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五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術
  • 本申請公開一種半導體激光器的腔面處理方法和半導體激光器，該方法將經(jīng)過大氣解理和預處理的激光器芯片堆疊放置到進樣腔進行第一熱處理，隨后在生長腔依次進行第二熱處理、注入還原性氣體沖擊和進行第三熱處理，并注入含氟離子源氣體對GaAs基底表面進行表...
  • 一種基于水冷與磁約束的空心陰極細長管筒件內(nèi)壁快速均勻沉積薄膜的裝置及使用方法。它屬于表面處理領域。它解決了現(xiàn)有方法受限于空心陰極端口局部溫度過高，導致的空心陰極靶變形失效的問題。裝置：水冷與磁約束結合。方法：自輝光清洗細長管筒件內(nèi)壁；空心陰...
  • 一種用于實現(xiàn)顏色效果的TiO2CrAlCr夾層復合膜及制備方法，該夾層復合膜包括由內(nèi)自外順序堆疊的二氧化鈦層(TiO2層)、第一層鉻層(Cr層)、鋁層(Al層)和第二層鉻層(Cr層)。所得復合膜具...
  • 本發(fā)明涉及一種分批型襯底處理裝置，所述分批型襯底處理裝置用于防止因工藝氣體在氣體入口端口的內(nèi)圓周表面上的冷凝而引起的粉末形成，所述分批型襯底處理裝置包括：反應管，用于提供處理空間，在所述處理空間中容置有多個襯底；環(huán)狀的凸緣部，具有設置在其中...
  • 本發(fā)明屬于原子層沉積技術領域，涉及一種等離子體原子層沉積設備，包括：反應氣體輸入組件，用于輸入反應氣體；反應試劑輸入組件，用于輸入反應試劑；等離子氣體生成組件，用于利用所述反應氣體生成等離子氣體；所述等離子氣體生成組件與所述反應氣體輸入組件...
  • 本發(fā)明公開了一種高折射率增透防藍光鏡片及其加工工藝，其包括：固化后的樹脂基片，樹脂基片表面通過溶膠凝膠工藝成型出加硬層；鍍制于樹脂基片表面的低反混合膜層，低反混合膜層由內(nèi)至外依次包括氧化鋯膜層、二氧化硅膜層、氧化鈦膜層、二氧化硅膜層、氧化鈦...
  • 本發(fā)明屬于半導體材料的技術領域，公開了一種改性氮化硅薄膜及其制備方法和應用。本發(fā)明提供的改性氮化硅薄膜的制備方法包括采用熱原子層沉積向所述反應室中依次引入硅前驅(qū)體和金屬摻雜碳點進行化學吸附后，再采用氮源等離子氣體進行反應以最終得到改性氮化硅...
  • 本實用新型涉及鍍膜加工技術領域，且公開了一種翻板機構及鍍膜設備，包括安裝座，安裝座的頂部后端固定安裝有限位滑塊，安裝座的內(nèi)壁設置有自動夾持同步翻板機構，自動夾持同步翻板機構包括有第一伺服電機，且第一伺服電機的左側壁面與安裝座的右側壁面固定連...
  • 本發(fā)明公開了一種用于路燈燈桿生產(chǎn)的鍍鋅機構，包括鍍鋅池，所述鍍鋅池的一側表面固定安裝有固定框，所述固定框的一側表面固定安裝有氣缸一，所述氣缸一的活塞桿端固定安裝有升降板，所述升降板的一側表面固定安裝有軸座，所述軸座的一側表面轉動有轉軸一，所...
  • 本申請公開一種預熱裝置及光伏材料加工設備，預熱裝置包括真空腔體、兩個加熱組件和兩個噴淋組件。真空腔體設有容納腔，容納腔包括沿真空腔體的厚度方向設置的第一側和第二側。兩個加熱組件相對設置于第一側和第二側，加熱組件用于對第一側和第二側的片狀材料...
  • 本公開涉及一種CrAlN涂層及其制備方法，該包括以下步驟：S1.在鍍膜室內(nèi)通入N2，啟動Cr靶，在基片上沉積CrN過渡層；S2.繼續(xù)通入N2，關閉Cr靶啟動Cr50Al
  • 提供一種用于在襯底上沉積蒸鍍材料的系統(tǒng)。所述襯底具有中心軸線。所述系統(tǒng)包含蒸鍍真空室、至少一個噴嘴組合件及陰影掩模。所述噴嘴組合件具有三點式多個點蒸鍍源，其經(jīng)安置成鄰近于所述襯底的中心軸線且在離所述襯底某一距離處，借此所述噴嘴組合件提供蒸鍍...
  • 本發(fā)明涉及真空鍍膜技術領域，尤其是指一種自動上下傘的雙面光學鍍膜設備，包括機體、均設置于機體的真空鍍膜機構、上下料機構以及公轉模組，公轉模組用于驅(qū)動傘具進行轉動，真空鍍膜機構用于對公轉模組上的傘具內(nèi)產(chǎn)品進行真空鍍膜，上下料機構用于對公轉模組...
  • 本申請?zhí)峁┮环N升降機構及預熱裝置，預熱裝置包括預熱艙，預熱艙用于加熱片狀材料，預熱艙包括沿豎直方向設置的預熱位置和傳輸位置，預熱位置為片狀材料加熱時在預熱艙內(nèi)的位置，傳輸位置用于對接與預熱艙連通的反應艙，升降機構設置于預熱艙內(nèi)，升降機構包括...
  • 本發(fā)明提供了一種在涂布輥上為條狀柔性電介質(zhì)基材涂金屬層的方法及裝置，在該涂層期間，將該基材沿著該基材的縱向方向引導到該涂布輥上。對該基材進行充電，以提高該基材在該涂層期間在該涂布輥上的附著力。為該基材涂第一金屬層，其中沿著該基材的該縱向方向...
  • 本發(fā)明公開一種工藝氣體噴嘴及半導體工藝腔室，所公開的工藝氣體噴嘴包括噴嘴主體(21)、第一凸起(22)和環(huán)狀部(23)，所述噴嘴主體(21)具有第一端(213)和第二端(214)，所述環(huán)狀部(23)環(huán)繞所述第二端(214)設置，所述第一凸起...
  • 本公開涉及一種CrAlTiSiN涂層及其制備方法，該包括以下步驟：S1.在鍍膜室內(nèi)通入N2，啟動Cr靶，在基片上沉積CrN過渡層；S2.繼續(xù)通入N2，關閉Cr靶，啟動Cr50...
  • 本發(fā)明公開了一種GH4169材料離子注入表面改性的方法，包括如下步驟：對GH4169材料進行表面拋光及清洗；將GH4169材料放入離子注入設備真空腔體內(nèi)進行抽真空；對GH4169材料進行加熱；對GH4169材料依次循環(huán)進行非金屬離子注入和金...
  • 本發(fā)明提出了一種耐腐蝕低摩擦的CoCrNiTiC中熵合金碳化物薄膜及其制備方法。其組成元素為Co、Cr、Ni、Ti和C。采用平面射頻磁控濺射在基體和單晶硅片(100)上制備CoCrNiTiC中熵合金碳化物薄膜，靶材選擇CoCrNi合金靶、T...
  • 本發(fā)明屬于疏水薄膜制備方法技術領域，具體涉及一種高含量氧化鈦疏水薄膜的制備方法。本發(fā)明采用多弧離子鍍制備TiO2工藝，首先利用電壓擊穿產(chǎn)生輝光等離子體，在真空室壁與金屬工件間生成一個加速電場，帶電粒子在電場加速下高速撞...
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