恭喜華南理工大學李國強獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華南理工大學申請的專利一種二維MXene功能化的InxGa1-xN納米柱及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110655035B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911007669.2，技術領域涉及：B81B7/04；該發明授權一種二維MXene功能化的InxGa1-xN納米柱及其制備方法與應用是由李國強;林靜;余粵鋒;張志杰設計研發完成，并于2019-10-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種二維MXene功能化的InxGa1-xN納米柱及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種二維MXene功能化的InxGa1?xN納米柱及其制備方法與應用。該二維MXene功能化的InxGa1?xN納米柱包括襯底、襯底上的MXene層、生長在MXene層上的InxGa1?xN納米柱；其中0≤x≤1。本發明采用二維MXene作為襯底與InxGa1?xN納米柱之間的功能層，不僅拓寬了襯底的選擇范圍，降低了成本；還有效降低了襯底與納米柱之間的界面阻抗，有利于增強載流子輸運性能，大幅度提高納米柱的光電性能；同時避免了納米柱在襯底上容易被刻蝕的缺點，提高其光電穩定性。總之，二維MXene功能化的InxGa1?xN納米柱在光電解水制氫、光電探測器、太陽能電池中具有重要應用前景。
本發明授權一種二維MXene功能化的InxGa1-xN納米柱及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種二維MXene功能化的InxGa1-xN納米柱，其特征在于，包括襯底（1）、襯底（1）上的MXene層（2）、生長在MXene層（2）上的InxGa1-xN納米柱（3）；其中0≤x≤1；所述MXene為Ti3C2、V2C、Ta4C3、MoC3、Ti3CN中的一種或兩種；所述襯底上的MXene層厚度為3nm~200nm；所述生長在MXene層上的InxGa1-xN納米柱包括GaN納米柱、InGaN納米柱、InN納米柱、InGaNGaN核殼結構納米柱、InNInGaN核殼結構納米柱中的一種或多種；所述生長在MXene層上的InxGa1-xN納米柱的高度為50~2000nm,直徑為15~500nm。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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