恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司鄭二虎獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112531104B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910888436.1，技術領域涉及：H10N50/01；該發明授權半導體結構及其形成方法是由鄭二虎設計研發完成，并于2019-09-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成若干相互分立的磁隧道結，且所述磁隧道結側壁表面具有損傷層；在所述基底表面、磁隧道結頂部表面、以及損傷層頂部表面形成第一介質膜；形成所述第一介質膜之后，采用第一刻蝕工藝，去除所述損傷層。所述方法在去除損傷層的同時，能夠提高形成的半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上采用反應離子刻蝕或者離子束刻蝕形成若干相互分立的磁隧道結，且所述磁隧道結側壁表面具有損傷層；在所述基底表面、磁隧道結頂部表面以及損傷層頂部表面形成第一介質膜，在形成所述第一介質膜的過程中，在所述損傷層側壁表面形成第二介質膜；形成所述第一介質膜之后，采用第一刻蝕工藝，去除所述第二介質膜和所述損傷層，所述第一刻蝕工藝為離子束刻蝕，所述離子束刻蝕的工藝參數包括：采用的氣體包括氬Ar、Ne或者Xe，時間為50秒~300秒，流量為5標準毫升分鐘-200標準毫升分鐘，所述離子束與基底表面的夾角范圍為55度~88度，所述第一介質膜在垂直于基底表面方向上具有第一尺寸，所述第二介質膜在垂直于磁隧道結側壁表面方向上具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸以使所述第一刻蝕工藝停止于所述第一介質膜內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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