買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜日產自動車株式會社申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111937123B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-11發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880091847.1，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權半導體裝置及其制造方法是由丸井俊治;林哲也;沼倉啟一郎;倪威;田中亮太;竹本圭佑設計研發完成，并于2018-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體裝置及其制造方法。該半導體裝置具有：在主面形成有槽100的基板10、具有在槽100的底部配置的部分的第一導電型的漂移區域20、與漂移區域20連接而在槽100的一方的側面配置的第二導電型的阱區30、與漂移區域20分離而在槽100的側面配置在阱區30的表面的第一導電型的第一半導體區域40、在槽100的內部間隔著漂移區域20而與阱區30對置配置的第一導電型的第二半導體區域50、以及在跨越阱區30及第一半導體區域40各自的上表面而形成有開口部且在槽100的深度方向上延伸的柵極溝槽的內部配置并與阱區30對置的柵電極60。

本發明授權半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：基板，其在主面形成有槽；第一導電型的漂移區域，其具有在所述槽的底部配置的部分；第二導電型的阱區，其與所述漂移區域連接，并配置在所述槽的一方的側面；作為源極區的第一導電型的第一半導體區域，其與所述漂移區域分離，在所述槽的所述側面配置在所述阱區的表面；作為漏極區的第一導電型的第二半導體區域，其在所述槽的內部間隔著所述漂移區域而與所述阱區對置配置；柵電極，其配置在柵極溝槽的內部配置，與所述阱區對置，所述柵極溝槽跨越所述阱區及所述第一半導體區域各自的上表面而形成有開口部且在所述槽的深度方向上延伸；第一主電極，其在所述槽的所述側面配置在所述第一半導體區域的表面，與所述第一半導體區域電連接；第二主電極，其與所述第一主電極對置而配置在所述槽的內部，并與所述第二半導體區域電連接；隔離絕緣膜，其在所述第一主電極與所述第二主電極之間填埋所述槽的內部而配置；所述隔離絕緣膜的由所述第一主電極與所述第二主電極夾著的部分由與所述槽的所述側面并列延伸的分割槽分割。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人日產自動車株式會社，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。