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龍圖騰網(wǎng)恭喜成都漢芯國(guó)科集成技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119400774B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411978378.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/532；該發(fā)明授權(quán)晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法是由劉松林;賴仕普;左小波;李坤;蔣本建設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，包括：依次連接的CPU模塊、硅中介層和基板，還包括第一硅通孔、金屬芯以及第一絕緣層，若干第一硅通孔開(kāi)設(shè)于硅中介層，第一硅通孔的開(kāi)口處開(kāi)設(shè)有緩沖腔；金屬芯填充于第一硅通孔內(nèi)，CPU模塊通過(guò)金屬芯與基板和硅中介層上蝕刻的電路電性連接；第一絕緣層填充于第一硅通孔與金屬芯之間不包括緩沖腔的一段，第一絕緣層具有熱塑性；其能解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓級(jí)芯片的TSV中填充的導(dǎo)電金屬熱膨脹后導(dǎo)致芯片損壞的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明授權(quán)晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.晶圓級(jí)芯片TSV封裝結(jié)構(gòu)，包括依次連接的CPU模塊（2）、硅中介層（1）和基板（5），其特征在于，還包括：若干第一硅通孔（102），開(kāi)設(shè)于所述硅中介層（1）上，所述第一硅通孔（102）的開(kāi)口處開(kāi)設(shè)有緩沖腔（209）；金屬芯（208），填充于所述第一硅通孔（102）內(nèi)，所述CPU模塊（2）通過(guò)所述金屬芯（208）與所述基板（5）和所述硅中介層（1）上蝕刻的電路電性連接；第一絕緣層（207），填充于所述第一硅通孔（102）與所述金屬芯（208）之間不包括所述緩沖腔（209）的一段，所述第一絕緣層（207）具有熱塑性；所述CPU模塊（2）包括逐層連接的第一晶粒（204）、第二晶粒（203）、第三晶粒（202）以及第四晶粒（201），還包括：第二硅通孔（205），開(kāi)設(shè)于所述第一晶粒（204）上、所述第二晶粒（203）上以及所述第三晶粒（202）上；邏輯單元（401），連接于所述第一晶粒（204）、所述第二晶粒（203）、所述第三晶粒（202）以及所述第四晶粒（201）；導(dǎo)線（4012），連接于所述邏輯單元（401）外側(cè)；若干引腳（4011），與所述第二硅通孔（205）或所述第一硅通孔（102）電性連接；邏輯導(dǎo)線（4013），連接于所述導(dǎo)線（4012）和所述引腳（4011）之間，所述邏輯導(dǎo)線（4013）基于本身物理性質(zhì)和環(huán)境因素改變其本身導(dǎo)電性。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人成都漢芯國(guó)科集成技術(shù)有限公司，其通訊地址為：610000 四川省成都市高新區(qū)(西區(qū))合作路89號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。