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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 本公開涉及一種制造半導(dǎo)體裝置的方法和對應(yīng)的裝置。半導(dǎo)體芯片被非LDS封裝材料(即不包括LDS?可激活添加劑的封裝材料)覆蓋。朝向半導(dǎo)體芯片穿過非LDS封裝材料打開一個或多個第一通路。在非LDS封裝材料上模制LDS封裝材料(即包括LDS?可激...
  • 本申請?zhí)峁┝薓EMS器件封裝方法；通過制作玻璃封蓋晶圓、鍵合環(huán)晶圓和臨時載板；鍵合玻璃封蓋晶圓和鍵合環(huán)晶圓形成蓋帽晶圓；鍵合蓋帽晶圓和臨時載板形成臨時蓋帽晶圓；沿著第二切片槽對玻璃封蓋晶圓和鍵合環(huán)晶圓切片；在鍵合環(huán)晶圓表面制作金屬中間層；通...
  • 本申請?zhí)峁┮环NMEMS壓電器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，包括：在襯底上至少依次層疊基底層、壓電層和表面層；刻蝕所述表面層使所述壓電層暴露，至少在所述壓電層的敏感區(qū)域保留所述表面層。通過在壓電層表面的敏感區(qū)域保留表面層，以對敏感區(qū)域壓...
  • 本發(fā)明公開了一種多層硅電互聯(lián)結(jié)構(gòu)及制備方法，該結(jié)構(gòu)包括從上到下依次設(shè)置的頂部硅布線層、絕緣層、底部硅布線層，所述底部硅布線層上有底部硅布線結(jié)構(gòu)，所述頂部硅布線層上有頂部硅布線結(jié)構(gòu)，所述頂部硅布線層上開有頂部深孔，所述頂部深孔貫穿所述絕緣層，...
  • 本申請公開一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面形成有導(dǎo)電區(qū)；在導(dǎo)電區(qū)上形成第一介質(zhì)層，第一介質(zhì)層至少暴露出導(dǎo)電區(qū)的部分表面；在第一介質(zhì)層的表面形成第一導(dǎo)電層，且第一導(dǎo)電層保形覆蓋所述第一介質(zhì)層，還覆蓋暴露的導(dǎo)電區(qū)...
  • 本發(fā)明公開了一種微機(jī)電系統(tǒng)器件的制造方法及微機(jī)電系統(tǒng)器件，制造方法包括：在晶圓的正面上的非刻蝕區(qū)域形成圖形化的金屬氧化物掩膜層；對晶圓正面上的待刻蝕區(qū)域進(jìn)行干法刻蝕，在晶圓的正面形成具有孔道結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)器件；通過濕法刻蝕去除金屬氧化物掩...
  • 本發(fā)明公開了一種像素級MEMS結(jié)構(gòu)及使用方法，屬于顯示器技術(shù)領(lǐng)域。一種像素級MEMS結(jié)構(gòu)，包括基板和光源，所述基板位于光源的下方；像素結(jié)構(gòu)，像素結(jié)構(gòu)位于光源的上方；所述像素結(jié)構(gòu)包括：反射膜一，所述反射膜一位于光源的上方，所述反射膜一的上方設(shè)...
  • 本發(fā)明涉及一種嵌入式六軸慣性感測系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)及其裝配方法。該封裝結(jié)構(gòu)包括異形多腔體多層布線陶瓷塊；異形多腔體多層布線陶瓷塊，用于實(shí)現(xiàn)MEMS傳感器單元和數(shù)據(jù)處理電路的集成安裝。異形多腔體多層布線陶瓷塊包括陶瓷塊；陶瓷塊上嵌入安裝有多個ME...
  • 本發(fā)明公開了一種空腔內(nèi)壁布滿熱氧化層的Cavity?SOI制備方法，本發(fā)明涉及Cavity?SOI制作技術(shù)領(lǐng)域，方法包括獲取空腔晶圓，對空腔晶圓進(jìn)行一次熱氧化工藝，形成一次熱氧化層，采用濕法工藝刻蝕去除一次熱氧化層，對空腔晶圓進(jìn)行二次熱氧化...
  • 本發(fā)明涉及保鮮盒技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種智能型保鮮盒，包括保溫外盒，所述保溫外盒的內(nèi)部設(shè)置有儲物內(nèi)盒，所述儲物內(nèi)盒的底部設(shè)置有保鮮部件，所述保鮮部件包括集液斗，所述集液斗的內(nèi)底面固定連接有儲冰框，所述儲冰框內(nèi)填充有冰塊，所述儲物內(nèi)盒的底部開...
  • 本申請涉及一種絞合線纏線設(shè)備及絞合線纏線工藝，涉及絞合線纏線的技術(shù)領(lǐng)域，其包括設(shè)備主體、控制面板、支撐塊、限位機(jī)構(gòu)、纏繞機(jī)構(gòu)和移動機(jī)構(gòu)。本申請具有快速纏繞絞合線，提高纏線效率的效果，通過設(shè)置于設(shè)備主體前左端的限位機(jī)構(gòu)，可對待纏線物料進(jìn)行定位...
  • 本發(fā)明公開了一種太赫茲波段高電容比的金屬并聯(lián)式RF MEMS開關(guān)，屬于射頻前端器件領(lǐng)域。整體結(jié)構(gòu)由支流端口金屬塊，直流偏置線，微帶線匹配結(jié)構(gòu)，金屬梁MEMS開關(guān)，金屬梁的金屬電極，氮化硅絕緣層，硅基襯底，共面波導(dǎo)金屬地和金屬地組成。金屬梁的...
  • 本申請公開了一種靜電驅(qū)動MEMS微鏡及制備方法，該靜電驅(qū)動MEMS微鏡包括：上驅(qū)動硅片、微鏡硅片和下驅(qū)動硅片；微鏡硅片包括：轉(zhuǎn)軸和轉(zhuǎn)動鏡體，轉(zhuǎn)軸和轉(zhuǎn)動鏡體垂直于上驅(qū)動硅片和下驅(qū)動硅片；轉(zhuǎn)軸貫穿轉(zhuǎn)動鏡體，且二者之間設(shè)有旋轉(zhuǎn)空隙；上驅(qū)動硅片和下...
  • 本實(shí)用新型公開了一種內(nèi)置隔斷可調(diào)節(jié)保溫保冷容器。本實(shí)用新型，包括保溫保冷容器，所述保溫保冷容器內(nèi)部底端的中間位置設(shè)置有中心隔斷，所述中心隔斷的兩端轉(zhuǎn)動安裝有活動隔斷，所述中心隔斷和活動隔斷一端的頂部和底部均開設(shè)有滑槽，所述中心隔斷和活動隔斷...
  • 本實(shí)用新型屬于藥物原料儲存的技術(shù)領(lǐng)域，具體為原料恒溫儲放裝置，所述的放置架設(shè)置在恒溫箱內(nèi)，所述的放置架由第一動力裝置驅(qū)動；所述的放置架轉(zhuǎn)動連接有原料架，所述的原料架由第二動力裝置驅(qū)動；所述的原料架上開設(shè)有出料管道，所述的原料架滑動連接有與出...
  • 本實(shí)用新型公開了一種用于農(nóng)產(chǎn)品存放的保鮮裝置，屬于農(nóng)產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域,包括有保鮮箱體和保鮮箱門，保鮮箱體的內(nèi)部設(shè)置有隔板，保鮮箱體在靠近內(nèi)壁和隔板一側(cè)的位置上均對稱設(shè)置有兩個支撐桿，同側(cè)的支撐桿之間設(shè)置有若干移動側(cè)板，移動側(cè)板在相面對的一側(cè)中間...
  • 本公開涉及一種鎖總成機(jī)構(gòu)、車門以及車輛，鎖總成機(jī)構(gòu)包括，鎖座，用于沿預(yù)設(shè)方向運(yùn)動以釋放車門；鎖定件，活動連接于鎖座，鎖定件具有解鎖位置；以及第一驅(qū)動構(gòu)件，包括分別能夠帶動位于解鎖位置的鎖定件運(yùn)動的電驅(qū)動件和手動驅(qū)動件，且通過鎖定件帶動鎖座運(yùn)...
  • 本實(shí)用新型公開了一種高安全性的生態(tài)環(huán)境監(jiān)測用樣品存放裝置，涉及樣本存放設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括支撐腿、調(diào)控底座、門把、密封門和限位栓，所述支撐腿上方設(shè)置有調(diào)控底座，所述調(diào)控底座上方設(shè)置有箱體，所述箱體右側(cè)安裝有密封門，且密封門左側(cè)設(shè)置有門把，所述...
  • 本發(fā)明涉及MEMS制造的技術(shù)領(lǐng)域，它涉及一種用于陽極鍵合工藝的動態(tài)電壓控制方法，將初始電壓值設(shè)為固定電壓值的50%?70%，實(shí)時監(jiān)測鍵合界面電阻值、界面溫度場分布及局部應(yīng)力變化；根據(jù)界面電阻下降速率與溫度梯度進(jìn)行電壓層級響應(yīng)：將模糊PID與...
  • 本發(fā)明公開了一種控制MEMS空腔結(jié)構(gòu)硅厚的方法，包括以下步驟：S1，在硅襯底上沉積介質(zhì)層，使用光刻和刻蝕形成圖形化的掩模；S2，基于掩模開口位置，通過濕法腐蝕的方式，根據(jù)所要腐蝕硅襯底的厚度即目標(biāo)硅厚，計算出預(yù)計腐蝕時間；S3，加以過量的腐...
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