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龍圖騰網恭喜電力集成公司申請的專利一種高壓場效應晶體管及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114758992B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-25發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210306044.1，技術領域涉及：H01L23/29；該發(fā)明授權一種高壓場效應晶體管及其制造方法是由阿列克謝·庫迪莫夫;L·劉;王曉輝;賈馬爾·拉姆達尼設計研發(fā)完成，并于2017-04-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高壓場效應晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種高壓場效應晶體管（HFET）及其制造方法，該高壓場效應晶體管包括第一半導體材料、第二半導體材料和異質結。所述異質結布置在所述第一半導體材料和所述第二半導體材料之間。HFET還包括多個復合鈍化層，其中第一復合鈍化層包括第一絕緣層和第一鈍化層，并且第二復合鈍化層包括第二絕緣層和第二鈍化層以及第三復合鈍化層包括第三絕緣層和第三鈍化層，其中，所述多個復合鈍化層中的所述絕緣層由適于形成柵極絕緣體的電介質制成。柵極電介質布置在所述第一鈍化層和所述第二半導體材料之間。柵極電極布置在所述柵極電介質和所述第一鈍化層之間。第一柵極場板布置在所述第一鈍化層和所述第二鈍化層之間，其中，所述第一柵極場板與柵極電極耦接。

本發(fā)明授權一種高壓場效應晶體管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種高壓場效應晶體管，包括：第一半導體材料、第二半導體材料和異質結，其中所述異質結布置在所述第一半導體材料和所述第二半導體材料之間；多個復合鈍化層，包括：第一復合鈍化層，所述第一復合鈍化層具有第一絕緣層和第一鈍化層，其中所述第一鈍化層布置在所述第二半導體材料和所述第一絕緣層之間，以及所述第一絕緣層由適于形成柵極絕緣體的電介質制成；第二復合鈍化層，所述第二復合鈍化層具有第二絕緣層和第二鈍化層，其中所述第二鈍化層布置在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間，以及所述第二絕緣層由適于形成柵極絕緣體的電介質制成；以及第三復合鈍化層，所述第三復合鈍化層具有第三絕緣層和第三鈍化層，其中所述第三鈍化層布置在所述第二絕緣層和所述第三絕緣層之間；第四鈍化層，其中，所述第三絕緣層布置在所述第四鈍化層和所述第三鈍化層之間，第一柵極場板，所述第一柵極場板布置在所述第一鈍化層和所述第二鈍化層之間，其中，所述第一柵極場板與柵極電極耦接；第二柵極場板，所述第二柵極場板與所述第一柵極場板耦接，其中，所述第二柵極場板從所述第二鈍化層延伸、穿過所述第二絕緣層、穿過所述第三鈍化層、并且進入所述第四鈍化層；以及柵極電介質，所述柵極電介質布置在所述第一鈍化層和所述第二半導體材料之間；其中，所述柵極電極布置在所述柵極電介質和所述第一鈍化層之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人電力集成公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。