恭喜索尼公司松本光市獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜索尼公司申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112201626B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010965994.6，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體裝置是由松本光市設計研發完成，并于2011-10-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體裝置，其包括第一導電型晶體管和第二導電型晶體管，其中，第一導電型和第二導電型彼此不同，第一導電型晶體管和第二導電型晶體管每一者均包括：ⅰ包括多個金屬層的金屬柵極電極，以及ⅱ金屬柵極電極側壁間隔部，第一導電型晶體管的金屬柵極電極的側壁與第一導電型晶體管的金屬柵極電極的相對應的側壁間隔部之間的距離大于第二導電型晶體管的金屬柵極電極的側壁與第二導電型晶體管的金屬柵極電極的相對應的側壁間隔部之間的距離，并且第一導電型晶體管的金屬柵極電極的柵極長度與第二導電型晶體管的金屬柵極電極的柵極長度不同。本發明可以提供具有微細結構并能夠使柵極長度最優化的半導體裝置。
本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管和所述第二晶體管每一者均包括：柵極絕緣膜，所述柵極絕緣膜形成在基體上；金屬柵極電極，所述金屬柵極電極形成在所述柵極絕緣膜上；以及側壁間隔部，所述側壁間隔部形成在所述金屬柵極電極的側壁處，其中，在所述第一晶體管和所述第二晶體管任意一者中，在所述金屬柵極電極的所述側壁與所述側壁間隔部的內壁之間形成有偏移間隔部，所述第一晶體管和所述第二晶體管每一者均包括具有鰭的鰭型場效應晶體管，所述偏移間隔部僅形成在所述側壁間隔部的內壁的下部處且被形成得直至高于所述鰭的上部的位置。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人索尼公司，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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