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龍圖騰網恭喜深南電路股份有限公司申請的專利埋入式芯片及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111354688B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811571277.4，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權埋入式芯片及其制造方法是由黃立湘;繆樺設計研發完成，并于2018-12-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本埋入式芯片及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種埋入式芯片及其制造方法。制造方法包括：提供一導電基底；在導電基底上設置裸芯和導電凸臺，裸芯的底面上設置連接端子，連接端子與導電基底電連接；在裸芯和導電凸臺上設置第一絕緣層；在第一絕緣層對應導電凸臺的頂部設置導電盲孔，導電盲孔將導電凸臺外露，在導電盲孔中設置與導電凸臺電連接的扇出端子，導電凸臺的底部通過導電基底與連接端子電連接，以使連接端子通過導電凸臺和扇出端子扇出。由此，需要開設的導電盲孔的厚度不需要太厚，僅需要打通第一絕緣層到導電凸臺之間的距離即可，簡化工藝，避免較厚的封裝體使得激光無法擊穿的情況，也可避免機械打孔帶來的大震動以及低精度的問題。

本發明授權埋入式芯片及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種埋入式芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一導電基底；在所述導電基底上設置一框架，其中，所述框架上設置有間隔的第一通槽和第二通槽；在所述導電基底上設置一裸芯和至少一個導電凸臺，所述裸芯包括相對設置的頂面和底面，所述底面上設置連接端子，所述連接端子與所述導電基底電連接；在所述第一通槽中設置所述裸芯，在所述第二通槽中設置所述導電凸臺，使得所述裸芯和所述導電凸臺間隔設置；在所述裸芯和所述導電凸臺上設置第一絕緣層；其中，所述第一絕緣層進一步覆蓋所述框架的表面、填充所述裸芯與所述第一通槽之間的間隙以及所述導電凸臺與所述第二通槽之間的間隙，對所述第一絕緣層進行固化，使得所述第一絕緣層和所述框架形成一體結構；所述框架的材質和所述第一絕緣層的材質相同；其中，所述框架的厚度大于或等于所述裸芯的厚度以及所述導電凸臺的厚度；在所述第一絕緣層對應所述導電凸臺的頂部設置導電盲孔，所述導電盲孔將所述導電凸臺外露，進一步在導電盲孔中設置與所述導電凸臺電連接的扇出端子，所述導電凸臺的底部通過所述導電基底與所述連接端子電連接，以使所述連接端子通過導電凸臺和所述扇出端子扇出。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深南電路股份有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區僑城東路99號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。