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恭喜散裂中子源科學(xué)中心;中國科學(xué)院高能物理研究所袁寶獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜散裂中子源科學(xué)中心;中國科學(xué)院高能物理研究所申請的專利一種用于中子散射的高壓容器實驗裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN110806419B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:201911206689.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01N23/20033;該發(fā)明授權(quán)一種用于中子散射的高壓容器實驗裝置是由袁寶;胡海韜;白波;黃志強;林權(quán);張紹英;童欣設(shè)計研發(fā)完成,并于2019-11-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

一種用于中子散射的高壓容器實驗裝置在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種用于中子散射的高壓容器實驗裝置,包括:筒體、密封單元、鎖定單元、加熱單元、中子吸收層以及四刀光闌,筒體的側(cè)壁上設(shè)置有用于中子入射和散射的窗口,筒體內(nèi)設(shè)置有放置樣品管的腔體,密封單元用于將樣品管密封在腔體內(nèi),鎖定單元用于將樣品管鎖定在筒體內(nèi),中子吸收層設(shè)置在加熱單元的外側(cè),四刀光闌設(shè)置在中子吸收層的側(cè)面。本申請?zhí)峁┑纳鲜龇桨福i定裝置上的設(shè)置可保證加載力的加載及維持恒定;窗口的設(shè)置保證了中子入射和散射的無阻礙通過,提高了中子透過率,加熱單元的設(shè)置保證了樣品達到所需要的高溫環(huán)境,四刀光闌和中子吸收層的設(shè)置,分別減小了中子束斑和吸收雜散中子,降低了樣品衍射譜本底。

本發(fā)明授權(quán)一種用于中子散射的高壓容器實驗裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種用于中子散射的高壓容器實驗裝置,其特征在于,包括:筒體、密封單元、鎖定單元、加熱單元、中子吸收層以及四刀光闌,所述筒體的側(cè)壁上設(shè)置有用于中子入射和散射的窗口,所述筒體內(nèi)設(shè)置有放置樣品管的腔體,所述腔體的位置與所述窗口的位置向?qū)?yīng),所述密封單元用于將所述樣品管密封在所述腔體內(nèi),所述鎖定單元用于將所述樣品管鎖定在所述筒體內(nèi),所述加熱單元設(shè)置在所述筒體的外側(cè)壁,用于給所述樣品管中的樣品加熱,所述中子吸收層設(shè)置在所述加熱單元的外側(cè),用于對雜散中子進行吸收,所述四刀光闌設(shè)置在所述中子吸收層的側(cè)面,所述筒體內(nèi)設(shè)置有陶瓷腔體,所述樣品管設(shè)置在所述陶瓷腔體中,所述陶瓷腔體的周圍環(huán)繞有楔形環(huán),且所述陶瓷腔體與所述楔形環(huán)過盈配合,所述陶瓷腔體的上部和下部分別嵌入所述楔形環(huán)的圓錐孔內(nèi),三者呈同軸狀態(tài),接觸面貼合緊密,所述鎖定單元包括下鎖緊螺母、鎖緊環(huán)和上鎖緊螺母,所述下鎖緊螺母位于所述陶瓷腔體下部的楔形環(huán)的下側(cè),所述鎖緊環(huán)位于所述陶瓷腔體上部的楔形環(huán)的上側(cè),所述鎖緊環(huán)位于所述上鎖緊螺母與所述陶瓷腔體之間,對所述陶瓷腔體施加壓力,起到對所述陶瓷腔體固定的作用。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人散裂中子源科學(xué)中心;中國科學(xué)院高能物理研究所,其通訊地址為:523808 廣東省東莞市松山湖科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)科學(xué)園生產(chǎn)力大廈;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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