恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司王文智獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體結構、半導體結構的制造方法以及CMOS器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119364836B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411833439.2，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權半導體結構、半導體結構的制造方法以及CMOS器件是由王文智;劉哲儒設計研發完成，并于2024-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構、半導體結構的制造方法以及CMOS器件在說明書摘要公布了：本申請實施例提供了一種半導體結構、半導體結構的制造方法以及CMOS器件，該半導體結構包括：基底；形成于基底上的金屬柵極；其中，金屬柵極的表面具有凹槽；凹槽沿金屬柵極遠離基底的表面向靠近基底的方向延伸；凹槽具有底面側面；形成于金屬柵極遠離基底一側的柵極接觸結構；其中，柵極接觸結構與凹槽的底面和側面均相接觸。通過本申請實施例，增大了柵極接觸結構與金屬柵極的接觸面積，減小了柵極接觸結構與金屬柵極之間的接觸電阻，提升了CMOS器件的性能。
本發明授權半導體結構、半導體結構的制造方法以及CMOS器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括：基底；形成于所述基底上的金屬柵極；其中，所述金屬柵極的表面具有凹槽；所述凹槽沿所述金屬柵極遠離所述基底的表面向靠近所述基底的方向延伸；所述凹槽具有底面和側面；所述凹槽包括間隙部和接觸部；形成于所述金屬柵極上的層間介質層；其中，所述層間介質層對應所述接觸部具有介質層開口；在所述間隙部與所述層間介質層之間形成空氣間隙；形成于所述金屬柵極遠離所述基底一側的柵極接觸結構；其中，所述柵極接觸結構通過所述介質層開口與所述凹槽的接觸部的底面和側面均相接觸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區科創十三街29號院一區2號樓13層1302-C54；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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