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龍圖騰網(wǎng)恭喜曹建峰申請(qǐng)的專利一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復(fù)合結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112601368B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110152953.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H05K3/00；該發(fā)明授權(quán)一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復(fù)合結(jié)構(gòu)是由曹建峰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-02-04向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復(fù)合結(jié)構(gòu)在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復(fù)合結(jié)構(gòu)，包括金屬基底層，設(shè)置在金屬基底層上的粘接層，設(shè)置在粘接層上的第一絕緣層，設(shè)置在第一絕緣層上的第二絕緣層，設(shè)置在第二絕緣層上的第三絕緣層，在第三絕緣層上設(shè)置的傳感器電路層，在第三絕緣層上設(shè)置或不設(shè)置覆蓋第三絕緣層和傳感器電路層的保護(hù)層。本發(fā)明由于氮化硅絕緣層不與金屬基底接觸，杜絕了其在高溫環(huán)境下與金屬基底發(fā)生反應(yīng)的可能；同時(shí)由于氮化硅絕緣層的隔離，使得氧化鋁絕緣層中的針孔被阻隔，從而不會(huì)導(dǎo)致傳感器電路層與金屬基底之間的短路，確保了基于金屬基底的薄膜傳感器在高溫環(huán)境下使用時(shí)的絕緣能力。

本發(fā)明授權(quán)一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復(fù)合結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括金屬基底層，設(shè)置在金屬基底層上的粘接層，設(shè)置在粘接層上的第一絕緣層，設(shè)置在第一絕緣層上的第二絕緣層，設(shè)置在第二絕緣層上的第三絕緣層，在第三絕緣層上設(shè)置的傳感器電路層，在第三絕緣層上設(shè)置覆蓋第三絕緣層和傳感器電路層的保護(hù)層；所述粘接層為在金屬基底上淀積的厚5～50nm的金屬鈦層或金屬鉻層；所述第一絕緣層為通過(guò)電子束蒸發(fā)工藝在粘接層上淀積的厚0.2～5um的氧化鋁絕緣層；所述第二絕緣層為通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝在第一絕緣層上淀積的厚0.5～5um的氮化硅絕緣層；所述第三絕緣層為通過(guò)電子束蒸發(fā)工藝在第二絕緣層上淀積的厚0.2～5um的氧化鋁絕緣層；所述保護(hù)層為借助金屬掩膜版，通過(guò)電子束蒸發(fā)工藝在除傳感器電路層焊盤外的區(qū)域上淀積的厚0.2～5um的氧化鋁層，氧化鋁層不覆蓋傳感器電路層的焊盤。

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