一托臂，第一立桿和第一托臂對稱重傳感器形成向下的拉力。本發(fā)明通過設置第一立桿、第一托臂、稱重傳感器和固定板，稱重傳感器能夠?qū)Φ谝煌斜?..
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N頂針裝置檢測方法，包括：將待檢測頂針裝置放置于檢測平臺；通過頂面光學系統(tǒng)獲取頂針裝置的頂針頂面圖像，基于頂針頂面圖像確定頂針裝置的頂針的排布缺陷信息；通過側面光學系統(tǒng)獲取頂針裝置的頂針側面圖像，基于頂針側面圖像確定頂針裝置的...
  • 本發(fā)明提供一種半導體存儲器裝置及其測試方法。半導體存儲器裝置包括多個字線、行譯碼器、第一電壓泵電路、第一可編程電流比較器及控制電路。行譯碼器對行地址數(shù)據(jù)進行譯碼，并據(jù)以選擇出測試字線來與第一測試路徑電性連接。第一電壓泵電路配置在第一測試路徑...
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