恭喜日亞化學工業株式會社森祐太獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜日亞化學工業株式會社申請的專利發光元件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN110416381B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-25發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201910327489.6,技術領域涉及:H10H20/841;該發明授權發光元件是由森祐太;船蔵優作設計研發完成,并于2019-04-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本發光元件在說明書摘要公布了:本發明提供一種既能夠抑制正向電壓的上升又能夠提高光取出效率的發光元件。發光元件具備半導體層積體,該半導體層積體具有:n型半導體層,其包括光取出面和n側接觸面,該n側接觸面設于所述光取出面的相反側;發光層,其設于所述n型半導體層的除所述n側接觸面以外的區域;p型半導體層,其設于所述發光層上。俯視觀察時,所述p型半導體層以包圍所述n側接觸面的方式設置。在所述n側接觸面的包含中央部的區域設有第一絕緣膜。設有具有n接觸部的n側電極,該n接觸部設于所述n側接觸面中的所述第一絕緣膜的周圍且與所述n側接觸面接觸。
本發明授權發光元件在權利要求書中公布了:1.一種發光元件,具備半導體層積體,該半導體層積體具有:n型半導體層,其包括光取出面和n側接觸面,該n側接觸面設于所述光取出面的相反側,俯視觀察時為圓環狀;發光層,其設于所述n型半導體層的除所述n側接觸面以外的區域;p型半導體層,其設于所述發光層上;其特征在于,俯視觀察時,所述p型半導體層以包圍所述n側接觸面的方式設置,所述發光元件具備:臺面部,其為俯視觀察時,被所述n側接觸面包圍,層積有所述發光層及所述p型半導體層的部分;第一絕緣膜,其覆蓋所述臺面部的上表面及側面;反射膜,其設于所述第一絕緣膜與所述臺面部之間;p側電極,其設于所述p型半導體層上,與所述p型半導體層接觸;第二絕緣膜,其設于所述p側電極的上方;n側電極,其具有n接觸部和外部連接部,所述n接觸部設于所述第一絕緣膜上,與所述n側電極面接觸;所述外部連接部設于所述第二絕緣膜上,與所述n接觸部相連,在所述第一絕緣膜與所述臺面部的上表面之間設置有所述p側電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人日亞化學工業株式會社,其通訊地址為:日本德島縣;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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