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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利不斷開高功率電路的電容測量獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111771269B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980015041.9，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權不斷開高功率電路的電容測量是由蘇尼爾·卡普爾;托馬斯·弗雷德里克設計研發完成，并于2019-02-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本不斷開高功率電路的電容測量在說明書摘要公布了：提供了一種用于等離子體輔助的半導體處理的方法和裝置。該方法包括：a在所述多個站中的每個站處提供襯底；b將包括第一目標頻率的RF功率分配給多個站，從而在所述站內產生等離子體，其中，根據配置為減小站與站之間的變化的RF功率參數來分配所述RF功率；c調諧用于被包括在所述多個站中的第一站的阻抗匹配電路，同時通過以下方式將RF功率分配給所述第一站：i在不將電容器與所述阻抗匹配電路斷開的情況下，測量所述阻抗匹配電路中的所述電容器的電容；以及ii根據i中所測得的所述電容和所述RF功率參數，調節所述電容器的電容；以及d在每個站處在所述襯底上執行半導體處理操作。

本發明授權不斷開高功率電路的電容測量在權利要求書中公布了：1.一種在處理室中的多個站中進行等離子體輔助的半導體處理的方法，該方法包括：a在所述多個站中的每個站處提供襯底；b將包括第一目標頻率的RF功率分配給多個站，從而在所述站內產生等離子體，其中，根據配置為減小站與站之間的變化的RF功率參數來分配所述RF功率；c調諧用于被包括在所述多個站中的第一站的阻抗匹配電路，同時通過以下方式將RF功率分配給所述第一站：i在不將電容器與所述阻抗匹配電路斷開的情況下，測量所述阻抗匹配電路中的所述電容器的電容；以及ii根據i中所測得的所述電容和所述RF功率參數，調節所述電容器的電容；以及d在每個站處在所述襯底上執行半導體處理操作。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。