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龍圖騰網恭喜西北工業大學申請的專利一種抗多節點翻轉的130nmSOI工藝SRAM存儲單元電路及其版圖結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119380780B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411968087.1，技術領域涉及：G11C11/419；該發明授權一種抗多節點翻轉的130nmSOI工藝SRAM存儲單元電路及其版圖結構是由趙曉冬;張洵穎;崔媛媛;張海金;楊帆設計研發完成，并于2024-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種抗多節點翻轉的130nmSOI工藝SRAM存儲單元電路及其版圖結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種抗多節點翻轉的130nmSOI工藝SRAM存儲單元電路及其版圖結構，存儲單元電路結構至少包括：上拉電路結構與下拉電路結構連接構成兩個反相互連鎖存結構，用于使多節點保持穩定，堆疊晶體管電路結構，采用PMOS晶體管堆疊構成存儲節點，使單元電路可以抗多節點翻轉，在產生干擾的情況下使存儲節點上的邏輯狀態恢復正常，存取管用于連接單元電路的字線及位線，尾晶體管用于降低靜態功耗及提高寫入讀取速率，利用P型晶體管堆疊產生的兩個節點可以有效應對多節點翻轉，在產生干擾的情況下使存儲位上的邏輯狀態恢復正常，提高了輻照環境下SRAM存儲器的抗翻轉能力。

本發明授權一種抗多節點翻轉的130nmSOI工藝SRAM存儲單元電路及其版圖結構在權利要求書中公布了：1.一種抗多節點翻轉的130nmSOI工藝SRAM存儲單元電路結構，其特征在于，所述存儲單元電路結構至少包括：上拉電路結構、下拉電路結構、堆疊晶體管電路結構、存取管及尾晶體管；所述上拉電路結構與所述下拉電路結構連接構成兩個反相互連鎖存結構，用于使多節點保持穩定；所述堆疊晶體管電路結構，采用PMOS晶體管堆疊構成存儲節點，使單元電路可以抗多節點翻轉，在產生干擾的情況下使存儲節點上的邏輯狀態恢復正常，其中，堆疊晶體管電路結構包括第五PMOS晶體管、第六PMOS晶體管、第七PMOS晶體管、第八PMOS晶體管；所述第七PMOS晶體管、第八PMOS晶體管分別構成第一存儲節點和第二存儲節點的堆疊結構；所述第五PMOS晶體管、第六PMOS晶體管分別構成第三存儲節點和第四存儲節點的堆疊結構；存取管用于連接單元電路的字線及位線，所述存取管包括第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管；尾晶體管采用第七NMOS晶體管，其用于降低靜態功耗及提高寫入讀取速率；所述上拉電路結構包括第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管、第四PMOS晶體管；所述下拉電路結構包括第三NMOS晶體管、第四NMOS晶體管、第五NMOS晶體管、第六NMOS晶體管；所述第一PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管分別為所述第一存儲節點和所述第二存儲節點的上拉結構，所述第五NMOS晶體管和所述第六NMOS晶體管分別為所述第一存儲節點和所述第二存儲節點的下拉結構；所述第三PMOS晶體管、第四PMOS晶體管分別為所述第三存儲節點和所述第四存儲節點的上拉結構，所述第三NMOS晶體管、第四NMOS晶體管分別為所述第三存儲節點和所述第四存儲節點的下拉結構；所述第一PMOS晶體管、所述第二PMOS晶體管、所述第三PMOS晶體管、所述第四PMOS晶體管的源極均連接電源VDD，所述第一PMOS晶體管的漏極連接所述第二PMOS晶體管的柵極、所述第五PMOS晶體管的柵極以及所述第七PMOS晶體管的源極并構成第一存儲節點，所述第二PMOS晶體管的漏極連接所述第一PMOS晶體管的柵極、所述第六PMOS晶體管的柵極以及所述第八PMOS晶體管的源極并構成第二存儲節點，所述第四PMOS晶體管的漏極連接所述第六PMOS晶體管的源極，所述第三PMOS晶體管的漏極連接所述第五PMOS晶體管的源極，所述第六PMOS晶體管的漏極連接所述第三PMOS晶體管的柵極、所述第二NMOS晶體管的源極、所述第三NMOS晶體管的柵極、所述第四NMOS晶體管的漏極以及所述第六NMOS晶體管的柵極并構成第三存儲節點，所述第五PMOS晶體管的漏極連接所述第四PMOS晶體管的柵極、第一NMOS晶體管的源極、所述第四NMOS晶體管的柵極、所述第三NMOS晶體管的漏極以及第五NMOS晶體管的柵極并構成第四存儲節點，所述第八PMOS晶體管的漏極連接所述第六NMOS晶體管的漏極，所述第七PMOS晶體管的漏極連接所述第五NMOS晶體管的漏極，所述第四NMOS晶體管的源極以及第三NMOS晶體管的源極均連接所述第七NMOS晶體管的漏極，所述第六NMOS晶體管的源極、所述第五NMOS晶體管的源極及所述第七NMOS晶體管的源極均連接GND；所述第二NMOS晶體管的柵極、所述第一NMOS晶體管的柵極均連接字線WL，所述第二NMOS晶體管的漏極連接位線BL，所述第一NMOS晶體管的漏極連接位線BLB，所述第八PMOS晶體管的柵極連接字位線WBLB，所述第七PMOS晶體管的柵極連接字位線WBL，所述第七NMOS晶體管的柵極連接寫字線WWL。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西北工業大學，其通訊地址為：710072 陜西省西安市友誼西路127號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。