恭喜朗姆研究公司班亞·翁森納庫姆獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利用于吹掃半導體處理室狹縫閥開口的裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112117214B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010781138.5,技術領域涉及:H01L21/67;該發明授權用于吹掃半導體處理室狹縫閥開口的裝置是由班亞·翁森納庫姆;彼得·科洛托夫設計研發完成,并于2017-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于吹掃半導體處理室狹縫閥開口的裝置在說明書摘要公布了:本發明涉及用于吹掃半導體處理室狹縫閥開口的裝置。提供了一種半導體處理室,其可以包括:延伸穿過室壁并具有限定開口的內通道表面的晶片傳送通道,包括限定插入件開口的插入件內表面的插入件,以及氣體入口。所述晶片傳送通道的至少部分地圍繞所述內通道表面延伸并從所述內通道表面向外偏移的第一凹陷表面、至少部分地圍繞所述插入件內表面延伸并從所述插入件內表面向外偏移的第一插入件外表面、以及在所述內通道表面和所述第一凹陷表面之間延伸的第一壁表面至少部分地限定流體連接到氣體入口的氣體分配通道,所述第一凹陷表面與所述第一插入件外表面分開第一距離,并且插入件前表面面向所述第一壁表面并與所述第一壁表面分開第一間隙距離。
本發明授權用于吹掃半導體處理室狹縫閥開口的裝置在權利要求書中公布了:1.一種半導體處理室,其包括:室壁,其至少部分地界定所述半導體處理室;氣體入口;晶片傳送通道,其沿著第一軸線延伸穿過所述室壁,以及包含:內通道表面,其限定垂直于所述第一軸線的開口,第一凹陷表面,當沿著所述第一軸線觀察時,所述第一凹陷表面至少部分地圍繞所述內通道表面延伸以及從所述內通道表面向外偏移,以及在所述內通道表面和所述第一凹陷表面之間延伸的第一壁表面;以及插入件,其包含:插入件內表面,其限定垂直于所述第一軸線的插入件開口,第一插入件外表面,當沿著所述第一軸線觀察時,所述第一插入件外表面至少部分地圍繞所述插入件內表面延伸以及從所述插入件內表面向外偏移,以及在所述插入件內表面和所述第一插入件外表面之間延伸的插入件前表面,其中:所述插入件的至少部分插入到所述晶片傳送通道中,所述第一凹陷表面、所述第一插入件外表面和所述第一壁表面至少部分地限定氣體分配通道,所述氣體分配通道流體連接到所述氣體入口,所述第一凹陷表面從所述第一插入件外表面向外偏移,所述插入件前表面沿所述第一軸線從所述第一壁表面偏移,所述插入件前表面被定向成以下之一:相對于所述第一軸線成第一傾斜角,或垂直于所述第一軸線;以及所述第一壁表面被定向成以下之一:與所述第一軸線成第二傾斜角,或垂直于所述第一軸線。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司,其通訊地址為:美國加利福尼亞州;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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