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龍圖騰網恭喜株式會社POWDEC申請的專利二極管、二極管的制造方法和電氣設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113875015B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080037000.2，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權二極管、二極管的制造方法和電氣設備是由河合弘治;八木修一;齊藤武尊;中村文彥;成井啟修設計研發完成，并于2020-03-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本二極管、二極管的制造方法和電氣設備在說明書摘要公布了：二極管由雙柵PSJ?GaN系FET構成。該FET具有GaN層11、AlxGa1?xN層12、未摻雜的GaN層13和p型GaN層14。在AlxGa1?xN層12上設置有源電極19和漏電極20，在p型GaN層14上設置有第一柵電極15，在設于槽16內部的柵極絕緣膜17上設置有第二柵電極18，所述槽16設置在源電極19和未摻雜的GaN層13之間的部分處的AlxGa1?xN層12中。源電極19、第一柵電極15和第二柵電極18彼此連接，或者源電極19和第二柵電極18彼此連接、并且第一柵電極15被施加相對于源電極19和第二柵電極18而言為正的電壓。

本發明授權二極管、二極管的制造方法和電氣設備在權利要求書中公布了：1.一種二極管，其中，所述二極管由雙柵極化超結GaN系場效應晶體管構成，所述雙柵極化超結GaN系場效應晶體管具有：未摻雜的第一GaN層；AlxGa1-xN層，所述AlxGa1-xN層在所述第一GaN層上，且0＜x＜1；未摻雜的第二GaN層，所述未摻雜的第二GaN層在所述AlxGa1-xN層上并且具有第一島狀的形狀；p型GaN層，所述p型GaN層在所述第二GaN層上并且具有第二島狀的形狀；源電極和漏電極，所述源電極和漏電極以夾著所述第二GaN層的方式設置在所述AlxGa1-xN層上；第一柵電極，所述第一柵電極與所述p型GaN層電連接；和第二柵電極，所述第二柵電極設置在設于槽內部的柵極絕緣膜上，所述槽設置在所述源電極和所述第二GaN層之間的部分處的所述AlxGa1-xN層中，其中所述第二柵電極的閾值電壓為0V以上，利用所述第一柵電極的控制為常通型，利用所述第二柵電極的控制為常斷型，所述源電極、所述第一柵電極和所述第二柵電極彼此電連接，由所述源電極、所述第一柵電極和所述第二柵電極構成陽極電極，由所述漏電極構成陰極電極，或者所述源電極和所述第二柵電極彼此電連接，并且所述第一柵電極被施加相對于所述源電極和所述第二柵電極而言為正的電壓，由所述源電極和所述第二柵電極構成陽極電極，并且由所述漏電極構成陰極電極，在所述陽極電極和所述陰極電極未被施加電壓時，在所述AlxGa1-xN層和所述第二GaN層之間的異質界面附近的部分處的所述第二GaN層中形成二維空穴氣，并且除了所述第二柵電極下方的部分之外，在所述第一GaN層和所述AlxGa1-xN層之間的異質界面附近的部分處的所述第一GaN層中形成二維電子氣。

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