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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利用于半導體結構的互連方法與半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111261603B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811460125.7，技術領域涉及：H01L23/48；該發明授權用于半導體結構的互連方法與半導體結構是由吳秉桓設計研發完成，并于2018-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于半導體結構的互連方法與半導體結構在說明書摘要公布了：本公開提供一種用于半導體結構的互連方法與半導體結構?；ミB方法包括：提供堆疊結構，堆疊結構包括多層鍵合的晶圓或芯片，每層晶圓或芯片包括襯底和布線層，布線層包括多條金屬導線；形成硅通孔于所述堆疊結構，所述硅通孔與部分所述金屬導線相連接；填充導電材料于所述硅通孔。本公開的互連方法可以通過一次掩?？涛g制程制作使堆疊結構中各層晶圓或芯片進行電連接。

本發明授權用于半導體結構的互連方法與半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種用于半導體結構的互連方法，其特征在于，包括：提供堆疊結構，所述堆疊結構包括多層鍵合的晶圓或芯片，每層所述晶圓或芯片包括襯底和布線層，所述布線層包括多條金屬導線；形成硅通孔于所述堆疊結構，所述硅通孔與部分所述金屬導線相連接；填充導電材料于所述硅通孔；所述形成硅通孔于所述堆疊結構包括：對所述堆疊結構垂直制作具有直徑為D1n和長度為L1n的m個第一盲孔H1n，所述第一盲孔H1n在所述晶圓或芯片中的穿透位置位于所述金屬導線之間，且D1n小于所述金屬導線的間距DLn，L1n小于所述堆疊結構的高度L0；對所述m個第一盲孔的內部和所述堆疊結構的上表面涂覆掩模；對所述m個第一盲孔上部的掩模進行干刻蝕以在第一盲孔H1n中從上至下去除長度為L2n的掩模；在所述第一盲孔H1n中去除掩模的部位制作直徑為D2n和長度為L2n的第二盲孔H2n，使所述第二盲孔的側壁露出所述金屬導線的端面；去除全部掩模。

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